传感芯片真空封装地质谱检测

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传感芯片真空封装的质谱检测

   赵雷     张禄平

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           　　　　　　　　南京达精仪器有限公司
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摘要   通过对传感芯片封装前放气性质和封装后密封性能的质谱分析，了解样件的放气情况以及封装工艺和封装结构性能，可以为优化封装工艺和合适的吸气剂选取提供依据，为传感芯片产品的漏率检验和品质评判提供检测方案。

关键词    出放气分析    无损检漏    质谱仪

1 引  言
' f( t5 F4 f! S" f# H( K　　传感芯片的性能指标和封装时的工艺安排有很大的联系，尤其是气密性的好坏与否，会直接影响传感芯片的技术要求和寿命。分析传感芯片的吸脱附气体成份，检查传感芯片的气密性的方法很多，而质谱分析检漏法在分析速度、分析范围和检测灵敏度方面处于领先地位。本文所述主要包括两个部分的内容：
　　1)封装前传感芯片的放气性能检测，目的是了解样件的出放气情况，为优化工艺和合适的吸气剂选取提供参考依据。
　　2)封装后对真空封装密封性能的检测评估，目的是了解封装工艺和封装结构性能水平，并为今后产品的漏率检验、评判提供检测方案。
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1 M& e8 x6 I: M( X6 E# V2  传感芯片封装前后的质谱检测和工艺安排
2.1 传感芯片出放气分析
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　　图1是进行传感样片出放气分析的系统示意图。质谱计采用的是南京达精仪器有限公司生产的四极质谱计,型号为SZ-001型，质量范围l～200AMU；最小可检测分压7×10-12帕；信号放大处理采用电子倍增与小信号静电放大相结合。放大后的质谱信号用绘图仪或计算机记录。
　　样片和四极质谱分析探头一起放人真空室中，本底真空约10-5帕。其中，所分析的样片置于加热丝带上，并紧贴在离子源附近。加热带要预先进行细致的除气处理，以降低本底气氛。逐步提高加热丝带上的温度，使传感芯片上吸附的气体随着温度的升高逐步释放，离子源将放出的气体电离成带电正离子，经四极场过滤，以质谱图的形式给出所分析气体的质量分布与含量大小。
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　　图2是硅惯性传感芯片出放质谱图。图中质量数为28、32和40处有三个较大的峰，说明样品放出大量的氮气、氧气和氩气，这与我们在样片加工过程中大量采用这三种气体有关。由于氩气是惰性气体，很难用一般的吸气剂进行吸附处理，建议进行预烘烤，并用氮气进行冲洗处理。
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2．2 真空封装中吸气剂的选择

　　对于处于真空状态下的密封腔体，即使进行了非常认真的密封前烘烤除气，封装完成后仍有一定的气体从表面和样件内部释放出来，这将严重影响密封腔体的真空状态，进而恶化微传感器整体性能。在电真空领域大量采用了蒸散型的吸气剂，由于吸附面积大，可长期有效维持真空性能。但蒸散吸气剂在微传感器微小腔体中蒸散时，不可避免地将对微传感芯片产生影响，且蒸散时必须施加的高温也是微传感器不能承受的。低温非蒸散型吸气剂的出现，可很好地满足微传感器所提出的温度、空间等特殊需求。

　　我们采用ZV6P300系列非蒸散型吸气剂，主要成分是锆、钒、铁，对氢气、氧气和氮气等活性气体有较好的吸附作用。

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　　图3是吸气剂的吸附特性。说明在进行一定的处理工艺后，这种吸气剂将有较好的真空维持特性。试验气体是氢气，吸气剂上恒定压力为6X10-4Pa,试验流导为37.1cm3s-1, 吸气剂表面积为100mm2。
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+ c2 q, b0 H! E( j0 _2.3真空封装密封性能测试

　　测试工作所采用的测试台与图1基本相同，将SZ-001型四极质谱仪器调试到对探测气体He信号最敏感的状态，为提高抽气效率，真空系统采用BALZARS601/S的分子泵以快速获得所需真空环境。图4为封装样品与部分密封检测原始记录。

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典型检测过程流程如下：

　　1.将已封装的微传感器放入样品室，抽真空至1.05X10-5Pa.获得本低质谱图，记录下质量数为3处的碎片峰。

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　　2.将He冲入真空系统，保持1h以上，使He分子有足够的时间渗透到各微小缝隙。

　　3.抽真空至6.75X10-5Pa.，测得质谱图。提高放大倍数，检测质量数为4处的谱峰。（由于表面的吸附原因，一定会有He峰出现，这也是判断质谱仪对微弱信号检测性能的一种手段）

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　　4.连续抽气2h,可跟踪观察He峰逐步减小，这是由于吸附在表面的分子逐步放出、抽跑的原因。（如果He峰基本维持不变，可判断一定有漏孔，He信号的大小，可表征漏率的大小）

　　5.为进一步判断有无漏空现象，向真空系统冲入N2气体，以冲洗样品室和微传感器表面。再抽气2.5h，He峰逐步减小，直至减弱到无法测出。从而可判断微传感器的漏率小于仪器最小灵敏范围，也可说明封装工艺与结构是成功的。
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8 {. ]) u6 T" n! D: d1 H8 N　　上述试验中，设漏孔的实际漏量为Q，则在分子流的条件下，Qt与Q的关系为：
2 G& ?) l2 ^3 }4 X" Y$ n, ^                          Qt=P/P0(1-e-at1)e-at2Q

　　式中P0为大气压强，a=Q’/VP0,Q’=2.7Q,V为被检件的有效密封体积，t2为净化等待时间，t1为浸泡时间，P为氮气压强，由上式可求出Q值。
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3　结论

　　1）传感芯片加工过程会吸附大量气体，所以封装前必须进行工艺处理。

　　2）为了保证传感芯片真空密封腔体的洁净，宜采用低温非蒸散型吸气剂。

　　3）采用质谱仪对真空封装后的传感芯片进行无损检漏检测，是评估封装工艺和封装结构性能的有效方法。