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为奖励薄膜论坛的VIP会员对本论坛的贡献,特奖励中文书一本
/ J( ^4 M/ l/ K1 t. U$ ~书名:薄膜制备技术基础
, e1 f+ }) k; n7 o/ a: |8 O' M) ^3 j- o4 r2 s; Z
作者 日本)麻蒔立男
- \* J! k. G7 L) A4 e/ M- ^9 B& d, A7 [7 ^
出版社：化学工业出版社5 c( j" u) r, w' B5 o
* n7 e% k7 m9 v& a' a原价：39.80& q; _0 L3 B2 D- x/ S3 X& o/ d' o
T7 |7 t4 n0 j! Q
出版日期：2009年05月
2 b l5 q2 N; a8 [7 s5 d; _/ J/ d5 M" o; x& Q) T, H
ISBN：9787122045881- C2 V, ]3 ]9 l, m5 @( L0 r! L
: q8 r: r7 I" Z字数：
0 u, A( f* a, m$ C0 [- A, e# n2 ~8 S8 {- _
页数：336页
3 |% ^, E. W% T, Q$ [# ]' }8 N! `* m$ L( |0 P2 \
印次：7 }: D/ e# h2 h4 ], c4 a
; V1 D8 T H* L$ b" d/ j9 Y1 a# N7 |
版次：第1版' Y5 J! }2 W# ?
. ~) Z, |! O- ?( X: W% {+ ?5 q6 Z
纸张：平装) X% d c% }( Q" m0 p% Y0 l' P
0 a- c- A! \1 `
开本：32
* M {1 F; X% A. L1 a7 z) O/ w5 ?$ I! I* T
商品标识：asinb0028n6e34
# ^; A# [) B& a3 r9 k- J3 u k
& }5 j2 _" c2 R3 z/ N5 h编辑推荐$ b7 ?5 ~9 g+ _9 S: J) h2 i
7 b/ |0 V7 Q4 w! s S
2 j0 ~* P& b) f--------------------------------------------------------------------------------
4 Y Y y* U- ^) R
3 g/ V- [# h8 g% s《薄膜制备技术基础》的内容丰富，由浅入深，对于材料科学、微电子专业学生而言是一本良好的基础教材；对于在这一领域学习、工作的人员而言，具有很好的参考价值。3 P) a, _+ B# o# t
2 r2 S0 G1 @, o3 Q( g4 Y4 Z% I内容提要! E# T! i1 J8 [) _8 K; m
4 ^( x0 M9 s' j4 H! O! V
6 z" w- L4 l, Z- A--------------------------------------------------------------------------------; z$ J' j( J+ {+ W
4 I2 \/ h1 T4 R: H
《薄膜制备技术基础》较为系统、全面地介绍了与薄膜制备技术相关的各种基础知识，涉及了薄膜制备系统、典型的物理制膜与化学制膜方法、薄膜加工方法，以及常用的薄膜性能表征技术，同时紧密结合当前薄膜领域最先进的技术、方法和装置。原外版书作者长期在薄膜科学与技术领域从事研究、开发和教育工作，有丰富的工作经验与广博的专业知识。《薄膜制备技术基础》自初版以来，已有三十余年，迄今已4次再版，反映了《薄膜制备技术基础》在这一领域具有较为深远的影响。5 h, S, I% q6 a
; s* j! D8 Q5 b* J1 r. c
3 Z/ F( ?& X/ P0 k6 q 5 y2 m6 Z8 P4 y* V
请论坛VIP会员PM我,我即可给你传资料,另:资料不能发给别人,凡已经发现,即可取消VIP资格,谢谢对论坛的支持!
