如何提高SiO2薄膜的折射率

zitong · 发表于 2010-2-25 21:44:07

目前在做的SiO2薄膜采用ECR Plasma CVD方法，反应气体为SiH4，O2，Ar，折射率不到1.46，反映气体压强8torr。想提高到1.47以上，怎么改善工艺呢？麻烦知道的告诉一声，不胜感激！

zitong · 发表于 2010-3-1 22:08:18

还是我自己回答吧，希望对以后碰到此问题的人有帮助。目前我做的是提高Si：O比可以提高折射率。但是目前还不知道这样改变对粘附性有多大影响。

huixiumei · 发表于 2010-3-12 03:22:14

学习了，谢谢

yifeng602 · 发表于 2010-6-3 17:14:29

学习了，谢谢

caiyongzhi · 发表于 2010-8-7 15:25:14

减少O2的量就行了，应该对粘附没有多大的影响

livechen · 发表于 2010-8-20 23:44:17

路过，学习

le200571 · 发表于 2011-2-21 17:18:31

这个很有用，看看，谢谢

weimao_liu · 发表于 2011-2-22 00:21:07

支持，就顶一下！

mxbplayboy · 发表于 2011-4-5 12:28:26

学习中

accost · 发表于 2013-11-21 21:26:20

氧气量/氩气量！

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