GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生长

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　　摘　要：本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3（0001）复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3（0001）复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿（111）方向择优生长,晶体质量较高.

3 A. Q" o& o2 S* W2 M8 x 　　关键词：化学气相淀积;Ge薄膜;GaN;金属In
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　　分类号：TN304.055　文献标识码：A

9 s) \. ]! [9 @! W! C. x 　　文章编号：1672-7126（2008）增刊-009-04

% E2 E7 W0 V7 O( v& k: J5 R5 B$ A 　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3（0001） Substrates
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　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao

　　基金项目：国家重点基础研究发展规划（No.2006CB604900）;国家高技术研究发展规划（No.2006AA03A103,2006AA03A142）;国家自然科学基金（No.60421003）;高等学校博士学科点专项科研基金（No.20050284004）和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金（No.9140C1404010605）

　　作者简介：韩平,联系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn

　　作者单位：王荣华（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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* h% T- X7 p- O! c2 Q3 I 　　韩平（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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; s) H8 O; p9 z" T& E( n. S( r 　　曹亮（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　梅琴（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

! e' Q" r2 ~+ @8 l3 J 　　吴军（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　葛瑞萍（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　谢自力（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

4 T* |, Q( g' S3 r* L 　　陈鹏（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

$ b, {6 O6 N0 ]8 U, u. B8 m  p* x, z' s 　　陆海（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　顾书林（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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9 P1 X) W- ]3 I9 b0 E7 a 　　张荣（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

3 S, {$ c2 T/ x0 O4 N" p 　　郑有��（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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