, A9 r% O" u" h薄膜论坛管理(22149602) 22:55:160 x# |6 l3 W x4 c; S4 m9 q
目录' ^0 |; C! ?$ |9 o; r6 A- c
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1 o# Y1 G3 N/ g9 _/ k5 O
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% ^" o d- [1 V0 @! |% V5 r. z. k' R( V
第1章 薄膜技术
/ p- e4 s, o: F1 M/ `- `1．1 生物计算(biocomputing)和薄膜技术& l9 Q+ n4 ~% V; J# Z# p# }
1．2 医用微型机械5 a6 w" r- k7 I) r' d
1．3 人工脑的实现（μElectronics）
% F" h$ J2 u8 b; y. J5 M* ?1．4 大型显示的实现# h( D+ `* l* Q% P# P" M4 n; D& T
1．5 原子操控! c' Q" x# v/ ?: \
1．6 薄膜技术概略) j/ u# N2 j, q1 N! C0 X
参考文献
. J# d+ n3 E$ M6 O# v7 E: W
( T6 Y9 k& m/ {. o# @/ C) W1 B第2章 真空的基础 n1 w3 h- [7 }& w" E4 n
2．1 真空的定义! c2 V) Z" ~" f5 K. X
2．2 真空的单位
$ L! e" Q! I H8 r2．3 气体的性质
: p9 v0 `4 E9 P3 V& U) ]2．3．1 平均速率Va
0 j5 u4 T) t2 L- k/ q2．3．2 分子直径δ
% z* B2 S3 R5 e# K3 \2．3．3 平均自由程L; g( C+ l; {2 }8 z+ @, s- v" |7 o
2．3．4 碰撞频率Z4 Y: Q% W( y& ~9 U K' W4 ?/ b- G
2．4 气体的流动和流导
3 s- \0 ?9 s7 v0 d# L2．4．1 孔的流导1 F! S, h7 \" w9 R
2．4．2 长管的流导（L/a≥100）, g9 {7 b2 m: V# @$ P M0 @. z
2．4．3 短管的流导* p9 b9 J' R6 [% ^ \1 i/ D. J
2．4．4 流导的合成9 }) ?( Z* w, T5 t: \8 y% b1 ]7 d" M
2．5 蒸发速率5 \4 H, A8 i3 Q8 Z5 t4 J" _, b
参考文献5 T! o: d& E* K+ z' h- t9 M( t o
/ E7 [# V% V+ S$ q' F6 T* @第3章 真空泵和真空测量1 l8 o" M& [1 `$ c9 Z
3．1 真空泵0 R ? J, m6 d5 A
3．1．1 油封式旋片机械泵: O1 N" {) a4 b$ z: B) C
3．1．2 油扩散泵+ h; A+ A! [/ _ g
3．1．3 吸附泵
, T0 {: |' p$ W6 O; f4 ?) b3．1．4 溅射离子泵
1 x1 a4 S1 H2 ], |: B7 w- W1 k3．1．5 升华泵) f/ s2 ]$ F* Z" B) ^, e
3．1．6 冷凝泵
. N& }% Z# e+ O( d# C8 }) l3．1．7 涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵
# N4 a. c& d5 j0 I3 a C: k6 u/ E3．1．8 干式机械泵
% j w/ H9 ~5 a0 J9 o1 V6 k3．2 真空测量仪器——全压计/ i2 t9 C* Q* F1 z8 N, s
3．2．1 热导型真空计) z4 b1 H w% A: b7 R0 s' B
3．2．2 电离真空计——电离规0 u; X# Y. K6 y* }* ^9 p& I/ R
3．2．3 磁控管真空计
2 Z9 R, x% p E( G3．2．4 盖斯勒（Geissler）规管
: d% v" N" P4 u( s6 J& X2 y3．2．5 隔膜真空计! J m9 t6 |0 g" s! `7 H1 K. n# W& ^7 q5 M
3．2．6 石英晶振真空计
, V/ X: I: J+ \1 D- X' q3．2．7 组合式真空规
! }3 }9 F, Q2 ]) P) z3．2．8 真空计的安装方法, D# m v7 m; m- f
3．3 真空测量仪器——分压计+ O6 {2 f) Z) Q( K. ^0 d
3．3．1 磁偏转型质谱仪
, W0 L' |9 @9 D# l: `3．3．2 四极质谱仪
! L2 ?- ^) }) d3．3．3 有机物质质量分析IAMS法
6 h9 E/ f2 K8 G5 P' C \$ v参考文献
8 ]; k* \6 d0 t/ \ R
