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书名:薄膜制备技术基础

作者日本)麻蒔立男

# a$ u) _5 w$ K出版社：化学工业出版社
& k9 e9 f9 K* ~2 L. A) ]
3 [" z; j+ }8 `6 o4 e1 Q原价：39.80

8 u# l7 N1 R8 J0 d9 B4 A2 T出版日期：2009年05月

ISBN：9787122045881

1 y4 i! d/ b( Y! y字数：
" M6 k9 `2 m; |/ o  H0 k7 I% V! n& Z0 N
! v0 L# c( ]) z6 i4 V页数：336页
  H: P1 j% F( I
) \. b! t6 R- x2 g印次：

版次：第1版

6 J- w0 ]# x# _纸张：平装

开本：32

. _. M! {+ M0 q8 F7 G# [" }3 u商品标识：asinb0028n6e34

编辑推荐
) f" X4 U* W) Z. @( s. A

* d3 B( i2 m& X$ j2 x, j# u+ \--------------------------------------------------------------------------------

《薄膜制备技术基础》的内容丰富，由浅入深，对于材料科学、微电子专业学生而言是一本良好的基础教材；对于在这一领域学习、工作的人员而言，具有很好的参考价值。
2 _  d5 C+ l; @$ k; I" J) T
内容提要
& ?" c* B& g. a# z% |* t' G

2 Y9 s/ @" [. R9 l" F3 a+ @' N) s--------------------------------------------------------------------------------
: o" b4 D; o7 d3 G3 g! z* K% \$ M
《薄膜制备技术基础》较为系统、全面地介绍了与薄膜制备技术相关的各种基础知识，涉及了薄膜制备系统、典型的物理制膜与化学制膜方法、薄膜加工方法，以及常用的薄膜性能表征技术，同时紧密结合当前薄膜领域最先进的技术、方法和装置。原外版书作者长期在薄膜科学与技术领域从事研究、开发和教育工作，有丰富的工作经验与广博的专业知识。《薄膜制备技术基础》自初版以来，已有三十余年，迄今已4次再版，反映了《薄膜制备技术基础》在这一领域具有较为深远的影响。
) m& l$ f/ r( u


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薄膜论坛管理(22149602) 22:55:16
目录

) u7 s& `1 I% n; o$ X5 |8 E
2 t! a& X- k8 |--------------------------------------------------------------------------------

第1章 薄膜技术
1．1 生物计算(biocomputing)和薄膜技术
1．2 医用微型机械
9 I* z1 @5 y& r; K# t) K1．3 人工脑的实现（μElectronics）
1．4 大型显示的实现
1．5 原子操控
1．6 薄膜技术概略
参考文献

第2章 真空的基础
2．1 真空的定义
2．2 真空的单位
9 v3 O9 X) t3 g( c4 A2．3 气体的性质
2．3．1 平均速率Va
2．3．2 分子直径δ
2．3．3 平均自由程L
; P4 I8 N0 l3 g8 C% S5 M& f+ N2．3．4 碰撞频率Z
/ ]/ R6 L# q) L. L* x# H2．4 气体的流动和流导
$ G9 ?3 v; r4 }# ]2 p1 O& W% t2．4．1 孔的流导
2．4．2 长管的流导（L/a≥100）
2．4．3 短管的流导
$ B1 x5 M& T9 {1 d) {2．4．4 流导的合成
2．5 蒸发速率
) S5 `5 c+ Z( Y3 d" ~) p1 k" V! L参考文献
$ k1 N5 N$ M! A+ H7 a/ O% ^: l
8 S% p4 p7 U2 E! t" {; U/ H第3章 真空泵和真空测量
3．1 真空泵
# y) n3 x8 x$ p- q/ c3．1．1 油封式旋片机械泵
) {; w, U) w  ~+ R% A" |3．1．2 油扩散泵
3．1．3 吸附泵
3．1．4 溅射离子泵
3．1．5 升华泵
3．1．6 冷凝泵
( e0 H7 j: h1 p; v. X4 n: H3．1．7 涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵
7 B3 u% C: G5 z, j3．1．8 干式机械泵
! w" V" j2 T9 D3 T3．2 真空测量仪器——全压计
( `5 m0 L, ?& P. J* u3．2．1 热导型真空计
3．2．2 电离真空计——电离规
3．2．3 磁控管真空计
3 [4 m$ L( Q2 B& t/ ~3．2．4 盖斯勒（Geissler）规管
1 `! W; a/ |8 G* @: x/ P- B4 y3．2．5 隔膜真空计
3．2．6 石英晶振真空计
1 W7 L# E+ l2 K8 p$ |3．2．7 组合式真空规
9 {6 W0 V: `& b$ \: Q3．2．8 真空计的安装方法
3．3 真空测量仪器——分压计
' _( C& G8 x; f" o$ a8 j+ F( }3．3．1 磁偏转型质谱仪
3．3．2 四极质谱仪
$ D% I  Q' ^( x7 ^1 H3．3．3 有机物质质量分析IAMS法
# Y' J$ q" k9 _" x" K7 [参考文献

