定制高端激光薄膜

光学薄膜论坛

 找回密码
 注册
搜索
本站邀请注册说明!
查看: 3433|回复: 8

[求助] 膜材的密度,还有阻抗在哪得到呀

[复制链接]
发表于 2007-4-8 20:52:52 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位光学介的前辈们
- L4 J0 E, {0 a: B小弟有个问题要请教一下* t; |6 X5 k: H# d3 Q( `% U" s8 V
就是  膜材的密度,还有阻抗在哪得到呀
- M/ O0 T/ D. M/ C$ `谢谢了,QQ2580729387 [$ p; _$ w! l0 l- c6 A
邮箱:ytmyvi@126.com
发表于 2007-4-17 03:22:16 | 显示全部楼层
膜厚仪附录0 j2 Q' e! C' K* J5 s0 T  E
Formula    Density    Z-ratio    Material Name
" v* ~# b" D$ t7 M. y- pAg    10.500     0.529    Silver
) Y" k, J* e( |9 t" j, IAgBr    6.470     1.180    Silver Bromide- q* I  f" R7 h% e) X
AgCl    5.560     1.320    Silver Chloride* `- H& m8 P, }9 r
Al    2.700     1.080    Aluminum
  B- p" s; g  M3 K5 L3 v$ J% ?* UAl2O3    3.970     0.336    Aluminum Oxide3 Q. s: A$ x1 @
Al4C3    2.360     *1.000    Aluminum Carbide7 W4 C. h& j6 s6 K1 a
AlF3    3.070     *1.000    Aluminum Fluoride# i$ n) I# U7 _" I- Q/ \2 M
AlN    3.260     *1.000    Aluminum Nitride# Q$ n1 v8 k: H  Y" _' T- N
AlSb    4.360     0.743    Aluminum Antimonide
, `: Q( B6 a* b' O$ |As    5.730     0.966    Arsenic
# S4 N7 G( D7 fAs2Se3    4.750     *1.000    Arsenic Selenide$ E; Y% A! {: i4 |
Au    19.300     0.381    Gold
6 V) n" e2 a9 {! WB    2.370     0.389    Boron3 B: o# m9 X  {. O7 j
B2O3    1.820     *1.000    Boron Oxide$ s* m; ~' Q! D+ P8 P& c# O& |0 @
B4C    2.370     *1.000    Boron Carbide
1 s: L( ]+ I/ @- }/ m2 pBa    3.500     2.100    Barium3 {& M9 a. j4 h/ I9 f
BaF2    4.886     0.793    Barium Fluoride
/ d9 a, f5 w% V' P; W* s3 y+ M: NBaN2O6    3.244     1.261    Barium Nitrate
, K& q' n' B% tBaO    5.720     *1.000    Barium Oxide
) R/ b# i" x+ x7 J* G7 T' hBaTiO3    5.999     0.464    Barium Titanate (Tetr)3 O) t8 F5 [5 _! t9 q/ j8 i1 v
BaTiO3    6.035     0.412    Barium Titanate (Cubic)
2 W  e, w8 j, C* sBe    1.850     0.543    Beryllium
1 ?& `. e( {+ \% }/ kBeF2    1.990     *1.000    Beryllium Fluoride
2 h5 w% k& t6 x8 p/ f% e0 @BeO    3.010     *1.000    Beryllium Oxide
4 o7 J% ^7 T3 b! @# h( bBi    9.800     0.790    Bismuth, V0 T3 S2 E/ ~% N0 u2 t+ t
Bi2O3    8.900     *1.000    Bismuth Oxide
1 T% r6 e9 S+ d' P7 {Bi2S3    7.390     *1.000    Bismuth Trisulphide& b7 D, Z" X/ ?, F, y
Bi2Se3    6.820     *1.000    Bismuth Selenide, ]! ?. j# f2 {0 z+ s! L  |
Bi2Te3    7.700     *1.000    Bismuth TeUuride
: s: [) h( X. R: P" ?5 OBiF3    5.320     *1.000    Bismuth Fluoride- b+ z( w6 ~( r3 ?% `$ p% [. t
BN    1.860     *1.000    Boron Nitride" Q' j0 [3 l; R. d. x( A6 M# ^
C    2.250     3.260    Carbon (Graphite)" A) K$ {( E+ }
C    3.520     0.220    Carbon (Diamond)
9 }2 G" x5 P- m: N0 |GaN    6.100     *1.000    Gallium Nitride( F0 ?! F& t6 n" W! u: v
GaP    4.100     *1.000    Gallium Phosphide
3 g- y/ |1 s5 ?! O: MGaSb    5.600     *1.000    Gallium Antimonide
  X6 ?/ u7 u6 i6 s8 {Gd    7.890     0.670    Gadolinium
