找回密码
 注册
查看: 3366|回复: 8

[求助] 膜材的密度,还有阻抗在哪得到呀

[复制链接]

25

主题

25

主题

25

主题

积分
2067
发表于 2007-4-8 12:52:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位光学介的前辈们
: l3 U# b% q6 O( x, Q小弟有个问题要请教一下3 S6 I" k6 N; Q! Q8 Q9 W* }
就是  膜材的密度,还有阻抗在哪得到呀$ _* A8 x8 E: A! v
谢谢了,QQ258072938
8 f5 L) }+ [+ k2 d邮箱:ytmyvi@126.com

1

主题

1

主题

1

主题

积分
264
发表于 2007-4-16 19:22:16 | 显示全部楼层
膜厚仪附录
+ \/ U; ?8 ~" D8 p% s1 fFormula    Density    Z-ratio    Material Name
/ k7 d& K# x0 _8 y9 z5 S7 YAg    10.500     0.529    Silver
& V+ V2 e9 Y2 e: E( lAgBr    6.470     1.180    Silver Bromide  n, ?& M& ?; R) g0 H5 F1 h' d
AgCl    5.560     1.320    Silver Chloride' x- m0 a+ Y$ r0 H; G
Al    2.700     1.080    Aluminum" f! U' N( @  w8 I" ]0 a
Al2O3    3.970     0.336    Aluminum Oxide/ l& ^/ H$ Q) o2 p
Al4C3    2.360     *1.000    Aluminum Carbide
5 t- k6 F! g( \$ ?( fAlF3    3.070     *1.000    Aluminum Fluoride4 n- u) {/ [5 [% U* C( y9 v( u: _
AlN    3.260     *1.000    Aluminum Nitride
7 j" X2 f6 Y8 L5 D% c1 e" Q3 h5 `AlSb    4.360     0.743    Aluminum Antimonide. A$ x1 Z8 |4 F
As    5.730     0.966    Arsenic, S5 g9 u( ~  ~4 a/ l; @" ]
As2Se3    4.750     *1.000    Arsenic Selenide! J8 P1 ^" @. k* N" E2 ~% H0 U8 c
Au    19.300     0.381    Gold9 q3 N; `8 g9 m, ^" A
B    2.370     0.389    Boron
: p# F1 S/ v. ]; x) c; LB2O3    1.820     *1.000    Boron Oxide! a" p+ r2 J" [
B4C    2.370     *1.000    Boron Carbide
& S: L$ V% t% M/ X7 `7 \' uBa    3.500     2.100    Barium, ^1 b7 }. H* X" H! X7 F( Z
BaF2    4.886     0.793    Barium Fluoride# W6 E/ n; O8 R2 T
BaN2O6    3.244     1.261    Barium Nitrate- H1 n; K, w# b6 c
BaO    5.720     *1.000    Barium Oxide
, h6 U: a/ d9 T4 }BaTiO3    5.999     0.464    Barium Titanate (Tetr)
& ~4 K0 z; U2 @; k7 S3 gBaTiO3    6.035     0.412    Barium Titanate (Cubic)* q+ C5 \7 b/ x
Be    1.850     0.543    Beryllium$ Q/ S0 N+ z. V4 {" @
BeF2    1.990     *1.000    Beryllium Fluoride
7 P. a8 q* S' ~$ P8 m, S: x2 f+ @( qBeO    3.010     *1.000    Beryllium Oxide
8 Z* R$ \) y( h5 T' NBi    9.800     0.790    Bismuth
1 R0 H) }. ]! w" z; j9 Q- F1 x6 ZBi2O3    8.900     *1.000    Bismuth Oxide
1 ?1 T. p7 i" N. p5 R" i0 zBi2S3    7.390     *1.000    Bismuth Trisulphide, v3 S. O# q' N" V% G4 B
Bi2Se3    6.820     *1.000    Bismuth Selenide2 M1 o$ _8 R+ f: U- \8 [# q5 P
Bi2Te3    7.700     *1.000    Bismuth TeUuride
4 @( F) H# @+ J' LBiF3    5.320     *1.000    Bismuth Fluoride; l( c$ x) |4 d, p0 p3 s5 v
BN    1.860     *1.000    Boron Nitride# I7 @' `: k  U* Y
C    2.250     3.260    Carbon (Graphite)5 [+ H  s2 m6 {* Z% `1 B: f
C    3.520     0.220    Carbon (Diamond)- t, s' f- G3 W/ U% e
GaN    6.100     *1.000    Gallium Nitride
% i1 l8 B4 }$ F4 ^GaP    4.100     *1.000    Gallium Phosphide: X+ }4 Y- d- N5 i) i
GaSb    5.600     *1.000    Gallium Antimonide) G3 h, @; |; j$ g2 g# c( L