第4章 真空系统
' F- y2 x% O, T& i- j3 [) y' c( B$ [4．1 抽气的原理
4．2 材料的放气
/ Q4 G- J1 K- B6 D4．3 抽气时间的推算
4．4 用于制备薄膜的真空系统
' A  z- Y! P' d: b4．4．1 残留气体
4．4．2 用于制备薄膜的真空系统
4．5 真空检漏
5 c" Z7 Y4 Z6 W4 g% X8 O. V: f4．5．1 检漏方法
( i9 w3 @0 j* H) |, ?/ V" n2 Z4．5．2 检漏应用实例
参考文献
) r5 n0 Q' l1 S* t- M; F
! J* s* j, A: R2 ]! _6 i第5章 薄膜基础
6 O8 b5 E4 F0 P, U5．1 气体与固体
- y# b: V% }* C5．1．1 化学吸附和物理吸附
, e, F. N# f0 O5．1．2 吸附几率和吸附（弛豫）时间
1 [! N, d7 v  O  X9 }2 |5．2 薄膜的生长
, i; Y( T. E! T# m, O5 ]5．2．1 核生长
5．2．2 单层生长
5．3 外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系
& l! e  J6 |' B5．3．1 外延生长的温度
, i5 ^7 L  P: t% G  N5．3．2 基板晶体的解理
/ Y5 ^. ^% z! W( h7 _, b" k, g5．3．3 真空度的影响
* ]1 p$ K9 E: j( N; x* P+ _5．3．4 残留气体的影响
5．3．5 蒸发速率的影响
6 C0 a. B: l: Y8 t, h6 T5 ~/ z8 s( e! Y8 \( Y5．3．6 基板表面的缺陷——电子束照射的影响
5．3．7 电场的影响
5．3．8 离子的影响
5．3．9 膜厚的影响
5．3．1 0晶格失配
9 Q& P+ C6 X: F8 w- v; m6 s5．4 非晶膜层
5．4．1 一般材料的非晶化（非薄膜）
5．4．2 非晶的定义
5．4．3 非晶薄膜
4 ?9 V$ L. f+ @2 k( E& y0 ]4 E5．4．4 非晶Si膜的多晶化
5．5 薄膜的基本性质
+ n0 t  w4 {1 x2 J& }5．5．1 电导
5 t& r! ^" ?4 U' _7 H0 m5．5．2 电阻率的温度系数（TCR）
% N% Q) R$ c3 a; B, x5．5．3 薄膜的密度
5．5．4 时效变化
' u( O7 i; i! G5．5．5 电解质膜
; H" c- R% ]0 i0 }5．6 薄膜的内部应力
' M& S- V" D" A! r7 O9 H5．7 电致徙动
本章小结
参考文献
- U' c- Y( O" [8 i7 y! a( j  [& K2 ]
第6章 薄膜的制备方法
& r+ K* y: O6 e$ I5 g' D6．1 绪论
' P0 S. Y$ |# P4 c% _$ Q; T0 a6．2 源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分
6．2．1 蒸发和离子镀
6．2．2 溅射法
6．3 附着强度
6．3．1 前处理
6．3．2 蒸发时的条件
6．3．3 蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况）
6．3．4 蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况）
& U. ^& |) F) Z% `+ `+ S! r8 J6．4 台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备
, x. {% _0 c+ |& u5 I6．5 高速热处理装置（RapidThermalAnnealing，RTA）
! p$ }8 `' J5 D- t6．6 等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用
6．6．1 等离子体
# c! \4 T" V* A  @1 Z6．6．2 等离子体的产生方法
1 f3 V/ E; r/ V2 y7 A6．6．3 基本形式和主要用途
6．7 基板传送机构
6．8 针孔和净化房
参考文献