+ \/ X# @/ T# h4 yGd2O3    7.410     *1.000    Gadolinium Oxide7 o5 d& w7 e0 [: N
Ge    5.350     0.516    Germanium' d8 `9 _" N: r9 {- _$ Z
Ge3N2    5.200     *1.000    Germanium Nitride. N- b' j7 Y: p0 d: }
GeO2    6.240     *1.000    Germanium Oxide
; }4 r; t4 f+ d# p) SGeTe    6.200     *1,000    Germanium Telluride
0 ~( @. P/ ^' U" ^3 mHf    13.090     0.360    Hafnium; T$ \$ G5 @, R( e7 w( G7 ], X
HfB2    10.500     *1.000    Hafnium Boride+ T( R+ j' r* u, K' Z" h0 b" f5 d
HfC    12.200     *1.000    Hafnium Carbide; W/ m) T( s" F, z( q+ h
HfN    13.800     *1.000    Hafnium Nitride4 p1 D% N- a) X7 x6 m) D$ d% k6 a
HfO2    9.680     *1.000    Hafnium Oxide' w$ b- k, p7 g- A
HfSi2    7.200     *1.000    Hafnium Silicide" x. `8 D! j% I1 M3 V# D
Hg    13.460     0.740    Mercury( C( v4 `6 q% Q8 h, t0 m3 A7 {
Ho    8.800     0.580    Holminum- j' K5 F- V. q; R+ o6 S" ]+ k
Ho2O3    8.410     *1.000    Holminum Oxide* y5 l, v* i' R' y" G! u7 Q9 H
In    7.300     0.841    Indium, q& T. F" C! t' y) v  \5 P6 G
In2O3    7.180     *1.000    Indium Sesquioxide
6 E/ e9 C0 D9 \( L. MIn2Se3    5.700     *1.000    Indium Selenide( B) M0 m6 t! ], O$ j0 w
In2Te3    5.800     *1.000    Indium Telluride2 A0 J9 b0 c" k2 X' v- a' j. A
InAs    5.700     *1.000    Indium Arsenide
/ `( d9 S& j. v7 o/ H( rInP    4.800     *1.000    Indium Phosphide
* E6 j& B+ k& i4 V0 ~% ]InSb    5.760     0.769    Indium AntJmonide
) T3 h, x8 R0 Y4 J  G0 B9 NIr    22.400     0.129    Iridium# |4 P, P: H% M! S" i
K    0.860     10.189    Potassium
/ a1 |+ z! ?5 DKBr    2.750     1.893    Potassium Bromide
! z+ O! t; N. d, D) VKCI    1.980     2.050    Potassium Chloride3 d( S+ p* C( I' [0 E$ E
KF    2.480     *1.000    Potassium Fluoride
3 P& S, `  [1 `' Y6 w6 H1 u2 n, KKI    3.128     2.077    Potassium Iodide# n7 g2 f  n- U# m- \& g7 n
La    6.170     0.920    Lanthanum
9 l; L" @4 ?/ H9 a  h3 XLa2O3    6.510     *1.000    Lanthanum Oxide# ~9 O* T- s! c# O# A( q$ L
LaB6    2.610     *1.000    Lanthanum Boride' w( [; y% K8 ^" o* h
LaF3    5.940     *1.000    Lanthanum Fluoride& }% n: ~/ Q/ Z6 G
LaN5    8.770     0.360    Lanthanum Nickel
" |8 N/ a3 e# P8 ^/ F6 P) WLi    0.530     5.900    Lithium
( T+ f0 y  F! aLiBr    3.470     1.230    Lithium Bromide3 z: y5 h7 S1 N  B
LiF    2.638     0.778    Lithium Fluoride
- F2 |6 c- A) Y4 `7 F+ w# }LiNbO3    4.700     0.463    Lithium Nlobate
" O! e+ E& g! W% A6 lLu    9.840     *1,000    Lutetium
+ _8 i% s& Y' X3 AMg    1.740     1.610    Magnesium7 n( b3 f: r2 S: b5 h
MgAl2O4    3.600     *1.000    Magnesium Aluminate
9 {. E& S' C$ mMgF2    3.180     0.837    Magnesium Fluoride1 z2 Y% D, ~* l- E
MgO    3.580     0.411    Magnesium Oxide
. C: H. c- `% IMgO3Al2O3    8.000     *1.000    Spinel0 o- B  C$ W8 {& _
Mn    7.200     0.377    Manganese
