SiO2光学薄膜的吸收边特性

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摘要： 二氧化硅(SiO2)是光学系统中最常用光学薄膜材料之一,其微观结构、缺陷等信息对于研究和提高薄膜的性能具有重要作用.本文通过电子束蒸发、离子辅助、磁控溅射方法制备SiO2薄膜并进行测试,计算出其吸收边光谱,对吸收边光谱的强吸收区、e指数区、弱吸收区进行分段分析得到SiO2薄膜的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量数据.进一步分析三种薄膜和其在常规退火温度下的带隙宽度、带尾能量和氧空位缺陷含量的数据,获得SiO2薄膜的微观原子排列结构、微观缺陷信息,并对不同镀膜技术和不同退火温度下SiO2薄膜的原子排列结构、微观缺陷的差异和变化进行了分析和讨论.

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