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[原创] 基本薄膜材料特点(3)

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发表于 2013-3-12 22:41:14 | 显示全部楼层 |阅读模式
基本薄膜材料特点(3)
. C3 Z) s/ r$ d- }7 `$ Z* m' ]2 p: @3 [! V6 p8 d2 Z2 P
  
, M! `; ^/ d: w1 D  Y( A3 b5 l( Z0 l# y+ \! R
名称:三氧化二铝(AL2O3)
! c  S6 ?/ }4 E' I: @
; ?7 w3 h% v* S2 J普遍用作中间材料,该材料有很好的堆积密度并且在200—7000nm区域的透明带,该制程是否需要加氧气以试验分析来确定,提高基板温度可提高其折射率,在镀膜程式不可更改情况下,以调整蒸发速率和真空度来提高其折射率。3 _& L3 a) M" @+ k

/ x9 }+ ^) n" s' {9 C' n( U& c
8 h3 h4 `$ B7 }" @3 ^' j$ r# Y' I! x

( Q1 e8 }9 k0 L! q  j- q0 M5 y2 x制程特性:白色颗粒状或块状,结晶颗粒状等。
" G- X* l. L& H- k/ O
7 F, ~( ]4 w. c) v' U非结晶状材料杂气排放量高,结晶状材料相对较少4 S/ h' t. y: g

1 L1 M- R" ?& b' j9 ?折射率受蒸着真空度和蒸发速率的影响较大,真空不好即速率低则膜折射率变低;真空度好蒸发速率较快时,膜折射率相对增大,接近1?62。. V2 t" k0 `# O4 q
+ }5 |! l& b4 Y( u. F% z- W$ Z" O
AL2O3蒸发时,会産生少量的AL分子,造成膜吸收现象,加入适当的O2时,可避免其吸收産生。) U6 N/ P  V( ?: }3 M2 `/ z/ u9 S( D+ F

4 K: A- H+ V/ `' j名称:OS—10(TIO2+ZrO2)* R2 e6 e1 u) o3 ]0 c0 y& S7 X* @9 v

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! T1 n" h3 h. E
; }6 r- W2 s; o3 k) N
制程特性:棕褐色颗粒状。
1 Q. B1 F6 x  B- s' W
  j1 @+ d) W. G杂气拜谢量大,预熔不充分或真空度 ?5*10-5 Torr时蒸发,其折射率会比2?3小,故必须充分预熔且蒸发真空度希望?2*10-5 Torr.* y) f0 b. ]/ X$ G5 v# ^
7 Q' W  b6 ?- r3 a
率有成反比的趋向,蒸发此种材料时宜控制衡定的蒸发速率。9 ]. s7 I+ j; Q  X2 a/ @( \

6 |0 i1 \3 @2 e* Z8 H材料可添加重复使用,为减少杂气排放量,尽量避免全数使用新材料。$ r. F1 t2 _5 {# h: Z0 `

" z( Q2 k$ J! P; ^  i蒸气中的TI和TIO和O2反应生成TIO2。
3 c8 e% G- `5 r" [0 z3 o6 a) I  [$ K( B% w  D$ u
常用於制备抗反射膜和SIO2叠加制备各种规格的截止膜系和滤光片等。, J% U2 @7 d: n' }  e/ @2 _
% [  A8 x  Z0 x) F( }& ?- m
名称:锗(Ge)
; w% w% [1 H3 X
9 L8 M3 C: W7 \- i- a' j2 u  稀有金属,无毒无放射性,主要用於半导体工业,塑胶工业,红外光学器件,航天工业,光纤通讯等。: T$ S* m6 w3 B
$ O% i1 Q: f. Z) m$ w1 V  R6 h
  透光范围2000nm—14000nm,n =4甚至更大,937℃时熔化并且在电子枪中形成一种液体,然後在1400℃轻易蒸发。用电子枪蒸发时它的密度比整体堆积密度低,而用离子助镀或者镭射蒸着可以得出接近於松散密度。
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在Ge基板上与ThF4制备几十层的8000—12000nm带通滤光片,如果容室温度太高吸收性将有重大变化,在240--280℃范围内,在从非晶体到晶体转变的过程中Ge有一个临界点。* S# y( n& c. ^4 @6 Y

. V: n* ^8 ]9 s0 p! | + W6 i5 t( c$ R

: C5 W  j+ C1 @% [  X3 _( C/ X/ q名称:锗化锌(ZnGe)
9 p. x  S) T$ R* Y" w2 y( ~4 l  _2 X7 Z% J; j
疏散的ZnGe具有一个比其相对较高的折射率,在500nm n=2?6
: B* w+ l- Z( t2 }! G/ L: Q% S+ V" V' M
,在可见光谱区以及12000—14000nm区域具有较少的吸收性并且疏散的ZnGe没有其材质那麽硬。使用钽舟将其蒸发到150℃的基板上制备Si/ZnGe及ZnGe/LaF3膜层试图获到长波长IR渐低折射率的光学滤镜。
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名称:氧化铪(HfO2)& J- A; Q1 N0 m( m
8 F+ |. V7 g' A/ C
  在150℃的基板用电子枪蒸着,折射率在2?0左右,用氧离子助镀可能取得2?05--2?1稳定的折射率,在8000—12000nm区HfO2用作铝保护外层好过SiO2。2 M, A& P0 h* X