Gd    7.890     0.670    Gadolinium
8 Q1 U* X9 \  T( `Gd2O3    7.410     *1.000    Gadolinium Oxide# b8 g  V4 ^5 i+ y- m% g
Ge    5.350     0.516    Germanium5 K" ~7 G5 U2 p& x- t0 z7 I) d: d
Ge3N2    5.200     *1.000    Germanium Nitride. v2 |9 b9 ?5 d2 v  o6 ^/ \
GeO2    6.240     *1.000    Germanium Oxide/ ~* ]# C9 [+ |7 U
GeTe    6.200     *1,000    Germanium Telluride! e0 x! y: X4 J/ J; U6 g7 j5 H+ E! p
Hf    13.090     0.360    Hafnium/ ~! _1 \$ n. m$ T" A( l
HfB2    10.500     *1.000    Hafnium Boride3 v. H+ P, [" O) A" w6 s* F9 N
HfC    12.200     *1.000    Hafnium Carbide$ @% U6 \) z, _' m, N( v
HfN    13.800     *1.000    Hafnium Nitride
1 `- r. v& {& `9 J7 c6 q- ~! W/ PHfO2    9.680     *1.000    Hafnium Oxide
8 U  h: O2 q7 f# Y7 ~+ Q9 r7 {HfSi2    7.200     *1.000    Hafnium Silicide
( Q" y+ g8 X# x& AHg    13.460     0.740    Mercury5 L* F" A: F9 }, z: ^9 \0 d6 j
Ho    8.800     0.580    Holminum/ b1 u: H4 j* }9 L0 R
Ho2O3    8.410     *1.000    Holminum Oxide$ l/ _  @# i! g/ N6 b  ?
In    7.300     0.841    Indium4 i2 v. {- N+ m2 X  k
In2O3    7.180     *1.000    Indium Sesquioxide- Q- ?- {' J+ }  _- J8 N
In2Se3    5.700     *1.000    Indium Selenide
, o" o6 @; A) K& N% M- j- ]. AIn2Te3    5.800     *1.000    Indium Telluride* O, y) R. I- x4 @3 z
InAs    5.700     *1.000    Indium Arsenide
- e& F* w/ `5 SInP    4.800     *1.000    Indium Phosphide2 n' T7 H5 D) r6 K
InSb    5.760     0.769    Indium AntJmonide4 L" O) J$ F- s! R+ c
Ir    22.400     0.129    Iridium
! D( z% t6 H; mK    0.860     10.189    Potassium# \7 E6 T1 Z( }* f+ @; B6 @6 F
KBr    2.750     1.893    Potassium Bromide
( d% B3 V# @' b9 {8 {+ NKCI    1.980     2.050    Potassium Chloride6 A6 J( r: H- |- w0 M5 O' E
KF    2.480     *1.000    Potassium Fluoride4 `( O  r4 q; P8 j9 K3 y, p
KI    3.128     2.077    Potassium Iodide7 f* B6 ]; |$ j4 A0 C  c
La    6.170     0.920    Lanthanum
" i+ F# r5 J# x# h* Z0 D9 |" ~- l0 }La2O3    6.510     *1.000    Lanthanum Oxide7 ~1 c5 s! i) W$ h8 ?  ~7 K
LaB6    2.610     *1.000    Lanthanum Boride
$ {8 l+ n) e: vLaF3    5.940     *1.000    Lanthanum Fluoride
, [+ r! U9 t) q- K$ S: I# ELaN5    8.770     0.360    Lanthanum Nickel
2 u$ a2 t0 |0 U2 d- n) {/ `Li    0.530     5.900    Lithium5 n; K+ C: F1 `) G4 \* i
LiBr    3.470     1.230    Lithium Bromide$ f) n1 `6 B: g7 M/ _2 O* C
LiF    2.638     0.778    Lithium Fluoride7 k0 z/ ~: ]# `. L4 R$ x
LiNbO3    4.700     0.463    Lithium Nlobate4 [/ }# K# d+ T
Lu    9.840     *1,000    Lutetium
+ k  o% q# e$ `: v, b9 vMg    1.740     1.610    Magnesium
% ~  h% T' @$ jMgAl2O4    3.600     *1.000    Magnesium Aluminate
# w3 K5 Q1 G, v. y8 ]$ QMgF2    3.180     0.837    Magnesium Fluoride" u" y9 `& d* {- S; ]8 g0 g8 U6 O, I
MgO    3.580     0.411    Magnesium Oxide: t" F7 b- m' I* K
MgO3Al2O3    8.000     *1.000    Spinel
0 C$ ~% y/ q2 g( NMn    7.200     0.377    Manganese$ B+ ^% e( t9 _! L6 V