7 J0 s+ r9 w( X& l0 ~  J" i第7章 基板
7．1 玻璃基板及其制造方法
7．2 日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长
7．3 单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长
* s- q# i) H. y5 {7．3．1 坩埚中冷却法
7．3．2 区熔法（ZoneMelting，FlotZone,FZ法）
7．3．3 旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski,CZ法）
7．4 气相生长法
: l" ~; T  f. u2 k7．4．1 闭管中的气相生长法
8 o2 f. S: z5 X( e6 ?4 Q7．4．2 其他气相生长法
7．5 石英玻璃基板
6 W! y6 |% N% p% R' P% e" @9 Y/ N7．6 柔性基板（Flexible）
参考文献

第8章 蒸镀法
& s; b9 |. e& W; B3 y& L% J9 [8．1 蒸发源
8．1．1 电阻加热蒸发源
) L, p" w' @. J: H8．1．2 热阴极电子束蒸镀源
8．1．3 中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源
8．2 蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置
8 c% u4 D2 f' T0 ^3 Q, Y8．3 实际装置
1 a( c8 ^1 f1 x! V8．4 蒸镀时的真空度
8．5 蒸镀实例
, b9 B' p) j+ Z: S8．5．1 透明导电膜In2O3SnO2系列
8．5．2 分子束外延（MBE）
: ~. q7 D; A: y1 R5 Q: _1 g8．5．3 合金的蒸镀——闪蒸
8．6 离子镀
8．6．1 离子镀的方式
$ C  J4 d* G9 }* ~% y- f8．6．2 对薄膜的影响
8．7 离子束辅助蒸镀
8．8 离子渗，离子束表面改性法
- c% P* \1 R, e/ A  y) c: N8．9 激光烧蚀法（PLA）
: \! N7 J8 ]: Q% i7 Q8．10 有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀
参考文献
* s. _1 b3 C4 f
第9章 溅射
+ H3 Y4 I$ q! k4 g6 ~9．1 溅射现象
9．1．1 离子的能量和溅射率，出射角分布
: S0 X7 X, a/ U( V9．1．2 溅射率
9．1．3 溅射原子的能量
9．2 溅射方式
9．2．1 磁控溅射
/ f% V2 y8 U6 Y, k0 o9．2．2 ECR溅射
' c. n0 _2 A! u: I4 |9 i0 h* b9．2．3 射频溅射
9．3 大电极磁控溅射
9．4 “0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋
$ w$ t, S& Y5 R: v9．4．1 准直溅射
. I) F' l! Y& J; D6 t9．4．2 长距离溅射
9．4．3 高真空溅射
9．4．4 自溅射
  ~* e9 w$ b7 L8 ~. `9．4．5 离子化溅射
- E; P7 x* W: m9．5 溅射的实例
9．5．1 钽（Ta）的溅射
9．5．2 Al及其合金的溅射（超高真空溅射）
$ A$ }6 d  E) f& c+ _. Y1 L9．5．3 氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜
8 ]  M9 `. ?1 x; s$ L, b- j8 L9．5．4 磁性膜的溅射
9．5．5 光学膜的溅射（RAS法）
3 u! ^! b& f2 C/ f4 L9 M参考文献
3 C" {/ S$ a" a0 y0 [
- G! Q4 v4 x: [第10章 气相沉积CVD和热氧化氮化
: Q/ I" G" X8 f4 f) G/ e10．1 热氧化
10．1．1 处理方式
2 K" l) @. |: a/ h( z2 u- O5 E" T10．1．2 热氧化装置
10．1．3 其他氧化装置
10．2 热CVD
' h/ v( l* I* y( E# Z10．2．1 主要的生成反应
# q& B6 l* O3 ?10．2．2 热CVD的特征
10．2．3 热CVD装置
10．2．4 反应炉
10．2．5 常压CVD（NormalPressureCVD,NPCVD）
10．2．6 减压CVD（LowPressureCVD,LPCVD）
10．3 等离子体增强CVD（PlasmaEnhancedCVD,PCVD）
5 r- V" k9 Y8 Z3 A10．3．1 等离子体和生成反应
& ]9 d6 Y' e2 v% A* ?2 H7 O10．3．2 装置的基本结构和反应室的电极构造
10．4 光CVD（PhotoCVD）
10．5 MOCVD（MetalorganicCVD）
10．6 金属CVD
: g1 s; J* H& Z( h3 \- l. [10．6．1 钨CVD
10．6．2 AlCVD
) I, {! g7 J( H+ k! ?7 w10．6．3 CuCVD
10．6．4 金属阻挡层（TiNCVD）
% T9 l( g, u, |0 C& s2 ^) t10．7 半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD）
10．8 高介电常数薄膜的CVD
* m3 k& d' j5 [/ m, t5 Y2 y, d10．9 低介电常数薄膜
10．10 高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD）
; }* C5 k) i8 {; q& W! m& G10．11 游离基喷淋CVD（RadicalShowerCVD，RSCVD）
: d( j' r/ V* }5 |/ [3 c参考文献
2 H& k1 O/ H4 E1 ]# [' T
( h5 h* f! O3 t/ `7 W! Z第11章 刻蚀
0 r6 l: {5 \: _* Y. J11．1 湿法刻蚀
9 m) M( f" t3 F7 w11．2 等离子体刻蚀，激发气体刻蚀（圆筒型刻蚀）
11．2．1 原理
11．2．2 装置
11．2．3 配套工艺
' \* m2 \+ v" `% M4 @11．3 反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀）
7 h+ J, F' J* @$ K0 o: w11．3．1 原理和特征
11．3．2 装置
11．3．3 配套工艺
11．3．4 Cu和低介电材料（lowK）的刻蚀
# |5 U. l+ ~% E& }& A% o! u. ?# {11．4 大型基板的刻蚀
9 K8 h0 [& z! B6 z11．5 反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀）
% E7 W/ u8 s3 x. W5 ?11．5．1 极细离子束设备（聚焦离子束：FocusedIonBeam,FIB）
11．6 微机械加工
11．7 刻蚀用等离子体源的开发
8 i! }8 `. o0 o+ y* ~6 K11．7．1 等离子体源
$ d% o+ e* h0 f2 V- n11．7．2 高密度等离子体（HDP）刻蚀
* ?" G0 F5 ]* _2 x参考文献

