zitong
发表于 2010-2-25 21:44:07
如何提高SiO2薄膜的折射率
目前在做的SiO2薄膜采用ECR Plasma CVD方法，反应气体为SiH4，O2，Ar，折射率不到1.46，反映气体压强8torr。想提高到1.47以上，怎么改善工艺呢？麻烦知道的告诉一声，不胜感激！
zitong
发表于 2010-3-1 22:08:18
还是我自己回答吧，希望对以后碰到此问题的人有帮助。目前我做的是提高Si：O比可以提高折射率。但是目前还不知道这样改变对粘附性有多大影响。
huixiumei
发表于 2010-3-12 03:22:14
学习了，谢谢
yifeng602
发表于 2010-6-3 17:14:29
学习了，谢谢
caiyongzhi
发表于 2010-8-7 15:25:14
减少O2的量就行了，应该对粘附没有多大的影响
livechen
发表于 2010-8-20 23:44:17
路过，学习
le200571
发表于 2011-2-21 17:18:31
这个很有用，看看，谢谢
weimao_liu
发表于 2011-2-22 00:21:07
支持，就顶一下！
mxbplayboy
发表于 2011-4-5 12:28:26
学习中
accost
发表于 2013-11-21 21:26:20
氧气量/氩气量！