& I, C9 x9 m% m! h0 C2 IMnO    5.390     0,467    Manganese Oxide/ {. _0 G. U: G- ]2 P+ |; F
MnS    3.990     0.940    Manganese (11) Sulfide" K( K. h. T: Z6 ]$ r4 [6 U
Mo    10.200     0.257    Molybdenum+ c( H+ C7 Z, K- D  u! z
Mo2C    9.180     *1.000    Molybdenum Carbide" x4 w- _0 {  B0 v1 G$ q
MoB2    7.120     *1.000    Molybdenum Boride
& ]% y% g1 U4 F( }5 J( ~! TMoO3    4.700     *1.000    Molybdenum Trioxdide
) D3 E6 w# T2 f* y- TMoS2    4.800     *1.000    Molybdenum Disulfide# y' H% c) l7 f, O% `
Na    0.970     4.800    Sodium
8 O& n  q; ^. `2 a+ Z% G# ^Na3AlF6    2.900     *1.000    Cryolite
# V  k/ y3 L7 B' K) PNa5Al3F14    2.900     *1.000    Chiolite8 |5 X" u, m8 M) X. x) m
NaBr    3.200     *1.000    Sodium Bromide
; u0 Z, G! k& B) C/ {) @8 ^NaCl    2.170     1.570    Sodium Chloride
; U) z& L4 `0 LNaClO3    2.164     1.565    Sodium Chlorate6 U. I0 D& D$ W# }# s  R
NaF    2.558     0.949    Sodium Fluoride# t, s7 X) i, y8 D1 u
NaNO3    2.270     1.194    Sodium Nitrate
/ v! ^6 j7 T" u2 J2 s; NNb    8.578     0.492    Niobium (Columbium)
- f6 l5 J+ E: t- A  z/ f( H$ `Nb2O3    7.500     *1.000    Niobium Trioxide
, k) N4 m$ H  \% W6 `! lNb2O5    4.470     *1.000    Niobium (V) Oxide
  f* i( y, f. |; }1 SNbB2    6.970     *1.000    Niobium Boride# d/ o# j7 p. A# v2 l5 D/ I: K% s3 i
NbC    7.820     *1.000    Niobium Carbide
3 E+ t6 ~; g3 G0 j2 l6 {; O& bNbN    8.400     *1,000    Niobium Nitride
: N8 s8 \$ F. HNd    7.000     *1.000    Neodynium
8 T$ i' N( I3 v) e' t7 R' rNd2O3    7.240     *1.000    Neodynium Oxide) |! T; _3 }* _; X
NdF3    6.506     *1.000    Neodynium Fluoride5 }" d* u2 f5 }9 o2 M
Ni    8.910     0.331    Nickel
. p; ]" e) t# j- U$ UNiCr    8.500     *1.000    Nichrome) E8 L. T( a  s9 ^, K+ D" S0 W
NiCrFe    8.500     *1.000    Inconel& }! h8 a7 v5 Q
NiFe    8.700     *1.000    Permalloy
1 J! Y' c# `/ r* c. B5 z7 K) _  cNiFeMo    8.900     *1.000    Supermalloy( o! z$ P7 p. Z
NiO    7.450     *1.000    Nickel Oxide
% p* w: G' A) y' t0 W9 {& B6 }" FP3N5    2.510     *1.000    Phosphorus Nitride
' r0 E- O5 g# n% K( D, UPb    11.300     1.130    Lead" U) k( O- J. W; _
PbCl2    5.850     *1.000    Lead Chloride
1 D* I5 `8 I1 t7 w& t6 ZPbF2    8.240     0.661    Lead Fluoride; ?9 {/ ~# I- Q: v' O
PbO    9.530     *1.000    Lead Oxide
, W$ J2 ]7 R. Z0 s+ kPbS    7.500     0.566    Lead Sulfide
  t2 G/ _2 J% Z) D8 Z! Z9 e5 FPbSe    8.100     *1.000    Lead Selenide
; z  q& G/ e& @8 u/ {* d2 I1 E8 XPbSnO3    8.100     *1.000    Lead Stannate
- z6 F# o2 O5 O) G$ l5 U1 LPbTe    8.160     0.651    Lead Telluride
! g2 y+ D4 C, G2 I: Z$ qPb2TiO3    7.500     1.160    Lead Titanate  Z/ |8 e8 D6 x& p
Pd    12.038     0.357    Palladium# v' Y7 i, R& M  I4 M
PdO    8.310     *1.000    Palladium Oxide" @! {9 o1 g3 o# [& a
Po    9.400     *1.000    Polonium2 Y1 t7 z) V, h1 d
Pr    6.780     *1.000    Praseodymium6 c1 k. E' P5 z" q. G& a8 g