MnO    5.390     0,467    Manganese Oxide
9 u7 m9 }9 S- y3 L; k& N0 VMnS    3.990     0.940    Manganese (11) Sulfide4 N) j* r) g  f, y
Mo    10.200     0.257    Molybdenum  o( _* s( o5 Y" z
Mo2C    9.180     *1.000    Molybdenum Carbide
* B2 [( U* R- L% M( ?" @! gMoB2    7.120     *1.000    Molybdenum Boride+ w8 H# Q- f8 J
MoO3    4.700     *1.000    Molybdenum Trioxdide
6 i1 q' l5 w4 I' sMoS2    4.800     *1.000    Molybdenum Disulfide
# _6 d2 R" P5 h$ F! g" u, \Na    0.970     4.800    Sodium; _. d( E7 E  a; @+ M6 F, v  Z
Na3AlF6    2.900     *1.000    Cryolite
  m  ^. u" M+ ]) Q( x$ NNa5Al3F14    2.900     *1.000    Chiolite1 S+ ]9 f7 r/ O3 K( B
NaBr    3.200     *1.000    Sodium Bromide
5 ]/ n0 \) v% ]6 J* m- e7 `NaCl    2.170     1.570    Sodium Chloride
! \$ G, |+ }% j  s! xNaClO3    2.164     1.565    Sodium Chlorate6 y% e! W; q9 W* [$ ]$ ?3 G3 `$ c
NaF    2.558     0.949    Sodium Fluoride! c/ P; R$ g- S( O3 [& O
NaNO3    2.270     1.194    Sodium Nitrate5 [3 B+ h$ Q9 Q+ q' f& |
Nb    8.578     0.492    Niobium (Columbium)& ]+ n: J4 n4 i, C
Nb2O3    7.500     *1.000    Niobium Trioxide' O7 P0 }: S! U6 m4 Z4 Z9 Q- U
Nb2O5    4.470     *1.000    Niobium (V) Oxide
+ c5 j3 P4 G! c* Z! n( kNbB2    6.970     *1.000    Niobium Boride( L: J* V* X3 r
NbC    7.820     *1.000    Niobium Carbide$ h1 O. N3 g, W4 [5 {
NbN    8.400     *1,000    Niobium Nitride
% ~3 R- ~  v1 l& L" ^# rNd    7.000     *1.000    Neodynium* E( @. L, L; d4 D- _
Nd2O3    7.240     *1.000    Neodynium Oxide5 v3 r" \: S" R7 n; S6 K  S, W  i
NdF3    6.506     *1.000    Neodynium Fluoride! {4 O; `' _( x8 ~" N. j
Ni    8.910     0.331    Nickel5 g9 v  m. [+ z7 d  q+ q9 x
NiCr    8.500     *1.000    Nichrome8 S9 |; q& [- t0 ?5 J
NiCrFe    8.500     *1.000    Inconel: X" t& r( V7 I) T5 f
NiFe    8.700     *1.000    Permalloy+ U4 K3 ^0 V, C% W. r
NiFeMo    8.900     *1.000    Supermalloy) S& s  F2 T% l+ P6 E
NiO    7.450     *1.000    Nickel Oxide
- [/ T/ K( a: q/ c. AP3N5    2.510     *1.000    Phosphorus Nitride
% {5 Y8 Y3 a6 A+ n# q4 K1 O4 ZPb    11.300     1.130    Lead
& m9 M; a, r, C4 K8 {' i, t! A, wPbCl2    5.850     *1.000    Lead Chloride
1 [0 l9 u( l) N8 e! e# EPbF2    8.240     0.661    Lead Fluoride) m8 ~% s. p. r, \3 C) R
PbO    9.530     *1.000    Lead Oxide
) _, W* U/ h$ N6 C( }6 i( FPbS    7.500     0.566    Lead Sulfide
- x3 T! m& M# b- m" I$ NPbSe    8.100     *1.000    Lead Selenide
& A% O6 H  p" w, b( qPbSnO3    8.100     *1.000    Lead Stannate% w8 j5 I- }1 I5 @- f
PbTe    8.160     0.651    Lead Telluride
$ P; m* G! N( ]9 u. ZPb2TiO3    7.500     1.160    Lead Titanate: w) }# h# s3 X4 {( n- }% i1 j
Pd    12.038     0.357    Palladium
* S9 \; h+ S1 ^0 M* q- ePdO    8.310     *1.000    Palladium Oxide
! Q! y. G+ X; F8 }; k4 n, lPo    9.400     *1.000    Polonium( s0 H: x9 ^: f; @6 j
