GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生长

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　　摘　要：本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3（0001）复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3（0001）复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿（111）方向择优生长,晶体质量较高.
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　　关键词：化学气相淀积;Ge薄膜;GaN;金属In
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1 P6 t6 R! `+ H 　　分类号：TN304.055　文献标识码：A
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　　文章编号：1672-7126（2008）增刊-009-04
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! L+ A9 u7 Y9 @- ]* v 　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3（0001） Substrates

　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao

　　基金项目：国家重点基础研究发展规划（No.2006CB604900）;国家高技术研究发展规划（No.2006AA03A103,2006AA03A142）;国家自然科学基金（No.60421003）;高等学校博士学科点专项科研基金（No.20050284004）和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金（No.9140C1404010605）

　　作者简介：韩平,联系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn

　　作者单位：王荣华（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

6 x9 j2 p6 d' D5 K$ @ 　　韩平（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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$ T& M  r. n$ F& H$ E* q. B 　　曹亮（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

$ s3 Y2 V0 \7 W1 \$ y4 p* V" y6 p 　　梅琴（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　吴军（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
6 S% g  j: j4 A  A4 M
2 z; h3 G9 ~) p$ R' u 　　葛瑞萍（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　谢自力（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

; ?4 c) i. b/ F( V8 ` 　　陈鹏（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　陆海（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

/ K2 Q& p/ R' t. Q1 \ 　　顾书林（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　张荣（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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2 p' C8 ~+ w" a3 u3 k# N6 ? 　　郑有��（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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