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椭偏仪测量薄膜厚度、n k

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发表于 2010-1-13 05:38:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
   产品特点:( q) f/ u9 j9 }: G# j
    高精度、高稳定性 ! K8 @$ h& V" j+ ]* j
    快速、高精度样品校正 9 F0 T1 i' P) a, ?& v
    快速测量、操作简便" {3 s1 v0 l1 D: V* A
    多角度测量
* |  @2 v1 C8 e    样品可水平或垂直放置
0 ]8 g6 o: U8 `" X    一体化集成设计
0 `, O1 n9 i& M$ U
! U* O: s7 r' V2 r: d5 v* k( y7 L   椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。
& Z" \7 n" |% P9 C+ i/ k, [ 1 }0 \# \. }& S
产品说明:
) S0 Q0 M$ G/ t; V7 j5 d* z多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征: , h$ r$ t- C) f: B( t
    1) 单层纳米薄膜; 5 s- m$ U  A, L# X  d' g: ^% B5 s" M
2) 多层纳米层构膜系; 9 m5 D% Y0 Y" V9 E' H) d/ S! r) s
3) 块状材料(基底), F4 ]9 p* D2 O" b- g$ z
4)透明薄膜 " m8 ]% @- Y" j3 W
4 L1 P$ O; i) C9 n2 o2 X
EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。
% p6 j' Z, l( ~% D EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性
7 V3 `/ @( X6 c- s5 Y% A/ f, F' y2 V
# F& \5 q& q# G# g产品性能简介:
6 Q: t1 ^# n9 P0 a) b* y! S7 A   
9 n  b4 b* Z3 r" M; h5 `    高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法,以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度;8 b( z8 m" D7 f8 z0 |2 D: k
    样品位置校准可以保证样品调整到最佳的高度和倾斜度,从而获得最佳优信号,没有位置校准很难保证样品在合适位置,信号不能调整到最佳输出状态,测量的重复性和准确定都很难保证。
  a1 K$ t% X# S# X, U    高灵敏度探测器更适合于绒面太阳能电池片的弱信号测试,可以提高信噪比,保证测量结果的稳定和正确。& m- ?6 h0 |  z( w4 Y
    采用补偿器技术可测量的△范围为0-360度,没有死角,可确定△的正负号,并可计算出偏振因子P的值,P值可从侧面评估测量结果;针对太阳能电池绒面特征,测量时P值越接近1表明测量结果可靠性越高;没有补偿器的仪器当△在0度或180度附近的测量精度非常低,也就是有两个测量死角,在测量50nm以下薄膜时折射率误差较大,当然也无法计算偏振因子P的值,也就无从判断结果的可靠性。" q! x+ A) a8 r5 m& W
    耗材是仪器长期使用的耗费品,并会带来进一步的资金投入,EM01-PV采用了伺服电机来直接带动器件旋转,定位精度高,基本没有损耗,采用皮带传动会有打滑引起的测试稳定性问题,并周期性的带来更换的费用和不便。
) e# W( g3 K0 v5 j3 Y5 q. Q    高精度的光学自准直望远技术,保证了快速、高精度的样品校正;
! P1 c8 y. w7 C3 w' m" _6 S    稳定的结构设计、可靠的样品位置校准,结合先进的采样技术,保证了在单入射角度下的快速、稳定测量;
" e3 a6 G! d- ~, n4 s    分立式的多入射角位置选择,可应用于复杂样品的和绝对厚度的测量;4 t" z- e. D, [1 u$ e* ]
    仪器适应性的结构设计,保证了样品可水平放置或垂直放置,方便进行液相池中的样品测试;  
2 f7 }2 Q% c: ?3 J/ I9 `    一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间;  5 g' k9 ^2 L- j7 H; {3 ?
    专用软件中预定义了当前一些常见的应用(如半导体、微电子、生命科学等),可方便用户。
1 A, {1 }% e: R/ W  R# D    内置模型数据库,免费的软件升级( ~) P* I& ?, A( T1 o) A
9 y+ m* h2 q% c' h5 U* m
规格及主要技术指标:
, f# o( P2 u9 s4 B; aEM01技术指标:- d9 d+ z3 h, `! M
激光波长    632.8nm(He-Ne laser)
6 c  M. ?: [, Z# f激光稳定性    0.1%(rms)- i5 g) D; R3 r, q8 x
ψ和Δ的精度    δ(ψ) = 0.08°,δ(Δ) = 0.008°(入射角度为90°)' ?% h" Y/ @- \- U. U
膜层厚度精度    0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
. V% ^. W3 t. H重复性    0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
/ i) V' K+ J1 f1 o折射率精度    1x10-3(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
1 @3 y5 X- Z) e, Q$ Y结构    PSCA% E- p- c3 Q1 H3 c" ?% Y/ e
激光光束直径    1mm
; ~- o: I( u( p. H# S入射角度    手动选择,范围40°-90°,步进5°; i( V% q: w0 \) S: h
样品方位调整    三维平移调节:±25mm(X-Y-Z)
, X; g) R* x; K8 ~. d1 G9 ~* Z二维俯仰调节:±4°9 Z* c7 n; g$ d8 E( V
光学自准直望远系统监视
) b, p; o) n9 e! r1 Z& F4 ^2 c最大样品尺寸    Φ170mm
% B' d+ ]% L" [# [: H/ j单次测量时间    200ms4 t8 W* r: q& q. B6 c
推荐测量范围    0-2000nm
7 I  X4 B; t5 x/ U2 o. y- F# E外形尺寸(长x宽x高)    980x660x430mm (入射角为90º时)4 x) p/ |3 V, e+ t! ?

( `! l, u) c2 W/ Ddec-kevin@163.com
发表于 2010-1-14 03:54:51 | 显示全部楼层
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