常用镀膜材料性质!!

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薄膜1. 應用和參數
' P7 j1 J, a% k/ g    三氧化二釔，（Y2O3）使用電子槍蒸鍍，該材料性能隨膜厚而變化，在500nm時折射率約為1.8.用作鋁保護膜其極受歡迎,特別相對於800-12000nm區域高入射角而言,可用作眼鏡保護膜,且24小時暴露於濕氣中.一般為顆粒狀和片狀.
/ U, D0 t/ [$ k5 U2 ]5 D$ P透光範圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源應用蒸氣成分250--8000 1．79 2300--2500 電子槍防反膜，鋁保護膜
8 L) z/ f) K9 {+ q3 n! g/ w! c二氧化鈰
& y. {) s# ^0 n' y    （CeO2）使用高密度的鎢舟皿(較早使用)蒸發,在200℃的基板上蒸著二氧化鈰,得到一個約為2.2的折射率,在大約3000nm有一吸收帶其折射率隨基板溫度的變化而發生顯著變化,在300℃基板500nm區域折射率為2.45,在波長短過400nm時有吸收,傳統方法蒸發缺乏緊密性,用氧離子助鍍可取得n=2.35(500nm)的低吸收性薄膜,一般為顆粒狀,還可用一增透膜和濾光片等.
透光範圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源應用雜氣排放量400--16000 2.35 約2000 電子槍 防反膜， 多氧化鎂

3 F. \: [( R$ d    (MgO)必須使用電子槍蒸發因該材料升華,堅硬耐久且有良好的紫外線(UV)穿透性,250nm時n=1.86, 190nm時n=2.06. 166nm時K值為0.1, n=2.65.可用作紫外線薄膜材料.MGO/MgF2膜堆從200nm---400nm區域透過性良好,但膜層被限制在60層以內(由於膜應力)500nm時環境基板上得到n=1.70.由於大氣CO2的干擾,MGO暴露表面形成一模糊的淺藍的散射表層,可成功使用傳統的MHL折射率3層AR膜(MgO/CeO2/MgF2).
硫化鋅
    (ZnS)折射率為2.35, 400-13000nm的透光範圍,具有良好的應力和良好的環境耐久性, ZnS在高溫蒸著時極易升華,這樣在需要的膜層附著之前它先在基板上形成一無吸附性膜層,因此需要徹底清爐,並且在最高溫度下烘乾,花數小時才能把鋅的不良效果消除.hass等人稱紫外線(UV)對ZNS有較大的影響,由於紫外線在大氣中導致15-20nm厚的硫化鋅膜層完全轉變成氧化鋅(ZNO).透光範圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 方式400--14000 2.35 1000--1100 電子槍,鉭鉬舟 防反膜，升華應有:分光膜,冷光膜,裝飾膜,濾光片,高反膜,紅外膜.
- L" k) @) r9 t3 K3 J) r二氧化鈦(TIO2)
TIO2由於它的高折射率和相對堅固性,人們喜歡把這種高折射率材料用於可見光和近紅外線區域,但是它本身又難以得到一個穩定的結果.TIO2, TI2O3. TIO, TI ,這些原材料氧-鈦原子的模擬比率分別為:2.0, 1.67, 1.5, 1.0, 0. 后發現比率為1.67的材料比較穩定並且大約在550nm生成一個重複性折射率為2.21的堅固的膜層,比率為2的材料第一層產生一個大約2.06的折射率,後面的膜層折射率接近於2.21.比率為1.0的材料需要7個膜層將折射率2.38降到2.21.這幾種膜料都無吸收性,幾乎每一個TIO2蒸著遵循一個原則:在可使用的光譜區內取得可以忽略的 吸收性,這樣可以降低氧氣壓力的限制以及溫度和蒸著速度的限制.TIO2需要使用IAD助鍍,氧氣輸入口在擋板下面.
