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新型高密度晶体管的薄膜沉积技术+ {; ?2 Q. l" e: t( S+ P
摘 要:美国应用材料公司宣布了其突破性的Applied Producer EternaFCVD（流体化学气相沉积）系统。这是首创的也是唯一的以高质量介电薄膜隔离20nm及以下存储器和逻辑器件中的高密度晶体管的薄膜沉积技术。这些隔离区域可以形成深宽比大于30（是当今需求的5倍）和高度复杂的形貌。EtemaFCVD系统的独特工艺能够以致密且无碳的介电薄膜从底部填充所有这些区域，并且其成本仅是综合旋转方式的一半左右，后者需要更多的设备和很多额外的工艺步骤。[第一段]" }5 X/ O* b, [* F6 B7 f
关键词:薄膜沉积技术 晶体管 高密度 Producer 应用材料公司 化学气相沉积 介电薄膜 工艺步骤' R% X3 }3 O/ J- ^ N4 ]( C
分类号: TN304.26[机标]文献标识码：文章编号：栏目信息：; R' @* x2 O7 a5 F2 V
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发表于 2011-6-28 13:53:17
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