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光学薄膜论坛» › 薄膜工艺 › 薄膜工艺 › 电子枪蒸发si参数对最终膜层形态的影响

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[讨论] 电子枪蒸发si参数对最终膜层形态的影响

发表于 2010-4-14 23:28:01 | 显示全部楼层 |阅读模式

各位大侠，版主好！
用电子枪蒸发si，参数放在什么条件下能得到多晶硅，什么条件下是无定形的硅，
常用电子枪蒸发能做出来单晶硅么？

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发表于 2010-4-16 04:57:36 | 显示全部楼层

应该做不出单晶硅吧

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