    TI3O5比其它類型的氧化物貴一些,可是很多人認為這種材料不穩定性的風險要小一些,PULKER等人指出,最後的折射率與無吸收性是隨著氧氣壓力和蒸著溫度而改變的,基板溫度高則得到高的折射率.例如,基板板溫度為400℃時在550納米波長得到的折射率為2.63,可是由於別的原因,高溫蒸著通常是不受歡迎的,而離子助鍍已成為一個普遍採用的方法其在低溫甚至在室溫時就可以得到比較高的折射,通常需要提供足夠的氧氣以避免(因為有吸收則降低透過率),但是可能也需要降低吸收而增大鐳射損壞臨界值(LDT).TIO2的折射率與真空度和蒸發速度有很大的關係,但是經過充分預熔和IAD助鍍可以解決這一難題,所以在可見光和近紅外線光譜中,TIO2很受到人們的歡迎. 在IAD助鍍TIO2時,使用屏蔽柵式離子源蒸發則需要200EV,而用無屏蔽柵式離子源蒸發時則需要333EV或者更少一些,在那裡平均能量估計大約是驅動電壓的60%,如果離子能量超過以上數值,TIO2將有吸收.而SIO2有電子槍蒸發可以提供600EV碰撞(離子輻射)能量而沒有什麼不良效應. TIO2/SIO2製程中都使用300EV的驅動電壓,目的是在兩種材料中都使用無柵極離子源,這樣避免每一層都改變驅動電壓,驅動電壓高低的選擇取決於TIO2所允許的範圍,而蒸著速度的高低取決於完全緻密且無吸收膜所允許之範圍. TIO2用於防反膜,分光膜,冷光膜,濾光片,高反膜,眼鏡膜,熱反射鏡等,黑色顆粒狀和白色片狀,熔點:1175℃
1 L/ d7 K- N( {; N- v! g# H' k: b透光範圍(nm) 折射率(N)   500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量400--12000 2.35 2000-2200 電子槍, 防反膜，增透 多
0 v! a! K0 I$ U; D0 JTIO2用於防反膜, 裝飾膜, 濾光片, 高反膜
TI2O3用於防反膜 濾光片 高反膜 眼鏡膜
5 ^2 p* L# U) W3 a氟化釷（ThF4）
   260-12000nm以上的光譜區域，是一種優秀的低折射率材料，然而存在放射性，在可視光譜區N從 1.52降到1.38(1000nm區域)在短波長趨近於1.6,蒸發溫度比MGF2低一些,通常使用帶有凹罩的舟皿以免THF4良性顆粒火星飛濺出去,而且形成的薄膜似乎比MGF2薄膜更加堅固.該膜在IR光譜區300NM小水帶幾乎沒有吸收,這意味著有望得到一個低的光譜移位以及更大的整體堅固性,在8000到12000NM完全沒有材料可以替代.
$ g; H9 @& L! S! a二氧化硅(SIO2)
    經驗告訴我們,,氧離子助鍍(IAD)SIO將是SIO2薄膜可再現性問題的一個解決方法,並且能在生產環境中以一個可以接受的高速度蒸著薄膜.
. O. i; T8 r8 g4 m3 O! dSIO2薄膜如果壓力過大,薄膜將有氣孔並且易碎,相反壓力過低薄膜將有吸收並且折射率變大,,需要充分提供高能離子或氧離子以便得到合乎需要的速度和特性,必要是需要氧氣和氬氣混合充氣,但是這是熱鍍的情況,冷鍍時這種性況不存在.
SIO2用於防反膜,冷光膜,濾光片,絕緣膜,眼鏡膜,紫外膜.透光範圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量200--2000 1.46 1800-2200 電子槍, 防反膜，增透 少,升華
- V& z) o$ W" R) e# v. l( K無色顆粒狀,折射率穩定,放氣量少,和OS-10等高折射率材料組合製備截止膜,濾光片等.
一氧化硅(SIO)
( d* j0 p1 V' g) K2 d) J6 ]    透光範圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量600--8000 1.55at550nm1.8at1000nm1.6at7000nm 1200-1600 電子槍,鉭鉬舟 冷光膜裝飾膜保護膜升華，製程特性:棕褐色粉狀或細塊狀.熔點較低,可用鉬舟或鈦舟蒸發,但需要加蓋舟因為此種材料受熱直接升華.使用電子槍加熱時不能將電子束直接打在材料上而採用間接加熱法.製備塑料鏡片時,一般第一層是SIO,可以增加膜的附著力.