Pr2O3    6.880     *1.000    Praseodymium Oxide
& f2 d) z; d0 D2 Z, F$ EPt    21.400     0.245    Platinum
) k5 `  U  N% [+ ~PtO2    10.200     *1.000    Platinum Oxide
0 k+ c: {! E. l4 W, z0 H/ ]/ `Ra    5.000     *1.000    Radium
7 e) y" o! L9 s; _Rb    1.530     2.540    Rubidium
4 B5 O7 ~9 \) R0 ]- G( q3 nRbl    3.550     *1.000    Rubidium Iodide1 W8 z2 b# ^5 |* u2 d+ P) J9 Q7 p6 N
Re    21.040     0.150    Rhenium
; l+ k* T3 T9 K* l1 J& J1 DRh    12.410     0.210    Rhodium
3 d( j3 D. u/ r" VRu    12.362     0.182    Ruthenium
8 I2 o! W  t/ A! K) O" X2 _S8    2.070     2.290    Sulphur- b: @% g" |* g0 @: ^0 o
Sb    6.620     0.768    Antimony
, f2 u7 m' ^) A! I4 v1 y' ^! MSb2O3    5.200     *1.000    Antimony Trioxide6 g# U$ v; Z0 e* F/ p
Sb2S3    4.640     *1.000    Antimony Trisulfide
+ a* P4 h0 f( \3 E5 T1 J: PSc    3.000     0.910    Scandium
+ ~3 Z* |$ z0 s& P) a) nSc203    3.860     *1.000    Scandium Oxide
7 C) w) R6 i1 L' h6 e" tSe    4.810     0.864    Selenium' ^" E9 X1 o) q( M! V
Si    2.320     0.712    Silicon. Z! l* t. b9 W! W1 {' t7 p8 G. S
Si3N4    3.440     *1.000    Silicon Nitride8 I% ~" U4 o/ Z3 p9 C0 W' @7 b
SiC    3.220     *1.000    Silicon Carbide- ^1 W; L' q/ @
SiO    2.130     0.870    Silicon (II) Oxide
5 K# ?) i) m7 V8 fSiO2    2.648     1.000    Silicon Dioxide2 p. e7 G5 s; T$ c  V. x
Sm    7.540     0.890    Samarium
6 @) G4 A5 W( W0 c5 wSm2O3    7.430     *1.000    Samarium Oxide
0 E( s0 r+ u$ |3 J9 x) }9 h$ s8 jSn    7.300     0.724    Tin0 T9 _: n) H% \- }" R; U
SnO2    6.950     *1.000    Tin Oxide4 U$ A6 z8 M9 m9 O
SnS    5.080     *1.000    Tin Sulfide" x& ]8 a8 V& c* @" h8 a/ L
SnSe    6.180     *1.000    Tin Selenide' Y* G0 D' z$ m) ~
SnTe    6.440     *1.000    Tin Telluride
7 j$ g: n* d% t9 C' @Sr    2.600     *1.000    Strontium0 B8 J$ l7 a' y6 i; T5 E% R" _
SrF2    4.277     0.727    Strontium Fluroide
, W2 [% y# }1 ?( l1 iSrTiO3    5.123     0.310    Strontium Trranate
$ O( G& z' z+ u' |1 LSrO    4.990     0.517    Strontium Oxide! r* g& z! h( o& H" O7 b( v9 H
Ta    16.600     0.262    Tantalum8 U/ ]6 O; {$ X( V0 J& D# _! y4 R
Ta2O5    8.200     0.300    Tantalum (V) Oxide
# z$ O7 ]  h7 F# N& CTaB2    11.150     *1.000    Tantalum Boride: {) j( {/ J0 m2 {! p, _
TaC    13.900     *1.000    Tantalum Carbide& _% W9 y# j7 _3 U/ G
TaN    16.300     *1.000    Tantalum Nitride
$ K2 l$ Y; d) e  |4 BTb    8.270     0.660    Terbium, Z0 I) m6 U& i, A+ I
Tc    11.500     *1.000    Technetium
: s- e6 D- K8 c8 D* S4 fTe    6.250     0.900    Tellurium7 Z) z. _( e0 w& o
TeO2    5.990     0.862    Tellurium Oxide
4 g, D9 ?6 {* i! jTh    11.694     0.484    Thorium. Q- j4 ~. q; Y0 p' ?2 _
ThF4    6.320     *1.000    Thorium (IV) Fluoride
' I1 m/ H* n7 l2 b) mThO2    9.860     0,284    Thorium Dioxide
