定制高端激光薄膜

光学薄膜论坛

 找回密码
 注册
搜索
本站邀请注册说明!
查看: 870|回复: 0

[综合资讯] 中航技与厦门合建LTPS液晶面板及滤光片生产线

[复制链接]
发表于 2011-3-21 23:34:44 | 显示全部楼层 |阅读模式
2010年12月,厦门火炬产业区区与中国航空工业集团达成项目合作协议,在火炬(翔安)产业区建设第5.5代低温多晶硅(LTPS)TFT— LCD及彩色滤光片生产线,总投资70亿元,建成后年产值达60多亿元。该项目不仅能带动液晶材料、背光源等上游材料发展,还将拉动下游消费电子产品、车载显示、工业仪表等行业的飞速发展,吸引一批围绕该项目生产相配套的企业集聚,从而形成互补联动的产业聚集效应。' p4 Q/ L+ X# G- B# x
据悉,该项目公司注册资本28亿元,由厦门金财和中航技共同出资组建。股权结构显示,厦门金财出资17.92亿元,占总股本64%,为实际控股股东,中航深圳出资8.4亿元,占总股本30%,厦门公司出资1.68亿元,占总股本6%。中航技深圳公司公司控股的深天马将参与公司组建, 并将实际经营管理新公司。
' q7 ]- \; }9 L% _3 B中航深圳公司、中航厦门公司以及厦门市金财投资有限公司拟共同出资在厦门成立项目公司,建设月加工玻璃基板3万张的第5.5代低温多晶硅(LTPS)TFT-LCD及月生产彩色滤光片6万片的CF生产线,项目总投资约70亿元,注册资本28亿元,其中厦门金财出资17.92亿元,占总股本的64%;中航深圳公司出资8.4亿元占总股本的30%;厦门公司出资1.68亿元占总股本的6%。+ t# W0 L( N+ t5 e) J2 o: E
厦门5.5代线将是国内企业投产的首条LTPS TFT-LCD,LTPS是新一代薄膜电晶体液晶显示器的制造流程,与传统非晶硅显示器最大差异在于LTPS反应速度较快,且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。2 a1 q4 h. l" v
相关介绍:' K( z' L: h2 Z  W6 g% y, Q7 \) y
低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon;简称LTPS)是新一代薄膜电晶体液晶显示器(TFT-LCD) 的制造流程,与传统非晶硅显示器最大差异在于LTPS 反应速度较快,且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。3 T3 S3 {- Y: V- c3 t8 i
TFT-LCD 分为多晶硅与非晶硅两种技术,目前主流TFT-LCD 以非晶硅(a-Si) 为主,相关技术较为成熟。- D7 i8 k) [3 s/ x
LTPS技术就是应用在平面显示器制造上的多晶硅成膜技术。
  O" P1 D6 q. V# uLTPS在封装过程中,利用淮分子雷射作为热源,雷射光经过投射系统后,产生能量均匀分佈的雷射光束,投射于非晶硅结构的玻璃基板上,当非晶硅结构玻璃基板吸收淮分子雷射的能量后,会转变成为多晶硅结构,整个处理过程都是在600℃以下完成,因此一般玻璃基板皆可适用。
* w: h: y. S7 w5 a, p而LTPS由于电晶体载子移动率高出非晶硅技术一百倍以上,显示器具备高亮度与高解析度特色,可呈现较佳的画面品质。若使用在笔记型电脑上,LTPS面板的耗电量较少,可省下不少电力。0 K5 s2 m7 j: t  A, _
◎LTPS优点:
0 }! G. |  @5 G  R& w---LTPS具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点,所谓高开口率,即高迁移率代表使用几何尺寸较小的电晶体即可提供足够的充电能力,因此光穿透的有效面积变大。
: ?6 x$ Q+ J: a, [, O5 h---Vehicle for OLED:高迁移率代表可提供OLED Device较大之驱动电流,因此较适合作为主动型OLED显示器之基板。
# G) _* U, \" z) z3 K! N---LTPS硅结晶排列较a-Si有次序,使得电子移动率相对高一百倍以上,可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上,可节省空间及驱动IC的成本。由于驱动IC线路直接制作于面板上,可以减少零件对外接点,增加可靠度、维护更简单、缩短组装制程时间及降低EMI特性,可减少应用系统设计时程及扩大设计自由度。
' n# f! j. R: D6 F---部份驱动电路可制作于玻璃基板上,因此印刷电路板(PCB)上的电路相对简单,可节省PCB之面积。. C. E. J4 O# ]
LTPS仍面临一些问题,像是TFT的关态电流(即漏电流)较大(Ioff=nuVdW/L),以及高迁移率p-Si材料低温大面积制程较困难。; M  s% \2 v: K( ~6 {1 w
◎在玻璃或塑胶基板上制造LTPS薄膜方式:# @  b- {+ o9 n  H' i) n
---Metal Induced Crystallization (MIC):属于SPC 方法之一。相较于传统的SPC,此方法能在较低温下(约500~600°C)制造出多晶硅。因为薄层金属在结晶前即先形成在硅薄膜上,先被包覆,因此金属成分主要扮演降低结晶化的活性功能,使其能在较低温结晶的重要关键。% t9 c3 g1 ]  h% B, J
---Cat-CVD:一种无须经由退火处理、而可直接沉积多晶薄膜(poly-film)的方法。沉积温度可低于300°C。成长机制包含SiH4-H2 混合体的catalytic cracking reaction。
& d: j2 z0 z8 u8 Y. q---Laser anneal:此为最广为运用的方法,利用Excimer雷射加热及融化含氢量低的 a-Si,然后再结晶为多晶硅薄膜。
5 f$ S3 O' g5 [  [! u' D# Z全球LTPS面板供应商以日厂技术为领先,包括东芝行动显示(TMDisplay)、夏普(Sharp)等,夏普的产能为全球LTPS面板产业之冠,其次为日本的TMDisplay、台湾的统宝光电则排名第三。
: H) _- M2 O: J  B, R日本Sharp、Hitachi、 TMDisplay、Epson及Sony也逐渐将4代线及以下的产能转成低温多晶硅,国内的统宝、友达、奇美也有3.5代LTPS生产线,韩国三星(Samsung) 与LG Display则用4.5代线生产LTPS。
. a/ a: u8 x2 r) T. p6 I' y* U% t在低温多晶硅TFT LCD面板的应用上,手机佔50%为最大宗,另外手持装置如数位相机、游戏机与多媒体播放器(PMP)则佔40%,笔记型电脑佔10%
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

本版积分规则

本站邀请注册说明!

小黑屋|手机版|Archiver|光学薄膜信息网  

GMT+8, 2024-5-19 04:30 , Processed in 0.024038 second(s), 18 queries .

Powered by Discuz! X3.4 Licensed

Copyright © 2001-2021, Tencent Cloud.

快速回复 返回顶部 返回列表