Pr    6.780     *1.000    Praseodymium& g9 B) I/ O* g) b9 ]' [$ ]
Pr2O3    6.880     *1.000    Praseodymium Oxide
: ]' M' D5 k$ H% z+ ~1 nPt    21.400     0.245    Platinum! s5 z# X( Y4 H* m6 F, u- ^
PtO2    10.200     *1.000    Platinum Oxide
1 U0 Q# [& d0 a( G8 r. v" P$ H6 ?Ra    5.000     *1.000    Radium
+ m. d+ d5 F6 z# S* r2 E4 B7 F! P: oRb    1.530     2.540    Rubidium
8 D: A$ X2 R0 eRbl    3.550     *1.000    Rubidium Iodide* s9 q- f2 ?0 R& h) i
Re    21.040     0.150    Rhenium; ~7 S' r- Z, D! t/ J8 r
Rh    12.410     0.210    Rhodium
& `3 ?( M1 c- Y8 T* IRu    12.362     0.182    Ruthenium- F& l1 w5 P7 [8 ~4 |/ F% {
S8    2.070     2.290    Sulphur
6 c; A4 {: n$ X8 D* ~Sb    6.620     0.768    Antimony
; p- v4 ]4 @1 \. E% {( u" `  u$ _Sb2O3    5.200     *1.000    Antimony Trioxide
% Z; O( B0 @* wSb2S3    4.640     *1.000    Antimony Trisulfide
8 r0 o' @  e  R2 f8 W, CSc    3.000     0.910    Scandium
. @6 y- U8 I- \, ~Sc203    3.860     *1.000    Scandium Oxide
5 @# @! h! _0 o* y! z/ L& TSe    4.810     0.864    Selenium
; P* i+ F# I$ Z, O% rSi    2.320     0.712    Silicon
5 b5 ]) {) Z3 p$ J5 _: y6 S; y! {' }( PSi3N4    3.440     *1.000    Silicon Nitride6 H# I3 Z' o/ c  q1 e
SiC    3.220     *1.000    Silicon Carbide
1 q, f- i: Q9 E, oSiO    2.130     0.870    Silicon (II) Oxide2 M- y' E" ]  [- ^( [" w, ^- `
SiO2    2.648     1.000    Silicon Dioxide
- e. o6 \/ T& K7 O2 _/ z* r- `Sm    7.540     0.890    Samarium* Z( I, s3 P. R! @6 M. u
Sm2O3    7.430     *1.000    Samarium Oxide- \- J* g' X% b6 ~7 u
Sn    7.300     0.724    Tin4 b; W( b5 D2 R2 V+ ^) W
SnO2    6.950     *1.000    Tin Oxide; v/ e% `; l% W. ~) Q
SnS    5.080     *1.000    Tin Sulfide
, Q) q, U. y' A. p( ESnSe    6.180     *1.000    Tin Selenide
% w: ~+ r+ c6 J( NSnTe    6.440     *1.000    Tin Telluride6 j( w; I2 {# l# X" O
Sr    2.600     *1.000    Strontium; ~* e2 @- a* x  P9 r$ [' B" g+ N1 r
SrF2    4.277     0.727    Strontium Fluroide2 v# S# O: J! j7 {. b
SrTiO3    5.123     0.310    Strontium Trranate1 p3 Y2 [! S/ x6 ~& n
SrO    4.990     0.517    Strontium Oxide
$ e, p; }& G1 _/ eTa    16.600     0.262    Tantalum
6 t: {0 e. y0 I, l) P2 _; T$ qTa2O5    8.200     0.300    Tantalum (V) Oxide1 @7 G: L# m( e9 X* ], g, u
TaB2    11.150     *1.000    Tantalum Boride
$ @) S! b  s$ g9 T  GTaC    13.900     *1.000    Tantalum Carbide
1 G2 S: n9 m* STaN    16.300     *1.000    Tantalum Nitride
0 t- F0 o1 ]- l/ I' f1 zTb    8.270     0.660    Terbium# L/ E* v. ?" U6 [: S, c
Tc    11.500     *1.000    Technetium" \0 ~' E- E# D
Te    6.250     0.900    Tellurium
5 N" m! q& G3 eTeO2    5.990     0.862    Tellurium Oxide* F1 z8 `% @+ B4 h% S+ l
Th    11.694     0.484    Thorium
) p% ]% a8 D, D2 n( ~' ~ThF4    6.320     *1.000    Thorium (IV) Fluoride8 V3 w) ]- ~! x/ U% ]
ThO2    9.860     0,284    Thorium Dioxide