6 V3 `- ]5 Y0 {- N7 j1 w, ~OH-5(TIO2+ZrO2)
    透光範圍(nm) 折射率(N)  50nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量300--8000 2.1 約2400 電子槍,增透 一般蒸氣成分為:ZRO,O2,TIO,TIO2呈褐色塊狀或柱狀
尼康公司開發之專門加TS--ェート系列抗反射材料,折射率受真空度,蒸發速率,氧氣壓力的影響很大,蒸鍍時不加氧或加氧不充分時,製備薄膜會產生吸收現象,但是我們在實際應用時沒有加氧也比較好用.
+ ~. m6 G* R5 s( \: K二氧化鎬(ZrO2)
    ZrO2具有堅硬,結實及不均勻之特性,該薄膜有是需要烘乾以便除去它的吸收,其材料的純度及為重要,純度不夠薄膜通常缺乏整體緻密性,它得益於適當使用IAD來增大它的折射率到疏鬆值以便克服它的不均勻性.目前純度達到99.99%基本上解決了以上的問題.SAINTY等人成功地使用ZRO2作為鋁膜和銀膜的保護膜,該膜層(指ZRO2)是在室溫基板上使用700EV氬離子助鍍而得到的.一般為白色柱狀或塊狀,蒸發分子為ZRO,O2.透光範圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量320-7000 2.052.0AT2000 約2500 電子槍,增透,加硬膜眼鏡膜保護膜 一般製程特性:白色顆粒,柱狀,或塊狀,粉狀材料使用鎢舟或鉬舟.顆粒狀,粉狀材料排雜氣量較多,柱狀或塊狀較少.真空度小於2*10-5Torr條件下蒸發可得到較穩定的折射率，真空度大於5*10-5Torr時蒸發，薄膜折射率逐漸變小。蒸鍍時加入一定壓力的氧氣可以改善其材料之不均勻性。
0 K; b" c8 a6 _- O7 U8 P6 I氟化鎂（MgF2）
    MGF2作為1/4波厚抗反射膜普遍使用來作玻璃光學薄膜，它難以或者相對難以溶解，而且有大約120NM真實 紫外線到大約7000nm的中部紅外線區域里透過性能良好。OLSEN，MCBRIDE等人指出從至少200NM到6000NM的區域里，2.75MM厚的單晶體MGF2是透明的,接著波長越長吸收性開始增大,在10000NM透過率降到大約2%,雖然在8000-12000NM區域作為厚膜具有較大的吸收性,但是可以在其頂部合用一薄膜作為保護層.不使用IAD助鍍,其膜的硬度,耐久性及密度隨基板的溫度的改變而改變的.在室溫中蒸鍍,MGF2膜層通常被手指擦傷,具有比較高的濕度變化.在真空中大約N=1.32,堆積密度82%,使用300（℃）蒸鍍,其堆積密度將達到98%,N=1.39它的膜層能通過消除裝置的擦傷測試並且溫度變化低,在室溫與300（℃）之間,折射率與密度的變化幾乎成正比例的. 在玻璃上冷鍍MGF2加以IAD助鍍可以得到300（℃）同等的薄膜,但是125-150EV能量蒸鍍可是最適合的.在塑料上使用IAD蒸鍍幾乎強制獲得合理的附著力與硬度.經驗是MGF2不能與離子碰撞過於劇烈.透光範圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量2000-7000 1.381.35AT200 約1100 電子槍,鉬鉭鎢舟 增透,加硬膜眼鏡膜 少,MGF2、(MGF2)2製程特性:折射率穩定,真空度和速率對其變化影響小預熔不充分或蒸發電流過大易產生飛濺,造成鏡片"木"不良.在打開檔板后蒸發電流不要隨意加減,易飛濺.基片須加熱到高的張應力白色顆粒狀,常用於抗反射膜,易吸潮.購買時應考慮其純度.
