GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生长

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　　摘　要：本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3（0001）复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3（0001）复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿（111）方向择优生长,晶体质量较高.

( _6 N# D, A) O+ l# y& c4 k; w( p( b' { 　　关键词：化学气相淀积;Ge薄膜;GaN;金属In
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  n, T! W& ^3 u+ D# o, @ 　　分类号：TN304.055　文献标识码：A
1 X& z, A9 h* y3 Q$ s+ J1 C. u0 }
* @+ R( X  Z2 J5 b2 ] 　　文章编号：1672-7126（2008）增刊-009-04
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　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3（0001） Substrates

$ c1 N) R" [$ g  ] 　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao

% L5 G2 m8 w( ?6 {- y; p 　　基金项目：国家重点基础研究发展规划（No.2006CB604900）;国家高技术研究发展规划（No.2006AA03A103,2006AA03A142）;国家自然科学基金（No.60421003）;高等学校博士学科点专项科研基金（No.20050284004）和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金（No.9140C1404010605）

　　作者简介：韩平,联系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn

2 a" D, h8 D2 _9 f; ? 　　作者单位：王荣华（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　韩平（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　曹亮（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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+ S' V6 H, Z- {( |( v 　　梅琴（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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5 H9 R8 M9 l/ b! b8 J2 x 　　吴军（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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% L8 }& l- g: U) @1 q- C! c0 [, k; D 　　葛瑞萍（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
/ d, V0 i9 d4 w( s7 M5 K( \
0 j. N& Z5 N4 f# n2 @ 　　谢自力（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　陈鹏（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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' i+ Z7 T- ?2 [' r% c( U8 q) R 　　陆海（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

/ W, ~7 M7 D* d- R6 M' V 　　顾书林（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
9 k8 h2 z6 S, L0 M0 Z
　　张荣（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　郑有��（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

参考文献：
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