( b3 y; [8 R) Q/ F: k+ z2 wThOF2    9.100     *1.000    Thorium Oxyfluoride
- V9 R: _2 V" |9 q" ZTi    4.500     0.628    Titanium$ Z8 L9 @- @6 g) d2 m
Ti2O3    4.600     *1.000    Titanium Sesquioxide. n. i3 W1 T$ G; x. u: f/ e
TiB2    4.500     *1.000    Titanium Boride0 l, f2 Z' t, h1 R- b# L
TiC    4.930     *1.000    Titanium Carbide
% F3 \" Y5 {7 l8 t  R* G% xTiN    5.430     *1.000    Titanium Nitride
4 o1 Q9 k8 A# p  p7 OTiO    4.900     *1.000    Titanium Oxide
& h" j( B0 ^0 C* k, M: }" U& ~TiO2    4.260     0.400    Titanium (IV) Oxide
3 N) M$ x8 v, y) i  z; ^# U9 _, r: @TI    11.850     1.550    Thallium
6 D/ O9 m3 y$ ]6 L, uTIBr    7.560     *1.000    Thallium Bromide
# n3 y8 U+ X5 ~8 jTICl    7.000     *1.000    Thallium Chloride. f1 e* I2 |" x1 V/ F
TII    7.090     *1.000    Thallium Iodide (B)
: f3 h" k- e$ V9 e8 J4 FU    19.050     0.238    Uranium
% N+ F0 L: s/ r1 b+ ?$ j; KU4O9    10.969     0.348    Uranium Oxide
2 t. K& K6 X& \9 C  V9 hUO2    10.970     0.286    Uranium Dioxide
& j7 O4 L( _7 K" H4 w9 f1 [U3O8    8.300     *1.000    Tri Uranium Octoxide. N6 R+ g% r+ ?$ k/ S$ m$ V- v
V    5.960     0.530    Vanadium; h& I6 s2 N3 @- \; z, V: k
V2O5    3.360     *1.000    Vanadium Pentoxide. W1 D. ?+ R( `
VB2    5.100     *1.000    Vanadium Boride- n7 x* o) Z: O3 I- P
VC    5.770     *1.000    Vanadium Carbide
6 h3 E* S3 A$ Q* ~, y7 aVN    6.130     *1.000    Vanadium Nitride
3 @' ]/ e! A1 j2 l5 h$ ?8 RVO2    4.340     *1.000    Vanadium Dioxide
4 N, o6 T/ m# k8 nW    19.300     0.163    Tungsten) y" ^3 ?  M+ Q- i0 W
WC    15.600     0.151    Tungsten Carbide
& \- R  Q" o" l0 z' U0 J- L# HWB2    10.770     *1.000    Tungsten Boride
4 A  H* ^% L  j; bWO3    7.160     *1.000    Tungsten Trioxide
/ A8 C0 P8 I4 x4 G" s4 E. O2 m9 DWS2    7.500     *1.000    Tungsten Disulphide
2 I: U9 A% ^& D2 o3 i4 C7 z8 LWSi2    9.400     *1.000    Tungsten Silicide" A  \) J8 [9 q) z) w) b% a
Y    4.340     0.835    Yttrium3 r  ~$ ^  i- B# _7 k" B
Y2O3    5.010     *1.000    Yttrium Oxide
% z! I# m6 ?: p; m+ E) D; pYb    6.980     1.130    Ytterbium
3 m" j$ ?" Q1 pYb2O3    9.170     *1.000    Ytterbium Oxide0 o2 r+ {- P, D  w$ x6 W
Zn    7.040     0.514    Zinc
" ~( H1 Q- S) k2 `* d# M# qZn3Sb2    6.300     *1.000    Zinc Antimonide
, w4 z# k- o6 ^& j7 TZnF2    4.950     *1.000    Zinc Fluoride
. m0 x# z, K6 g% n& wZnO    5.610     0.556    Zinc Oxide
( b; f6 n, b. k: bZnS    4.090     0.775    Zinc Sulfide! }& g/ s8 ~) I$ ?
ZnSe    5.260     0.722    Zinc Selenide0 x( g$ ], I, ?' J
ZnTe    6.340     0.770    Zinc Telluride4 O+ T% o, h3 a* d
Zr    6.490     0.600    Zirconium# ?- ?  q* J% {. P- P0 ]
ZrB2    6.080     *1.000    Zirconium Boride
. l( o4 R% q5 oZrC    6.730     0.264    Zirconium Carbide" d3 Z* h" K0 l  i
ZrN    7.090     *1.000    Zirconium Nitride
& x0 i+ O8 @3 G) F; iZrO2    5.600     *1.000    Zirconium Oxide