( i( N& y# B+ w三氧化二鋁(AL2O3)
    普遍用於中間材料,該材料有很好的堆積密度並且在200-7000NM區域的透明帶,該製程是否需要加氧氣以試驗分析來確定,提高基板溫度可提高其折射率,在鍍膜程式不可理更改情況下,以調整蒸發速率和真空度來提高其折射率.透光範圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量200-7000 1.63 2050 電子槍, 增透,保護膜眼鏡膜 一般,AL,O,O2,ALO,AL2O,(ALO)2製程特性:白色顆粒狀或塊狀,結晶顆粒狀等.非結晶狀材料雜氣排放量高,結晶狀材料相對較少.折射率受蒸著真空度和蒸發速率影響較大,真空不好即速率低則膜折射率變低;真空度好蒸發速率較快時,膜折射率相對增大,接近1.62AL2O3蒸發時會產生少量的AL分子造成膜吸收現象,加入適當的O2時,可避免其吸收產生.但是加氧氣要注意不要影響到它的蒸發速率否則改變了它的折射率.
6 B: |/ w+ ?" z6 c6 v+ ROS-10(TIO2+ZrO2)
透光範圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量250-7000 2.3 2050 電子槍, 增透,濾光片,截止膜一般,製程特性:棕褐色顆粒狀. 雜氣排放較大,預熔不充分或真空度小於5*10-5Torr時蒸發,其折射率會比2.3小,幫必須充分預熔且蒸發真空度希望大於上述這數值.蒸發此種材料時宜控制衡定的蒸發速率,材料可添加重複使用,為減少雜氣排放量,盡量避免全數使用新材料.蒸氣中的TI和TIO和O2反應生成TIO2常用於製備抗反射膜和SIO2疊加製備各種規格的截止膜系和濾光片等.
4 f; C3 z9 m3 ~鍺(Ge)
    稀有金屬,無毒無放射性,主要用於半導體工業,塑料工業,紅外光學器件,航天工業,光纖通訊等.透光範圍2000NM---14000NM,n=4甚至更大,937（℃）時熔化並且在電子槍中形成一種液體,然後在1400（℃）輕易蒸發.用電子槍蒸發時它的密度比整體堆積密度低,而用離子助鍍或者鐳射蒸鍍可以得到接近於鬆散密度.在鍺基板上與THF4製備幾十層的8000---12000NM帶通濾光片,如果容室溫度太高吸收將有重大變化,在240--280（℃）範圍內,在從非晶體到晶體轉變的過程中GE有一個臨界點.
. C! Z* C  T& @, P) }) y鍺化鋅(ZnGe)
   疏散的鍺化鋅具有一個比其相對較高的折射率,在500NM時N=2.6,在可見光譜區以及12000-14000NM區域具有較少的吸收性並且疏散的鍺化鋅沒有其材質那麼硬.使用鉭舟將其蒸發到150攝氏度的基板上製備SI/ZnGe及ZnGe/LaF3膜層試圖獲到長波長IR漸低折射率的光學濾鏡.
1 c2 z/ [7 _  ^* j' U! z氧化鉿(HfO2)
    在150攝氏度的基板上有用電子槍蒸著,折射率在2.0左右,用氧離子助鍍可能取和得2.05-2.1穩定的折射率,在8000-12000NM區HFO2用作鋁保護膜外層好過SIO2
透光範圍(nm) 折射率(N)550nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量230-7000 2.0 2350 電子槍, 增透,高反膜紫外膜 少無色圓盤狀或灰色顆粒狀和片狀.
+ L) p% [, ?5 T5 C# |+ ^+ R  P碲化鉛（PbTe）
    一種具有高折射率的IR材料，作為薄膜材料在3800---40000NM是透明的，在紅外區N=5.1-5.5，該材料升華,基板板溫度250攝氏度是有益的,健康預防是必要的,在高達40000NM時使用效果很好,別的材料常常用在超過普通的14000NM紅外線邊緣.
& m0 L1 r: e4 i. k0 a6 e( N6 G鋁氟化物（ALF3）
3 N! t' c  \3 z. S9 \    可以在鉬中升華， 在190-1000NM區域有透過性，N=1.38,有些人聲稱已用在EXIMER激光鏡,它無吸收性,在250-1000NM區域透過性良好.ALF3是冰晶石,是NaALF4的一個組成部分,且多年來一直在使用,但是在未加以保護層時其耐久性還未為人知.
