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退火温度对高介电HfO_2薄膜的微结构和形貌的影响5 `2 b8 X6 d7 ]' q% [0 p
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【作者】 | [url=]张瑞玲[/url]; [url=]王莹[/url]; | 【作者单位】 | [url=]商丘职业技术学院[/url]; [url=]河南商丘[/url]; | 【刊名】 | 现代商贸工业 , Modern Business Trade Industry, 编辑部邮箱 2007年 08期
" ]1 J1 ]! h2 E$ u4 d2 `1 l2 [期刊荣誉:ASPT来源刊 CJFD收录刊 | 【关键词】 | [url=]HfO_2薄膜[/url]; [url=]等离子氧化[/url]; [url=]微结构[/url]; [url=]形貌[/url]; | 【摘要】 | 采用等离子氧化金属薄膜法制备了HfO2栅介质薄膜,并研究了HfO2栅介质薄膜的微结构和表面形态随退火温度的变化而发生的变化规律。研究表明:随着退火温度的升高,HfO2薄膜的晶体结构发生了变化,从沉积时的非晶态过渡到晶态,从四方转变到四方和单斜相共存,最后又过渡到单斜相。扫描电镜分析表明随着退火温度的升高,HfO2薄膜的内部结构趋向致密与平整。 |
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