GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生长

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　　摘　要：本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3（0001）复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3（0001）复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿（111）方向择优生长,晶体质量较高.

8 A3 f  @# R$ S( X- \ 　　关键词：化学气相淀积;Ge薄膜;GaN;金属In

　　分类号：TN304.055　文献标识码：A

, ?, X& U& X5 m% b 　　文章编号：1672-7126（2008）增刊-009-04

* N7 q3 O  y# |& L  x5 q, F% ~8 O( H 　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3（0001） Substrates
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　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao
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0 ^( h; N  {/ R* q2 ?7 q1 c 　　基金项目：国家重点基础研究发展规划（No.2006CB604900）;国家高技术研究发展规划（No.2006AA03A103,2006AA03A142）;国家自然科学基金（No.60421003）;高等学校博士学科点专项科研基金（No.20050284004）和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金（No.9140C1404010605）

　　作者简介：韩平,联系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn
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7 _$ ~1 d" N! Q 　　作者单位：王荣华（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　韩平（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　曹亮（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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3 y8 g  M; S& y3 f6 g! r( J 　　梅琴（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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( F3 x( I' P6 K2 t2 ?& V+ K 　　吴军（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　葛瑞萍（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　谢自力（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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/ Z9 t# H# c4 S1 X$ D0 I$ U5 D8 y 　　陈鹏（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

+ N  l6 L$ S5 o4 o$ \ 　　陆海（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　顾书林（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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, q  D8 ~- a/ X 　　张荣（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　郑有��（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

参考文献：
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