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专利名称一种红外滤光片的制作方法8 ? ?' B3 I5 T9 `
技术领域本实用新型涉及滤光片,具体地,涉及干涉滤光片,尤指一种红外带通滤光片。
' K/ p7 V) r. ?0 C9 Q( H7 w光学薄膜滤光片是一种重要的分光器件,它的应用已深入到航空航天遥感、激光、通讯、分析仪器等许多科技领域。由于许多光学薄膜材料的光学性能会随着环境温度的变化而变化,因此,当光学薄膜器件在低温或环境温度不断变化的情况下使用时,光学薄膜器件光学特性会随着环境温度的变化而发生变化。这种变化主要表征为薄膜器件的峰值透过率发生变化,截止波长或中心波长的位置发生漂移,带宽改变等。对于环境温度变化较大,精度要求较高的光学仪器来说,这种变化会对系统产生严重的影响,甚至使得仪器失效。因此,要提高这类光学仪器的稳定性、可靠性和抗环境干扰能力,就必须解决其光学性能随温度变化的问题,提高光学薄膜器件的温度稳定性。( j7 g. [0 [0 J- {4 O, ?$ _, d
本实用新型的目的,是提供一种在4μm~20μm之间工作的红外滤光片,它的中心波长在77K~300K范围内不随温度变化。% H" A7 k3 W$ z, i R
本实用新型是这样实现的,即,以表面抛光的锗板作为基板,在其表面交替镀有多层碲锗铅膜层和硒化锌膜层,其中,该多层干涉膜的主通带膜系为Ge|3L2H3LH3L2H3LH3L2H4L|Air,式中各符号含义分别为Ge表示锗基板;H表示光学厚度为Λ0/4的碲锗铅膜层;L表示光学厚度为Λ0/4硒化锌膜层;Λ0为工作波长,Air表示空气。, d2 F' p; Q% n1 a
以下结合附图对本实用新型的具体实施方式
, i5 G( y' Z$ F$ m作进一步的详述。5 W% l( \0 I7 \" R
附图说明
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图1是本实用新型滤光片的结构示意图;图2是本实用新型滤光片的主通带变温光谱曲线图。- y8 v$ [9 z" ?0 }7 }
参阅
7 q- W# Y& t* C9 G( _. ]* [2 i图1,本实用新型滤光片包括一块基板1,在该基板1的表面镀有多层干涉薄膜层2、3,具体地,本实用新型以表面抛光的锗板作为基板1,其外形可视实际需要而定,厚度介于0.5毫米-1.5毫米之间。基板1表面的多层干涉薄膜层2、3系由交替间隔的硒化锌膜层2和碲锗铅膜层3组成,可以通过热蒸发的方式,在基板上真空沉积而成。4 L9 C! @9 k k' b' V- I
本实用新型由硒化锌膜层2和碲锗铅膜层3组成的主通带膜系4设计为Ge|3L2H3LH3L2H3LH3L2H4L|Air,式中各符号含义分别为Ge表示锗基板;H表示光学厚度为Λ0/4的碲锗铅膜层;L表示光学厚度为Λ0/4硒化锌膜层;Λ0为工作波长,Air表示空气。
$ r: f& }8 O" a$ @/ P由图2可知,本实用新型滤光片,在78K和300K的环境温度下,其中心波长、带宽不随温度变化,具有稳定的光谱特性。因此,若将其用在分析仪器下,可以大大地提高仪器的稳定性,增加仪器的抗环境干扰能力。
8 x4 O: v! Y" t# ^; j; @3 @此外,本实用新型还具有如下的有效益效果。: y. e/ x& S% _3 D; z/ }* y! K4 X
1、本实用新型提供了一种带通滤光片,它只选择透过特定的光谱带,从而提高仪器的信噪比。该滤光片的工作波长可根据需要在4μm到20μm之间。/ j; X$ i9 e2 K8 u. S" f% ?
2、由于本实用新型自身具有很高的温度稳定性,因此避免了在仪器中附加滤光片使用温度控制装置,简化了仪器的结构,节约了仪器的功耗。
+ c6 B4 |+ c$ u' i5 m3、该滤光片适宜批量生产,产品的膜层牢固,可经受低温冲击,划片切割等工艺。
0 ]- x2 ^& n6 L权利要求1.一种红外滤光片,包括一表面抛光的锗基板(1),其表面交替镀有多层硒化锌膜层(2)和碲锗铅膜层(3),其特征是,由该硒化锌膜层(2)和碲锗铅膜层(3)组成的主通带膜系为Ge|3L2H3LH3L2H3LH3L2H4L|Air,式中各符号含义分别为Ge表示锗基板;H表示光学厚度为Λ0/4的碲锗铅膜层;L表示光学厚度为Λ0/4硒化锌膜层;Λ0为工作波长,Air表示空气。* w6 S, F! w$ T2 z$ W( G1 Z& U z
专利摘要一种红外滤光片,以锗为基板,碲锗铅和硒化锌为镀膜材料,用真空蒸镀干法膜的方法制备而成。在77K~300K的范围内,该滤光片的中心波长、带宽不随温度变化,具有良好的温度稳定性。该滤光片可在环境温度不断变化的情况下使用,如:空间遥感、气体分析中环境温度变化的地方,该滤光片能够大大地提高仪器的稳定性,增强仪器的抗环境干扰能力。
, P; e$ Z8 f- w; E2 o" I- S文档编号G02B5/28GK2387550SQ99226998 e; J* z% ]0 ` S; R( R( B* P
公开日2000年7月12日 申请日期1999年6月18日 优先权日1999年6月18日- k3 \/ ], ?3 ~5 s. Y5 ~
发明者范滨, 张风山, 张素英, 朱玲心, 张麟, 黄泳宝 申请人:中国科学院上海技术物理研究所
& ~' e8 F7 X. s1 g% p' e' uX技术网 原文链接:http://www.xjishu.com/zhuanli/20/99226998.html
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