' A6 O" x+ u0 N3 N- Y第4章 真空系统
" }: k2 t8 k' ]. J4．1 抽气的原理+ C3 m1 e6 f) n
4．2 材料的放气
5 I$ W/ c5 a4 e; n4．3 抽气时间的推算
( p8 F; q" i9 u9 _7 f/ h9 q! ^$ A. b4．4 用于制备薄膜的真空系统
4 _* Z) u) z; ]/ | b6 e4．4．1 残留气体
" N$ ~4 b+ F) Q, y: a& U4．4．2 用于制备薄膜的真空系统! B3 p8 }& U2 F, u4 N: e
4．5 真空检漏
; p& h$ m0 e! q- {1 B. w4 x% \7 a* |4．5．1 检漏方法( D, y' w' { ^3 y8 k6 D% w
4．5．2 检漏应用实例; X3 W- @, W: `) A4 g5 x- G- S l
参考文献
7 P6 `3 S. r g. k3 |6 r. O' }, j2 f6 E+ M
第5章 薄膜基础! r5 v) t9 S9 a9 c9 D0 q
5．1 气体与固体
6 Q c' l" z5 `3 t5．1．1 化学吸附和物理吸附
& t+ M3 s3 g* X- X+ F( i! H8 k1 x5．1．2 吸附几率和吸附（弛豫）时间
) A( }. r' v0 |+ S# X5．2 薄膜的生长* F, z5 E- s9 x# d) |% I2 |
5．2．1 核生长( H( |3 L* c* [) y! T8 u
5．2．2 单层生长
- y$ \. l! B1 s" G/ W `* }5．3 外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系
1 R% g( L0 O+ l* a5．3．1 外延生长的温度
$ N% q x6 z$ M$ r% }5．3．2 基板晶体的解理" _% D3 M: Z; U( r8 [1 ~
5．3．3 真空度的影响
2 V7 J1 N: v+ l: \5．3．4 残留气体的影响/ u W! C" J; p: K0 r7 O
5．3．5 蒸发速率的影响
! }( @6 H& t8 Z0 L5．3．6 基板表面的缺陷——电子束照射的影响; ~" [7 \2 V+ ~2 F
5．3．7 电场的影响
. s4 ~2 n. I6 z9 G' U, M5．3．8 离子的影响$ X' P. V. b9 r* y* b8 y
5．3．9 膜厚的影响
0 F2 C9 [! k1 Q8 F8 Z& @+ m5．3．1 0晶格失配" } I7 `1 }, v s
5．4 非晶膜层
# q6 |* s- [8 w2 ` P$ X: ~5．4．1 一般材料的非晶化（非薄膜）
' n& H* T6 s z( E' y5 w5．4．2 非晶的定义
; m0 J. Z3 |/ @5．4．3 非晶薄膜6 w- \5 e- [. P7 b& y) g) a
5．4．4 非晶Si膜的多晶化
! k9 V* y8 A* V2 Q, ^5．5 薄膜的基本性质
: k# ^, G) e2 N% e& @5．5．1 电导
, j/ Q" u" a3 y# ^, P# k7 q5．5．2 电阻率的温度系数（TCR）6 p% s, H4 w7 M/ G* A/ }
5．5．3 薄膜的密度
5 P7 G# s" P& w- ]0 y) I3 F7 r5．5．4 时效变化% f' L/ q3 S/ ]
5．5．5 电解质膜$ k' |0 {' q0 G
5．6 薄膜的内部应力
* D3 R) G! N1 q' P. p5．7 电致徙动, }+ [3 g0 A3 @' w
本章小结
9 X& T9 p# w6 Z. b+ M参考文献
2 [2 L) I$ | N1 A7 r$ L6 D! X
' a& a! c7 ?8 w8 G9 y8 U% F! ^! [第6章 薄膜的制备方法
1 b) k% {3 l+ f3 |6．1 绪论5 |& l+ K9 o# V1 i. A4 i! G( V
6．2 源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分% N. Y3 I7 S8 E+ a
6．2．1 蒸发和离子镀
9 \4 Y& i+ ?) p5 x8 b6．2．2 溅射法% \' {8 M) a9 f' n3 J7 G0 T
6．3 附着强度
' I- o- i- k% I* h3 {6．3．1 前处理
- k# Z- w# V, S( {; u$ S2 l9 F6．3．2 蒸发时的条件% P1 U) `" b4 A
6．3．3 蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况）$ b5 |8 y* I1 ^4 J
6．3．4 蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况）
