GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生长

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　　摘　要：本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3（0001）复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3（0001）复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿（111）方向择优生长,晶体质量较高.

# f7 v3 W: c$ ]4 e$ @ 　　关键词：化学气相淀积;Ge薄膜;GaN;金属In

& v! y; p$ K9 P& e3 J+ A6 N% i 　　分类号：TN304.055　文献标识码：A

　　文章编号：1672-7126（2008）增刊-009-04
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　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3（0001） Substrates
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0 v  f2 u& n) V; r 　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao

7 [$ n4 L9 R  U5 {9 b* r 　　基金项目：国家重点基础研究发展规划（No.2006CB604900）;国家高技术研究发展规划（No.2006AA03A103,2006AA03A142）;国家自然科学基金（No.60421003）;高等学校博士学科点专项科研基金（No.20050284004）和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金（No.9140C1404010605）
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　　作者简介：韩平,联系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn
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　　作者单位：王荣华（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　韩平（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

/ T0 Z9 W  {# ^ 　　曹亮（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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, U# j' V9 V8 u6 ^7 W 　　梅琴（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　吴军（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　葛瑞萍（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　谢自力（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　陈鹏（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

6 S" r  k- E( j0 ~: J* P# I: s 　　陆海（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

- d$ ~$ J% v; a5 i& [ 　　顾书林（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

! N5 s1 [2 A9 _( e. y% z" T1 } 　　张荣（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

* A: w3 w& [" T( O* N; I 　　郑有��（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

参考文献：

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