|
|
发送离子源资料并在线讨论答疑。欢迎讨论离子源的技术问题。有问题请联系:nanovac@gmail.com。我会尽量回答提出的问题。回答不出来或错了,也有这个论坛其他大侠指正。
4 b/ [+ L: I3 T/ B$ s
. I) c/ Q+ x4 E& D( U5 L$ G, h下面一段是我一两年前在中国真空网(www.chinesevacuum.com)原创的。但是被镀膜行业其它朋友转来转去。现在又拿回来,算是借花献佛。
& t3 g! e7 Z6 Z( r$ S: z5 _
" i& ^) ~$ d6 Y2 W0 x# V0 \离子源在我国应用得越来越多。但相对真空镀膜用户还是比较陌生。比如有什么不同种类?各种离子源又有何特点。那些真空镀膜工艺非离子源不可;那些镀膜工艺只是锦上添花;而那些镀膜场合离子源只是点缀。等等。希望各位大侠和前辈参加讨论
; ]% n# g! i& ]& F3 J据说离子源起源于星球大战的美苏竞争。理论计算表明离子源作空间推进器能量密度大于常规液氢推进器。美国的研究以美国宇航局的Kaufman教授的栅格式离子源(现在这类离子源仍叫Kaufman离子源)为主,而苏联则以终端霍尔离子源为主。据说苏联技术优先一些。总共有几百台离子源在实验室或空间做过实验或试飞行,直到去年欧洲宇航局还在实验离子源推进器。, m, k; W8 d# k/ P0 W& j
6 P/ J2 ~9 i2 O ?% n
在离子源推进器实验中,人们发现有推进器材料从离子源飞出,这就开始了离子源在材料,特别是材料表面改性的应用。: }: Y: I+ f3 `8 r
t1 \0 n2 Y, j) d0 Y* K离子源的另一个重要应用是高能物理。具体就是离子加速器。简单地说就是用一台离子源产生某种材料的离子,这个离子就在磁性环路上加速,从而轰击一个靶,产生新的物质或揭示新的物理规律。
G, i. T9 g) f5 e7 b0 s# w% A7 l* T2 D# X H4 }) A& X9 C, y6 j
离子源种类较多。主要有:. D8 x" v7 X" I( Y
! l; m" z7 ?1 q4 h- ]; F; Hkaufman离子源1 Y5 y: J+ @6 `7 w) J) {
射频离子源
7 W- [$ p, m# O& k霍尔离子源. S; P/ G7 @& s; p6 @
冷阴极离子源 I4 t \& s* i# G
电子回旋离子源
1 N; [$ m6 V# Y, I" N阳极层离子源
8 H; |. l: N& W7 E5 t2 ]" S感应耦合离子源
$ @# c0 L& `( v1 J% v" w' U- |, L( Y) F6 \& b" S* j7 ~0 y# o4 p2 t+ l6 p
可能还有很多其它类型离子源未被提到。
* c- N& x! W1 f* {6 L8 N: K0 ] m3 |3 N$ H0 ]6 M H
离子源类型虽多,目的却无非在线清洗,改善被镀表面能量分布和调制增加反应气体能量。离子源可以大大改善膜与基体的结合强度,同时膜本身的硬度与耐磨耐蚀特性也会改善。
; D. ^+ Q% W. T$ J8 b; `7 j" ]" ~/ E/ Q' a8 O" H
若是镀工具耐磨层,一般厚度较大而对膜厚均匀性要求不高,可采用离子电流较大能级也较高的离子源,如霍尔离子源或阳极层离子源。
2 C# d5 @5 C/ u6 w: a
9 }$ W3 z5 d9 S阳极层离子源,与霍尔离子源原理近似。在一条环形(长方形或圆形)窄缝中施加强磁场,在阳极作用下使工作气体离子化并在射向工件。阳极层离子源可以做得很大很长,特别适合镀大工件,如建筑玻璃。阳极层离子源离子电流也较大。但其离子流较发散,且能级分布太宽。一般适用于大型工件,玻璃,磨损,装饰工件。但应用于高级光学镀膜并不太多。
u4 d. G2 q! R C" x
% n U( M7 N2 p6 w2 Y0 X, s* U考夫曼离子源是应用较早的离子源。属于栅格式离子源。首先由阴极在离子源内腔产生等离子体,让后由两层或三层阳极栅格将离子从等离子腔体中抽取出来。这种离子源产生的离子方向性强,离子能量带宽集中,可广泛应用于真空镀膜中。缺点是阴极(往往是钨丝)在反应气体中很快就烧掉了,另外就是离子流量有极限,对需要大离子流量的用户可能不适和。& O& ^+ z. [) a" n