鈰(Ce)氟化物
    Hass等人研究GeF3，他們使用高密度的鎢舟蒸發發現在500NM時N=1.63,並且機械強度和化學強度令人滿意,他們指出在234NM和248NM的吸收最大,而在波長大過300NM時吸收可以忽略.FUJIWARA用鉬舟蒸發CEF3和CEO2混合物,得到一個1.60---2.13的合乎需要的具有合理重複性的折射率,他指出該材料的機械強度和化學強度都令人滿意.透光範圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量300-5000 1.63 約1500 電子槍,鉬鉭鎢舟 增透,眼鏡 少

( `9 X5 t% U/ w1 x$ V氟化鈣(CaF2)
$ n' m$ g8 c; }# v5 P: o    CaF2是Heavens提出來的，它可以在10-4以上的壓力下蒸發獲得一個約為1。23---1。28的折射率。可是他說最終的膜層不那麼令人滿意，在室溫下蒸著氟化鈣其堆積密度大約為0.57,這與Ennos給出的疏散折射率1.435相吻合,這說明該材料不耐用並容易隨溫度變化而變化.原有的高拉應力隨膜厚增大而降低,膜厚增大導致大量的可見光散射.可以用鎢鉭舟鉬舟蒸發而且會升華,在紅外線中其穿透性超過12000nm,它沒有完全的緻密性似乎是目前其利用受到限制的原因,隨著IAD蒸著氟化物條件的改善這種材料的使用前景更為廣闊.
6 F' K$ i9 o. k% m. V氟化鋇(BaF2)
  P8 E* w' I' [& A; `    與氟化鈣具有相似的物理特性,在室溫下蒸鍍氟化鋇,使用較低的蒸著速度時材料的堆積密度為0.66,並且密度變化與蒸著速度增大幾乎成正比,在速度為20NM/S堆積密度高達0.83,它的局限性又是它缺乏完全緻密性.透過性在高溫時移到更長的波長,所以目前它只能用在紅外膜.
7 \3 n& h0 h- m3 k$ Q: {' f透光範圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量250-15000 1.48 約1500 電子槍,鉬鉭鎢舟 紅外膜 少
氟化鉛(PbF2)
- [4 d& z! L0 d/ A    氟化鉛在UV中可用作高折射率材料,在300nm時N=1.998,該材料與鉬鉭,鎢舟接觸時折射率將降低,因此需要用鉑或陶瓷皿.Ennos指出氟化鉛具有相對較低的應力,開始是壓力,隨著膜厚度的增加張力明顯增大,但這與蒸著速度無關.透光範圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量250-17000 1.75 700--1000 電子槍,鉑舟,坩鍋 紅外膜 少
鉻(Cr)
    鉻有時用在分光鏡上並且通常用作"膠質層"來增強附著力,膠質層可能在5-50NM的範圍內,但在鋁鏡膜導下面,30NM是增強附著力的有效值.顆粒狀可用鎢舟蒸發而塊狀宜用電子槍來蒸發,該材料升華,但是表面氧化物可以防止它蒸發/升華,可以全用鉻電鍍鎢絲.可以用鉻作為膠質層對金鏡化合物進行韌性處理,也可在塑料上使用鉻作為膠質層.也可使用一個螺旋狀的鎢絲蒸發.它應該是所有材料中具有最高拉應力的材料.透光範圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量1.5 1300--1400 電子槍,鉑舟,鎢舟 吸收膜分光膜導電膜加硬膜
鋁(AL)
9 ?7 ^& P4 ^$ w    不管是裝飾膜還是專業膜都是普遍用於蒸發/濺鍍鏡膜,常用鎢絲來蒸發鋁絲,在紫外域中它是普通金屬中反射性能最好的一種,在紅外域中不用Cu, Ag, Au.鋁原先有一個比較高的拉應力,在不透明厚度時,該 拉應力降低到一個小的壓應力,並且蒸著以後拉應力進一步降低.其膜的有效厚度為50NM以上.
% K8 e' ^; P% d+ x7 |銀(Ag)
    如果蒸著速度足夠快並且基板溫度不很高時,銀和鋁一樣具有良好的反射性,這是在高速低溫下大量集結的結果,這一集結同時導致更大的吸收.銀通常不浸濕鎢絲,但是往往形成具有高表面張力的液滴,它可以用一高緊密性的螺旋式鎢絲來蒸發,從而避免液滴下掉.有人先在一個V型鎢絲上繞幾圈鉑絲接著繞上銀絲,銀絲可以浸濕鉑絲但沒有浸濕鎢絲.