/ N. h2 l; T+ A) @. U3 v1 m% s5 z/ g2 c+ U! z% d8 N

0 B2 x( I9 N; z3 M1 n, r4 W无色圆盘状或灰色颗粒和片状。7 O7 p( M' `2 F- I
6 k+ l0 D) Y' N" b5 g/ q% v( x
名称:碲化铅(PbTe)1 S# y! M* S" d8 J; @
* M& l. D  b$ R0 O; t8 h
是一种具有最高折射率的IR材料,作为薄膜材料在3800—40000nm是透明的,在红外区n=5?1—555,该材料昇华,基板温度250℃是有益的,健康预防是必要的。在高达40000nm时使用效果很好。别的材料常常用在超过普通的14000nm红外线边缘。
. x1 a' q* V* Z! `5 j$ Y# I' O( y, A: T6 ~; A4 g. c2 x$ Y6 A4 x' ~
名称:铝氟化物(ALF3), f, p+ \. X5 K' _
  P; B" j% d' b5 S
  可以在钼中昇华,在190nm—1000nm区域有透过性,n =1?38,有些人声称已用过Eximer激光镜,它无吸收性,在250--1000nm区域透过性良好。ALF3是冰晶石,是NaALF4的一个组成部分,且多年来一直在使用,但是在未加以保护层时耐久性还未为人知。3 ]7 S: a! O2 U! r3 @6 N2 e

" k; q. o& @) z! `$ m名称:铈(Ce)氟化物# ^% c& c9 Q/ Q% X" [9 L
% X0 U" v! o* r, K0 M8 \- n
  Hass等人研究CeF3,他们使用高密度的钨舟蒸发发现在500nm时n =1?63,并且机械强度和化学强度令人满意,他们指出在234nm和248nm的吸收最大,而在波长大过大300nm时吸收可以忽略。Fujiwara用钼舟蒸蒸日上发CeF3和CeO2混合物,得到一个1?60--2?13的合乎需要的具有合理重复性的折射率,他指出该材料的机械强度和化学强度都令人满意。. b6 g, f9 D" u7 B
. `7 K& S% g2 ], B
$ S8 L, P4 t# l2 m! S0 S
. w2 b# ]* M0 b& N  W

' e7 v" z# n" w, E2 Q名称:氟化钙(CaF2)) x3 n% y; e; [% `5 C

) Y- t8 k( e- G4 ` CaF2是Heavens提出来的,它可以在10-4以上的压力下蒸发获得一个约为 1?23-- 1?28的折射率。可是他说最终的膜层不那麽令人满意。在室温下蒸着氟化钙其堆积密度大约0?57,这与Ennos给出的疏散折射率1?435相吻合,这说明该材料不耐用并容易随温度变化而变化。,原圾的高拉应力随膜厚而降低,膜厚增大导致大量的可见光散射。可以用钨,钽或钼舟蒸发且会昇华,在红外线中其穿透性超过12000nm,它没有完整的致密性似乎是目前其利用受到限制的原因,随着IAD蒸着氟化物条件的改善这种材料的使用前景更为广阔。
, J0 X( ?8 t: t2 w1 F1 R9 \0 B2 y6 J+ N; Q0 S) }* L
名称:氟化钡(BaF2)4 r- @5 V4 ^* ]

( |/ D: J2 d- K) x7 n  与氟化钙具有相似的物理特性,在室温上蒸着氟化钡,使用较低的蒸着速度时材料的堆积密度约为 0?66,并且密度变化与蒸着速度增大几乎成正比,在速度为20nm/s堆积密度高达0?83,它的局限性又是它缺乏完全致密性。透过性在高温时移到更长的波长。所以目前它只能用在红外膜。2 e7 ^3 J: k; I

$ x- r& T: U1 D& H/ r/ R& z* \8 J+ Q3 D/ c1 o6 u) ]

- \% G# y  D9 c5 U# E, G1 J1 q7 p 名称:氟化铅(PbF2)! m8 k- v  `- u
; }" c7 Q9 H% c. V# d
  氟化铅在UV中可用作高折射率材料,在300nm时,n =1?998,该材料与钼,钽,钨舟接触时折射率将降低,因此需要用铂或陶瓷皿。Ennos指出氟化铅具有相对较低的应力,开始是压力,随着膜厚度的增加张力明显增大,但这与蒸着速度无关。
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