. Z6 t2 X7 |8 Z. S, S
霍尔离子源是阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化。这个轴向磁场的强不平衡性将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强,霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。常见的中和源就是钨丝(阴极)。霍尔离子源的特点是:
- I* u0 ~# c- s7 A, A# I9 M, B* K- X/ O6 G1 }
1简单耐用。1 @. |6 p2 x: Y2 U! ?* s( P
2离子电流与气体流量几乎成比例,可获得较大离子电流。( ^9 j1 o: f5 g0 H& ^1 Y
3钨丝一般横跨在出口,收离子束冲击很快会销蚀,尤其对反应气体,一般十几个小时就需更换。并且钨丝还会有一定的污染。: N, Q0 U% s% h+ |6 P
- Q+ S8 o: Z3 I a5 _# x/ l5 f1 `为解决钨丝的缺点。有采用较长寿中和器的,如一个小的空心阴极源。
8 `4 C( L: s; f8 n; I& T" p
! q" a0 r4 E* c霍尔离子源可以说是应用最广泛的离子源。高级的如Veece的Mark I 和 Mark II 离子源。适用的如国产的大部分离子源。5 \9 J0 i" ]& `. V7 r+ c/ N& P
3 k& a" G# J- ~) u+ N: K* _9 z" ~- S如果镀耐磨装饰膜,膜厚大,需要与机体结合力强,而均匀性要求不高。可用霍尔离子源。其离子电流大,且离子能级也高。如果是镀光学膜,则主要要求离子电流能级集中,离子电流均匀性好。故最好用Kaufman或RF离子源,有条件的可采用ECR(电子回旋)或ICP(感应耦合)离子源。另外,也要考虑到耗材,如用钨丝的霍尔源在反应气体中十来个小时就烧断了。而高级离子源如ICP离子源可在反应气体中连续工作几百小时。
9 d q9 u6 y2 D# Y$ t9 [& M1 x3 h Q; Q1 `: n- U1 a
镀灯具铝膜。因为是金属膜,当然是直流磁控溅射好。速度快。中频适合镀化合物膜。如果选离子源,霍尔离子源就够了。但要注意你的灯具大小。一般霍尔离子源是圆形,离子源覆盖的面积有限。你一定要用离子束将工件全部覆盖到。若普通霍尔离子源太小,可考虑用阳极层离子源。
: n! x3 Q3 O% @! p0 }$ f+ c, U+ O: V& t7 g- I3 J
莱宝APS1104光学镀膜机可以说是目前国内镀膜界的王牌。这个镀膜机主要是两台电子蒸发源何一台APS离子源组成。其APS离子源可以说是镀膜机的心脏,其结构十分独特。首先它是Kaufman型离子源,但其阴极不是常用的钨丝,而是昂贵的LaB6材料。另外其磁场不是由永久磁铁产生,而是由电磁线圈产生。
+ ^! z& p/ v3 z$ E D; f- `9 p, [! i9 Z) Q8 i
从参数来看,其磁场较弱,功率也不大,但其显著特点是在被镀工件上产生的温度低,其各项参数调得使成膜时热力学平衡好,成膜致密。可以说目前国内高档光学镀膜全*莱宝机,尽管其价格远远高于其他镀膜厂家。莱宝APS实在独特,它不用永久磁铁而用电磁铁(电磁铁多要一套真空电路系统)。结构看起来很“苯”。但事实上性能却特别好。莱宝APS镀膜机之所以走俏,APS离子源(或邓离子源)起了很大作用。* G4 K1 }7 f, i2 o. D
7 D8 \1 P, r, n) M) D0 X; ?5 r; K; Y离子源难起辉的一个原因是磁场太弱激发不起等离子体。离子源的种类虽多,但基本上是先产生等离子体,然后从等离子体中抽出气体离子并加速成离子束,让后视需要注入电子中和离子流。
G8 y1 C4 u" Y& ~" \& C. t- a: c4 f5 K
现在国内离子源阴极一般都用钨丝,很简单方便。但需要定期更换。尤其是光学镀膜时用氧气,钨丝一般只能用10个小时左右。另外钨丝烧蚀会污染膜层。 |
|