6 M8 [7 x/ ?% R0 J, h" {ThOF2    9.100     *1.000    Thorium Oxyfluoride
1 f" w, m* n' D1 F; M8 n% }5 }Ti    4.500     0.628    Titanium
- F( S$ r4 P% w' [/ _0 V1 }Ti2O3    4.600     *1.000    Titanium Sesquioxide* e+ i: x6 t) T3 y* O
TiB2    4.500     *1.000    Titanium Boride
* b/ J, k9 o3 o$ {TiC    4.930     *1.000    Titanium Carbide
# D, ~* b; M5 ^0 j0 E2 `TiN    5.430     *1.000    Titanium Nitride
) `0 {$ ?3 t$ J% v- E! nTiO    4.900     *1.000    Titanium Oxide
* }7 _* i+ [1 n' N; HTiO2    4.260     0.400    Titanium (IV) Oxide3 f5 h& V" V) k) h' Q" R4 s
TI    11.850     1.550    Thallium
$ |& }. a  U( h. k2 q& b. ETIBr    7.560     *1.000    Thallium Bromide
" R( L' n) O  c# j) [2 V3 z0 g5 ?* `TICl    7.000     *1.000    Thallium Chloride
* o. C( \! Q5 ]2 G6 E6 pTII    7.090     *1.000    Thallium Iodide (B)2 G( V% s8 K" {* E
U    19.050     0.238    Uranium- e! d. }% H; C& @# p" n* u. _
U4O9    10.969     0.348    Uranium Oxide& D7 r" U3 `& J5 Z1 b
UO2    10.970     0.286    Uranium Dioxide
4 z) _, z7 Y5 m# _) I& j/ ~7 u, RU3O8    8.300     *1.000    Tri Uranium Octoxide
  r/ r! }# i, LV    5.960     0.530    Vanadium
9 Z% x! X* X( U6 D5 mV2O5    3.360     *1.000    Vanadium Pentoxide; I- t! T! I# j
VB2    5.100     *1.000    Vanadium Boride
& X0 F; p% s1 r( ~5 Z0 KVC    5.770     *1.000    Vanadium Carbide
9 J4 Y8 T! [/ z: rVN    6.130     *1.000    Vanadium Nitride
: w) h  N5 S; o9 ^, K7 }VO2    4.340     *1.000    Vanadium Dioxide* |9 T' r) E( z9 v$ o
W    19.300     0.163    Tungsten/ N% r- m5 p* ?# @
WC    15.600     0.151    Tungsten Carbide( B' b3 j/ B* V
WB2    10.770     *1.000    Tungsten Boride
4 [9 F. G  p# a' c% M3 A' h5 o" ~2 WWO3    7.160     *1.000    Tungsten Trioxide
" _+ |& R4 B2 rWS2    7.500     *1.000    Tungsten Disulphide7 Z# \7 q5 C4 f
WSi2    9.400     *1.000    Tungsten Silicide. P# Y  U5 |. }9 l
Y    4.340     0.835    Yttrium6 M& U% }! r% Q. \
Y2O3    5.010     *1.000    Yttrium Oxide/ I: U7 n  W3 l9 e1 r- h$ O
Yb    6.980     1.130    Ytterbium: g% b2 z. E' R( M* N% C
Yb2O3    9.170     *1.000    Ytterbium Oxide8 G3 y8 J* H- Y  W
Zn    7.040     0.514    Zinc: Z' f: }7 M, b* `: ~  A
Zn3Sb2    6.300     *1.000    Zinc Antimonide
5 y. j8 K$ q. D! a; Q3 K3 q8 FZnF2    4.950     *1.000    Zinc Fluoride
3 o- k/ l& O. w3 C$ ^- C/ ~ZnO    5.610     0.556    Zinc Oxide
+ E$ P& u# Q3 ^4 ~ZnS    4.090     0.775    Zinc Sulfide- i+ A9 `2 f# S; l* j7 @, l; |& W& T
ZnSe    5.260     0.722    Zinc Selenide
+ J8 I8 N) B7 b6 ~. G/ W7 g: C# EZnTe    6.340     0.770    Zinc Telluride8 x1 E8 I8 D4 c+ ]% u
Zr    6.490     0.600    Zirconium
2 W7 _; R, T( u5 d4 d6 o# U5 M, BZrB2    6.080     *1.000    Zirconium Boride
# i$ ~% L$ T8 G  A2 YZrC    6.730     0.264    Zirconium Carbide
1 o4 h' _$ i8 W$ c" T" [4 EZrN    7.090     *1.000    Zirconium Nitride1 H0 P$ Q2 j. M; p3 I8 J
ZrO2    5.600     *1.000    Zirconium Oxide
回复