+ z1 W4 D6 `( u金(Au)
# \/ ^8 Y' @( e3 M7 |3 w$ ]8 ?    金在紅外線1000nm波長以上是已知材料中具有最高反射性的材料,作為一種貴重金屬,它具有較強的化學堅硬性,由於它的可塑性因而抗擦傷性能低,AU可用鎢或氮化硼舟皿或者電子槍來蒸發(不能與鉑舟蒸發,它與鉑很快合金).金對玻璃表面的附著力低,因而通常使用一層鉻作為膠質層.也可用氧離子助鍍使金的附著力得到上百倍的改善,在不透明性達到即中止IAD,並且最後的薄膜中不含有氧,摻氧將降低薄膜的反射率.
  Y$ f5 B) p0 p( I& k( B( t名稱:銦---錫氧化物和導電材料
4 w8 w% [' A% W5 Q$ _/ ^銦-錫氧化物(ITO)和In3O5-SnO2有相對良好的導電性能和可見光穿性.這樣的薄膜在數據顯示屏和抗熱防霜裝置等方面已有很大原需求.在建築上可用作擇光窗和可控穿透窗.ITO n=1.85 at500nm熔化溫度約1450攝氏度.
鋁(AL)
    不管是裝飾膜還是專業膜都是普遍用於蒸發/濺鍍鏡膜,常用鎢絲來蒸發鋁絲,在紫外域中它是普通金屬中反射性能最好的一種,在紅外域中不用Cu, Ag, Au.鋁原先有一個比較高的拉應力,在不透明厚度時,該 拉應力降低到一個小的壓應力,並且蒸著以後拉應力進一步降低.其膜的有效厚度為50NM以上.
4 m) e% D: i, ^7 k銀(Ag)
    如果蒸著速度足夠快並且基板溫度不很高時,銀和鋁一樣具有良好的反射性,這是在高速低溫下大量集結的結果,這一集結同時導致更大的吸收.銀通常不浸濕鎢絲,但是往往形成具有高表面張力的液滴,它可以用一高緊密性的螺旋式鎢絲來蒸發,從而避免液滴下掉.有人先在一個V型鎢絲上繞幾圈鉑絲接著繞上銀絲,銀絲可以浸濕鉑絲但沒有浸濕鎢絲.
. |+ w- P  \5 r  t0 u2 m金(Au)
    金在紅外線1000nm波長以上是已知材料中具有最高反射性的材料,作為一種貴重金屬,它具有較強的化學堅硬性,由於它的可塑性因而抗擦傷性能低,AU可用鎢或氮化硼舟皿或者電子槍來蒸發(不能與鉑舟蒸發,它與鉑很快合金).金對玻璃表面的附著力低,因而通常使用一層鉻作為膠質層.也可用氧離子助鍍使金的附著力得到上百倍的改善,在不透明性達到即中止IAD,並且最後的薄膜中不含有氧,摻氧將降低薄膜的反射率.
名稱:銦---錫氧化物和導電材料
銦-錫氧化物(ITO)和In3O5-SnO2有相對良好的導電性能和可見光穿性.這樣的薄膜在數據顯示屏和抗熱防霜裝置等方面已有很大原需求.在建築上可用作擇光窗和可控穿透窗.ITO n=1.85 at500nm熔化溫度約1450攝氏度.
H1
* t" [, N5 o' Z# |  `4 T   透光範圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量360--7000 2.1 2200-2400 電子槍, 增透,眼鏡膜 少
" [3 a+ G6 E3 l6 zH2
, y' d( ]) j/ ^1 w) w6 d透光範圍(nm) 折射率(N)500nm 蒸發溫度（℃） 蒸發源 應用 雜氣排放量400-5000 2.1 2200 電子槍, 增透,眼鏡膜 少
& H9 d6 g) u+ k1 \H4
透光範圍(nm) 折射率(N)
% w8 P/ u, i' G

yifeng602

http://pan.baidu.com/s/1kUS7Sft