" r, \* Y/ u, V5 E; }4 e4 N/ ]6．4 台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备5 ?$ _- [& v, a, R( u: x9 }. y
6．5 高速热处理装置（RapidThermalAnnealing，RTA）4 W9 Z2 H+ h! s; l b. C
6．6 等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用
; f( I6 ~. }. S6．6．1 等离子体
, R+ ]5 x) Y j2 l4 R7 e7 _ n6．6．2 等离子体的产生方法- n4 F; y) g8 p2 ^7 n9 e
6．6．3 基本形式和主要用途( B" K' A( _" ]1 ^+ `& k
6．7 基板传送机构8 W. j# g2 N/ g
6．8 针孔和净化房
) E% t, I( k9 Z3 H& X# \5 J: }" V1 L参考文献
{7 C% E2 f% T6 `. p2 P0 F1 a3 _( l/ o% d
第7章 基板
- Y" A" {0 h/ ^2 }5 H" u! x! C7．1 玻璃基板及其制造方法
3 }# Z% ~/ P& J4 N7．2 日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长
. I" M; U1 S0 m* w' j& W) \' G7．3 单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长1 @' h. y5 Q, B7 c
7．3．1 坩埚中冷却法
/ l6 K# C* v( l, B K7．3．2 区熔法（ZoneMelting，FlotZone,FZ法）# }# i7 `2 b& }" C% t
7．3．3 旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski,CZ法）5 Q+ r& c8 E* w) _' ]: U
7．4 气相生长法
5 Q$ B* ~7 l- ?7．4．1 闭管中的气相生长法; S {9 v/ V5 ^" b+ l, n
7．4．2 其他气相生长法
+ E* J+ l/ I% x+ x7．5 石英玻璃基板' q# W9 H4 B% u) i2 l
7．6 柔性基板（Flexible）
* q) n+ p; Y: {) C' t参考文献
9 Z1 Y5 r# `' p# V& e* M7 s3 C ^2 h
第8章 蒸镀法
N4 e, f. S7 F7 L* f4 Q( y8．1 蒸发源! [0 M" Z# i- X" _. ]- l/ n# V. d4 p
8．1．1 电阻加热蒸发源; | z( [' h1 w
8．1．2 热阴极电子束蒸镀源4 j/ v; w* T- u3 f6 s) m" M% N/ m: Q
8．1．3 中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源
6 t1 @5 r) N' N+ d1 x% ^1 g8 b5 H8．2 蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置
4 O( _! b, x, N" S4 z4 [1 W8．3 实际装置
5 P8 B- T; f( L, K3 d! @* D) H8．4 蒸镀时的真空度$ X# \. G' p& n. [, H# ^- C
8．5 蒸镀实例/ k8 S* j$ a$ _( ]/ i
8．5．1 透明导电膜In2O3SnO2系列
1 d' u! C% h7 R) Y. X0 S# w8．5．2 分子束外延（MBE）
. Z' b- X, ]. u8．5．3 合金的蒸镀——闪蒸" b8 f7 k" v) \% }$ A+ d: v
8．6 离子镀# W$ n# C7 w& F% w
8．6．1 离子镀的方式
; [0 o" S" S6 N* J* M8．6．2 对薄膜的影响
1 Y2 _: `: s4 [8．7 离子束辅助蒸镀: e# Q, K) ~3 d6 `, n
8．8 离子渗，离子束表面改性法! I5 {3 j5 Y5 W3 ^ ]/ {
8．9 激光烧蚀法（PLA）
" E; L8 m) x( b4 B9 u- e8．10 有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀' a. `0 d7 B/ w3 U8 f
参考文献
/ \) D/ e8 K/ t) H
1 x; H) j1 [' x8 N# C) d! y第9章 溅射
! N+ S' l% }+ n8 B+ l+ L9．1 溅射现象 {$ P6 s4 T/ L/ r i# ^
9．1．1 离子的能量和溅射率，出射角分布
. g3 M- _: T6 ]8 Z8 T( ~% d9．1．2 溅射率
