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离子源辅助磁控溅射沉积SiO_x阻隔薄膜的研究
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离子源辅助磁控溅射沉积SiO_x阻隔薄膜的研究4 d" |" d6 z2 W I5 _* y/ M
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【作者】 韩尔立；
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1 v8 l/ m) R% ]) s, b【导师】 陈强； 葛袁静； 9 S0 a" L7 W2 Q# z+ l) p- l. k
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【作者基本信息】 北京印刷学院， 材料物理与化学， 2006， 硕士0 w1 A, a) Y8 @2 R& J ?
. p3 q+ j* p: Y W( U5 u' | 【摘要】 食品保质保鲜要求包装材料具有优良的阻隔性能,即阻止水蒸气和气体渗透的性能。镀 SiOx 阻隔材料具有足以与镀铝材料相媲美的阻隔性能,同时又具有可见光透过和微波直接加热的特性,因而成为包装材料发展的一个热点方向。对PET、BOPP、PE 三种常用包装薄膜基材进行实验比较,选择 PET 作为 SiOx 阻隔膜沉积基材。采用电子束蒸镀和磁控溅射两种沉积工艺在不同工艺参数下制备SiOx 阻隔薄膜。所沉积薄膜用表面轮廓仪进行膜厚测试,并进行了薄膜均匀性测试。利用 FTIR,SEM,XPS ,XRD 分别对沉积膜的结构,表面形貌,元素组成等进行了表征。并考察了离子源辅助对磁控溅射沉积薄膜的影响。研究结果如下:1. 薄膜均匀性测试显示,磁控溅射均匀性较好,在片内均匀性、片间均匀性和炉间均匀性上均优于电子束蒸镀法。2.薄膜表面形貌分析显示,电子束蒸镀沉积的 SiOx颗粒粗大,表面缺陷较多,而磁控溅射沉积 SiOx薄膜均匀致密,但仍有微裂纹,经离子源辅助后裂纹大大减少,甚至消失。3.XRD 测试未显示衍射峰,表明所沉积薄膜为非晶态,可能的薄膜生长方式为岛状生长,形成不连续的无定性非晶态结构。4.用电子束... 更多
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2 W z- N* Y, t: ~& m* k【关键词】 SiO2阻隔薄膜； 电子束蒸镀； 磁控溅射； 离子源辅助；+ a* K9 r& U- g
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发表于 2013-5-4 06:58:10
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