评分

参与人数 2威望 +20 收起 理由
zyp + 10 优秀文章
gds + 10

查看全部评分

 楼主| 发表于 2007-4-17 06:31:02 | 显示全部楼层
謝了, 交個朋友
5 L' W' P+ O6 P; Q+ }7 n1 l( F- e" u9 v# d* D& s+ @
13424538153
发表于 2008-11-6 23:40:01 | 显示全部楼层
楼上的谢谢了,我正好也在找这个东西
发表于 2009-2-18 10:25:20 | 显示全部楼层
楼上的谢谢了,我正好也在找这个东西
发表于 2009-2-27 23:47:48 | 显示全部楼层
阻抗和机台没有关系吗?谢谢楼主
发表于 2009-3-28 11:31:09 | 显示全部楼层
谢谢二楼分享!
发表于 2009-4-12 00:34:08 | 显示全部楼层
谢谢2楼的回答
发表于 2009-4-28 10:24:12 | 显示全部楼层
谢谢,我也分享了
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

本站邀请注册说明!

小黑屋|手机版|Archiver|光学薄膜信息网  

GMT+8, 2024-5-14 09:39 , Processed in 0.037222 second(s), 22 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

Copyright © 2001-2021, Tencent Cloud.

快速回复 返回顶部 返回列表