2 v3 w: r* l2 J: {# X ~; F9．1．3 溅射原子的能量, b6 ]3 _; e+ y) W2 y2 T
9．2 溅射方式
a; p2 h6 ?0 R6 X( \6 z8 U9．2．1 磁控溅射+ m+ h7 n8 d# H1 I7 v |
9．2．2 ECR溅射
2 m8 d, d0 e F6 F2 a/ P# L% S# |9．2．3 射频溅射6 T. S. N6 m3 [- ^+ z: w E: W
9．3 大电极磁控溅射
) h7 ^ M7 f$ F c0 q/ S2 r1 _9．4 “0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋0 g& z/ Q5 _* X" L5 V
9．4．1 准直溅射
3 D9 E9 ? P( y6 }9．4．2 长距离溅射
0 U8 |- E4 b9 V- \ @0 C4 |# ~; A9．4．3 高真空溅射& q) V; {, x1 m4 `' r
9．4．4 自溅射
- e `$ g, w5 Q9．4．5 离子化溅射 V" p: U% E- o: q# Q7 `9 l% `$ g
9．5 溅射的实例
+ H8 d* W6 E$ p8 n9．5．1 钽（Ta）的溅射
/ O' R: I( k5 a# f3 d2 D% t3 d9．5．2 Al及其合金的溅射（超高真空溅射）
8 S# ~# [8 U- w9．5．3 氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜
- B% f. x O- F+ ]0 B% L9．5．4 磁性膜的溅射
5 E: z+ T1 j& N7 u/ n7 t9．5．5 光学膜的溅射（RAS法）
) c6 u, a# R$ [: e参考文献& @. K7 C$ B5 S
5 l; A y. a8 x- C. K- N; V
第10章 气相沉积CVD和热氧化氮化! i8 e1 k( v: {6 [# P* z
10．1 热氧化1 X# _$ S E; Y# c' \! ^/ M' N1 G R
10．1．1 处理方式
% b* V. K2 M! O10．1．2 热氧化装置0 c0 `! o8 n1 G: z
10．1．3 其他氧化装置
. A J$ c: f, u5 P* R/ c10．2 热CVD R" g5 m- x4 a1 J" a
10．2．1 主要的生成反应
0 L' q; s! O* i. ?* a3 N10．2．2 热CVD的特征
% j x% b5 r# o+ z10．2．3 热CVD装置
3 r2 S% ~4 c0 S" N7 n, }10．2．4 反应炉
0 b; J2 G9 U4 d) \10．2．5 常压CVD（NormalPressureCVD,NPCVD）
9 r( X) H- E& @. `- `! L$ V10．2．6 减压CVD（LowPressureCVD,LPCVD）' F# M" M. k% b$ c* O4 V
10．3 等离子体增强CVD（PlasmaEnhancedCVD,PCVD）+ Z& {% X) `+ E: c5 I1 _ N0 e2 [
10．3．1 等离子体和生成反应
' @" ^: F, X9 s* E7 d2 U10．3．2 装置的基本结构和反应室的电极构造: O( u2 S3 |: }
10．4 光CVD（PhotoCVD）
/ b3 Z# R% M- `) L$ ?; L10．5 MOCVD（MetalorganicCVD）5 d# [" V+ Z& l7 b' A
10．6 金属CVD
: ]' i2 ?! J& u9 c" A+ o3 Z" t0 ~" O10．6．1 钨CVD
0 N& @2 |( U: p( {9 r* T% E! @10．6．2 AlCVD( {# Y+ {. n2 Q) X! k) _* k1 a( n
10．6．3 CuCVD! J r, P/ b( D
10．6．4 金属阻挡层（TiNCVD）1 q1 s I8 e. p7 }; V
10．7 半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD）
( @" N) v/ l4 |" c$ {10．8 高介电常数薄膜的CVD
8 J5 d( J$ U1 \0 J10．9 低介电常数薄膜; A8 t4 b' c5 X* w
10．10 高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD）, q* {5 N% c4 n( D% ]9 C
10．11 游离基喷淋CVD（RadicalShowerCVD，RSCVD）
7 t) _- T0 [: N6 u, o- D参考文献5 B/ b, ?: |4 v% B" M$ ^' j
( ?4 t: G- l/ C" q) o
第11章 刻蚀
/ T* Y5 f7 ~+ B% u! |3 Q+ `11．1 湿法刻蚀8 a! G5 L, r2 {& J