9 n+ b2 }2 o* A$ |. n第12章 精密电镀
12．1 电镀
12．2 电镀膜的生长
; }+ r* A0 r+ s6 Q. J7 U$ d12．3 用于制作电子元器件方面的若干方法
2 K1 c" l; r4 ?0 T! q2 `12．4 用于高技术的铜电镀
12．5 实用的电镀装置示例
3 X/ v* |2 f  q# n参考文献

/ b8 F( I, k3 S$ f( K0 e1 S第13章 平坦化技术
7 D$ k& k) W2 E. a- S, j13．1 平坦化技术的必要性
13．2 平坦化技术概要
, U" R: k) Y# ~, m13．3 平坦薄膜生长
13．3．1 选择性生长
' x; c0 `! T6 {# q& m# @13．3．2 利用回填技术的孔内嵌埋（溅射）
13．3．3 利用氧化物嵌埋技术的平坦化
13．4 薄膜生长过程中凹凸发生的防止
8 t7 V7 M3 i( p13．4．1 偏压溅射法
13．4．2 剥离法
13．5 薄膜生长后的平坦化加工
13．5．1 涂覆
13．5．2 激光平坦化
$ ^" S/ i3 n/ [% L9 j+ O' @13．5．3 回填法
13．5．4 回蚀法
13．5．5 阳极氧化和离子注入
13．6 嵌埋技术示例
13．7 化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing,CMP）技术
7 K+ Z1 y4 {1 q9 \/ P4 k13．8 嵌刻法
- ~% B  n/ l9 ?; y13．9 平坦化新技术展望
- H% J+ ~. z6 C$ R7 e13．9．1 使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术
13．9．2 用STP（SpinCoatingFilmTransferandPressing）法的嵌埋技术
3 V8 d0 t0 \) E; @4 @2 z13．10 高密度微细连接
5 L* _0 s: Y( e* z! v参考文献

luxuliang

好书呀。能给我发一份吗？410352756@qq.com