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[讨论] 电子枪蒸发si参数 对最终膜层形态的影响

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发表于 2010-4-14 15:28:01 | 显示全部楼层 |阅读模式
各位大侠,版主好!, f4 r! n7 c3 X# \, A! I% R
用电子枪蒸发si,参数放在什么条件下能得到多晶硅,什么条件下是无定形的硅,0 E2 A4 D; C+ c/ I4 G; ^7 p" K
常用电子枪蒸发能做出来单晶硅么?

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771
发表于 2010-4-15 20:57:36 | 显示全部楼层
应该做不出单晶硅吧
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