美国真空镀膜学会43届年会部分论文摘要（二）

xx_912 · 发表于 2006-8-24 01:54:15

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<title>真空镀膜机的操作系统中</title>

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五、透明导电氧化物（包括ITO）在软、硬基底上的沉积 

RE Rreece et al(Materials Research Group Inc. 美国) 

 透明氧化物导电膜（TCO）同时具有很高的光透过率（>85%）和与金属相似的导电性。用于平板显示器件的在玻璃基底上的沉积的TCO膜的月产量已达几十万平方米。随着显示器和电子工业的持续发展，期望沉积在聚合物的基底上的TCO膜具有同样的性能是极其必要的。然而，在软聚合物基底上沉积透明导电的TCO膜的过程在文献中介绍的不多。研究了在玻璃和聚合物基底上沉积ITO膜的方法。相对于在玻璃上ITO膜的沉积条件透过率大于85%和电阻率小于15 /□而言,在带裂纹的塑料上镀ITO膜会降低透过率和增加电阻率。随着溅射沉积条件的变化了，在无裂纹的塑料上镀制的ITO膜的性能已与玻璃上镀的ITO膜大致相同。其次，在溅射系统上已经制成闭回路控制装置。介绍了沉积过程由闭回路控制的在玻璃和塑料上镀制的各种不同的ITO膜。 

 

六、用中频反应磁控溅射法制备高沉积率的多功能透明导电氧化物膜 

B Szyszka（Fraunhofer Institute for Surface Engineering and Thin Film，德国） 

研制了一个新型的用反应溅射法制备的低廉的透明导电氧化物膜。采用中频反应磁控溅射法制备了Al-ZnO膜，沉积速率为9 nm/s，基底温度为100-200℃。已用氧流量的调节、等离子体的控制保证了金属模具上沉积的稳定性。除用Al含量为0.9%-2.9%（重量比）的金属Zn：Al靶。这个方法制备的ZnO：Al膜在基底温度为200℃时，电阻率低达3×10-4Ω·cm，基底温度为100℃时，电阻率为4.8×10-4Ω·cm。这些薄膜的光学、电学和结构特性已用光学显微镜（紫外——红外）、可变视角显微椭圆仪、X射线衍射仪、原子力显微镜、霍尔可变电阻仪、电导测量仪进行分析。已采用具有化学特征的电探针微区分析和二次离子质谱仪。详细介绍了不同技术领域所用的这类薄膜的特性。 

 

七、眼科手术专用导电减反射膜的研制 

R Blacker et al（SOLA International，美国） 

静电粉尘吸引是眼科手术中颇为头疼的问题。采用电绝缘聚合物材料制作的现代的透镜会产生静电积累。采用减反射膜可以克服这个问题，不仅防止静电的积累，而且具有防止静电吸引粉尘的较强的光。这类导电减反射膜解决了眼科手术中静电积累的影响问题。 

 

八、氧化物膜的高精密沉积 

G Clarxe et al（Optical coating Lab.，美国） 

当柱形基底鼓的尺寸较大时，通过分离金属沉积和氧化区会获得氧化物的高沉积速率。金属溅射允许一个稳定的沉积过程。这项工艺提供的连续过程已经增加了全过程的精确性和稳定性。采用的双阴极交流溅射减少了SiO2的阳极徘徊问题，结果减少了厚度随靶长的变化而变化的问题。对于原子量大的材料已选用更强的磁控，其结果是降低了漂移速率，使靶的工作时间增加3倍。稳定性的增加导致总工作时间的延长。尽管减少了为保证很好的均匀性以及下一个同时控制均匀性和速率工序所必须的机械调节时间。高产额增加产量而降低成本。用于显示器件的复合多层膜（25-40层）的专项实验和理论分析相符合。 

 

九、玻璃切割时价昂的ITO 膜的可靠性 

Y M Huang et al（Wintek 公司，中国台湾） 

玻璃切割工艺经常在液晶生产中应用。玻璃切割后包装对于外表精美的高计数率IC 卡来说是必须的。可以有效地降低重量和LCD模块成本。玻璃切割组装工艺中，用超紫外光去除ITO膜上的油脂和硅胶，以防腐蚀。ITO膜采用支流磁控溅射制备。不同的包装材料用湿法覆盖在ITO 玻璃上。动力学环境试验表明采用外包装的ITO膜的腐蚀率与包装时的湿度、温度有关。说明清洗各种外包装材料后，水蒸气透过率与外包装材料的PH值之间的关系。

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