影响真空间隙的电击穿的因素

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影响真空间隙的电击穿的因素时间:2008-11-04　　来源:真空技术网整理　　编辑:鬼马　　真空击穿是一个综合的复杂的物理过程，主要因素有：真空度，电极材料，电极距离，压力的影响，老练作用，开断电流的大小，操作条件的影响等。　　真空间隙的电击穿有两方面因素：一是场发射，一是微粒撞击。对于小间隙场致发射作用较大，大间隙中微粒撞击可能性较多。　　1)．场致发射--经过机械磨光和洗净的电极两面，微观上仍然存在凹凸不平，存在许多微米级的尖峰突出物，尖峰处的局部电场可能增加上百倍，会发射电子流。如果电极表面有杂质或氧化物存在，电极表面的逸出功会降低，场致发射更易产生。尖峰发射的电子流虽不大，但因其面积小，电流密度却很大，会使局部发热，不仅电子发射增强，还可能产生蒸发、熔化，释放出金属蒸气，金属原子又与发射电子碰撞造成游离，出现击穿。　　2)． 微粒撞击--电极表面总是存在一些金属微粒，微粒在电场作用下携带电荷离开电极，加速撞击对方电极，由动能转为热能，引起局部加热、汽化，释放大量金属蒸气，形成金属云，导致间隙击穿。