11．2 等离子体刻蚀，激发气体刻蚀（圆筒型刻蚀）' _( ~; ?7 k, y1 H; U+ Z3 n
11．2．1 原理- T. D; O: N; W) B! ~( u- H5 `
11．2．2 装置
4 j% }; a$ {$ O& q0 C0 O9 Y11．2．3 配套工艺9 \. f2 ^" d- `2 \; `' I6 G _
11．3 反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀）$ }7 [2 v, E( C$ ~) A
11．3．1 原理和特征
' L+ d: `( O( V% H. p11．3．2 装置
' F5 l# Z: b; |- t$ Z# L11．3．3 配套工艺% Y; `. e0 o6 k3 P! `
11．3．4 Cu和低介电材料（lowK）的刻蚀; c$ \/ O% V" {7 z4 G! q* S
11．4 大型基板的刻蚀7 S O2 N7 i/ k$ a
11．5 反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀）3 j2 c9 W7 N4 ]
11．5．1 极细离子束设备（聚焦离子束：FocusedIonBeam,FIB）
6 W+ M6 g+ j! m11．6 微机械加工" a9 @4 S }6 b0 l
11．7 刻蚀用等离子体源的开发
1 {& S1 s1 _5 R S- P+ }3 i11．7．1 等离子体源% o( M8 ^7 x& D
11．7．2 高密度等离子体（HDP）刻蚀
P0 l! M- J( L' g: i- Q" L {$ h参考文献" b* p6 |* V7 L V
) {( h& j, z' J, B& ^/ r
第12章 精密电镀6 }0 [: h, ?- A
12．1 电镀' G9 ^' k. ~0 Z, _1 F( d9 s( q
12．2 电镀膜的生长3 Y# O) q7 D5 o6 C, x
12．3 用于制作电子元器件方面的若干方法
% x H1 x: T9 ]' {! d* i12．4 用于高技术的铜电镀( A3 w0 f: R. O6 K0 h: s
12．5 实用的电镀装置示例) `. {6 f9 u0 s$ B4 H* W5 i9 k
参考文献
" q9 z! i+ p8 f# Y, R
1 ?9 A) e5 V( m( }5 ~, p第13章 平坦化技术% A3 X( S3 M3 V
13．1 平坦化技术的必要性 j# u" V: `* Z+ M- x6 O
13．2 平坦化技术概要
4 w5 O# Y2 B9 F' U5 ?( O+ t0 m# c13．3 平坦薄膜生长
# ^. z- p0 p. }" D- `13．3．1 选择性生长
6 ~, m& l+ l1 l13．3．2 利用回填技术的孔内嵌埋（溅射）4 @; e2 D( P2 v, M5 c
13．3．3 利用氧化物嵌埋技术的平坦化
6 k/ P- I$ z; A) P! ~; q13．4 薄膜生长过程中凹凸发生的防止( V& O( `( j9 v+ M
13．4．1 偏压溅射法
+ D- v& O! S C! L4 T2 `. l13．4．2 剥离法
7 J; `' m7 g0 x8 |2 W+ z13．5 薄膜生长后的平坦化加工7 C1 y0 W) m# l7 R1 n
13．5．1 涂覆( ~0 H0 H9 I R/ O8 v
13．5．2 激光平坦化$ K( K. q: X/ n
13．5．3 回填法; h3 Y; U$ z2 \7 Q6 a* D
13．5．4 回蚀法! \" ?( z `& ?0 {+ z9 ~4 B
13．5．5 阳极氧化和离子注入
) ~4 `; u7 h+ Y$ m2 X" s13．6 嵌埋技术示例+ c% u+ i# O3 N2 _3 M
13．7 化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing,CMP）技术8 D5 n: e# [; P
13．8 嵌刻法
- l& D- t* r# p& K9 j' z13．9 平坦化新技术展望
, g$ O, {+ {) W* |) G13．9．1 使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术1 Y4 F' |! Q( U7 T
13．9．2 用STP（SpinCoatingFilmTransferandPressing）法的嵌埋技术
- j# y' R; b. F# V- T; c13．10 高密度微细连接4 e, m9 @7 f; x+ l
参考文献 |
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发表于 2010-6-1 23:43:51
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发表于 2010-7-18 01:32:30