使用道具 举报

25

主题

25

主题

25

主题

积分
2067
 楼主| 发表于 2007-4-16 22:31:02 | 显示全部楼层
謝了, 交個朋友
3 j! L7 `9 [- `9 S4 C$ ?6 H) v7 l& V0 q7 M$ @
13424538153
回复

使用道具 举报

4

主题

4

主题

4

主题

积分
597
发表于 2008-11-6 15:40:01 | 显示全部楼层
楼上的谢谢了,我正好也在找这个东西
回复

使用道具 举报

0

主题

0

主题

0

主题

积分
235
发表于 2009-2-18 02:25:20 | 显示全部楼层
楼上的谢谢了,我正好也在找这个东西
回复

使用道具 举报

0

主题

0

主题

0

主题

积分
410
发表于 2009-2-27 15:47:48 | 显示全部楼层
阻抗和机台没有关系吗?谢谢楼主
回复

使用道具 举报

1

主题

1

主题

1

主题

积分
185
发表于 2009-3-28 03:31:09 | 显示全部楼层
谢谢二楼分享!
回复

使用道具 举报

0

主题

0

主题

0

主题

积分
97
发表于 2009-4-11 16:34:08 | 显示全部楼层
谢谢2楼的回答
回复

使用道具 举报

1

主题

1

主题

1

主题

积分
346
发表于 2009-4-28 02:24:12 | 显示全部楼层
谢谢,我也分享了
回复

使用道具 举报

您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

Archiver|手机版|小黑屋|光学薄膜论坛

GMT, 2026-1-12 , Processed in 0.051127 second(s), 22 queries .

Powered by Discuz! X3.5 Licensed

© 2001-2025 Discuz! Team.

快速回复 返回顶部 返回列表