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椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。8 M: q' @) \1 j
产品说明: 0 p0 Z+ D3 L9 R* W8 m% B: e* h
多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征:
2 C6 y5 O' \5 j2 B 1) 单层纳米薄膜; + S; j E2 E9 t- }# Z) i+ ]. A
2) 多层纳米层构膜系;
X2 |6 s# i: ?& ~% C' X, l3) 块状材料(基底)' w/ |9 X0 J2 R' N
4)透明薄膜
2 K* u1 @3 K3 D' G0 }
- g i: x& [, JEM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。1 g3 p% M# [' H4 Z" [* ?" o
EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性& D0 J9 y* w J& ]
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产品性能简介: . b' o+ }7 A# x8 t4 f
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[ 产品名称:激光椭偏仪# r$ `+ K3 x# z5 K; I' I" B6 A3 M
产品型号:EM-633
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Multiple Angle Laser Ellipsometer 8 B! o5 r' P: R7 G+ f% m5 k
多入射角激光椭圆偏振仪
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8 C$ ?7 M: N2 v2 e产品特点:+ `0 C6 c+ {) k& M0 r9 r1 @/ n
l A1 J4 t0 I3 C& F$ w$ ll 高精度、高稳定性% L$ l6 A/ D# o# _! C
4 E+ M$ g$ [5 u. ^( Jl 快速、高精度样品校正
( X; E1 U. ~& y1 W0 G+ v+ O' I( u$ | Y) x
l 快速测量、操作简便
) T" J1 r3 d3 t" z3 N! y' q9 ^+ D3 D- A) m/ M! A; q
l 多角度测量
( b0 |# m9 \) D' M- R$ q
) D. ]$ L" f' S* t- Dl 样品可水平或垂直放置
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l 一体化集成设计
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椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。
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A( r* P0 [* P+ ]( q8 U/ i产品说明:0 F- f* @ \' X/ N$ _2 N/ @
1 N. z) A/ W' ~5 I! x- U$ S9 q多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征:8 N8 M& T1 y/ e; I8 d$ j
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1) 单层纳米薄膜;; H$ a$ A; r' J- o* M) x
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2) 多层纳米层构膜系;
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3) 块状材料(基底)7 A5 P4 I1 A0 F' W, z& m/ W9 H3 z
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4)透明薄膜' h$ J; e0 E" M0 j( i1 ?
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EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。
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. X* p& ^2 i* q! Q% z9 f& x EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性
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8 J6 \! h; e2 u/ w6 w: j产品性能简介:
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l 高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法,以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度;
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l 样品位置校准可以保证样品调整到最佳的高度和倾斜度,从而获得最佳优信号,没有位置校准很难保证样品在合适位置,信号不能调整到最佳输出状态,测量的重复性和准确定都很难保证。
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6 t1 \% Q9 F/ C% cl 高灵敏度探测器更适合于绒面太阳能电池片的弱信号测试,可以提高信噪比,保证测量结果的稳定和正确。
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0 z G! q ~4 J; S, n$ Ml 采用补偿器技术可测量的△范围为0-360度,没有死角,可确定△的正负号,并可计算出偏振因子P的值,P值可从侧面评估测量结果;针对太阳能电池绒面特征,测量时P值越接近1表明测量结果可靠性越高;没有补偿器的仪器当△在0度或180度附近的测量精度非常低,也就是有两个测量死角,在测量50nm以下薄膜时折射率误差较大,当然也无法计算偏振因子P的值,也就无从判断结果的可靠性。
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" ]' q9 n5 ?$ v' n. \2 Fl 耗材是仪器长期使用的耗费品,并会带来进一步的资金投入,EM01-PV采用了伺服电机来直接带动器件旋转,定位精度高,基本没有损耗,采用皮带传动会有打滑引起的测试稳定性问题,并周期性的带来更换的费用和不便。
) E; g& H+ w& w6 P( b+ M4 O' D9 E$ O6 p# s$ H* h: i( v! G
l 高精度的光学自准直望远技术,保证了快速、高精度的样品校正;
- F+ x c' i6 v2 J9 w- M0 g. q& c+ e
* k1 {" G. J3 L' Nl 稳定的结构设计、可靠的样品位置校准,结合先进的采样技术,保证了在单入射角度下的快速、稳定测量;5 a% z* b+ y9 ]0 J8 ]" X) b
, \0 R6 }2 I. e9 X8 r# ~+ fl 分立式的多入射角位置选择,可应用于复杂样品的和绝对厚度的测量;
( r/ `3 p$ R* v2 S1 t: w1 D' Q2 h; [
l 仪器适应性的结构设计,保证了样品可水平放置或垂直放置,方便进行液相池中的样品测试;
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l 一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间;
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) {/ Q5 u8 e+ m% g, `: ?2 J" f* v4 Yl 专用软件中预定义了当前一些常见的应用(如半导体、微电子、生命科学等),可方便用户。
7 G9 M, ~) K- }+ B4 w* A, Q0 L ]* \8 s3 A5 I4 I
l 内置模型数据库,免费的软件升级
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1 z3 U \( D+ ]. ?3 \规格及主要技术指标:) X( x2 t0 Z7 i# N% ]
- W0 \" ~% ^* V5 u5 ^+ [/ o$ }EM01技术指标:8 v( P: `) P8 L7 m+ C9 ~1 E
$ Z% l" |( f% V, B
激光波长:632.8nm(He-Ne laser)
6 ~+ @8 K" l* g* C
( ?: @8 r5 }1 d0 H6 m激光稳定性:0.1%(rms)% Y9 C7 A# A0 u
: a5 p0 H' p3 ~ Z; p! K
ψ和Δ的精度:δ(ψ) = 0.08°,δ(Δ) = 0.008°(入射角度为90°)
2 r4 d2 @% D0 K8 q9 }: U/ {. [1 D, O
膜层厚度精度:0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)) @( s2 i6 ^9 {4 \7 D
( l5 V9 e5 z7 p( w4 i& i% L9 a
重复性:0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)( y6 g: @: g3 q# r7 Q3 o( k
3 i; f* J0 J1 P% [$ L# ~3 I
折射率精度:1x10-3(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)( K. P9 s/ o4 `! {3 ~/ j
& Q) g% x9 Z/ q y% w8 n
结构 SCA
4 `2 i3 g' W4 w. s8 Y9 @+ b8 `$ Z
) H2 [9 E: w: I# {激光光束直径:1mm6 o0 y' w; _4 \/ g3 p3 \
: z1 X" a- p. R0 T
入射角度:手动选择,范围40°-90°,步进5°
$ ?& Z% P7 p' W, X5 c% _# G0 g9 B3 w& t5 \0 w0 k: f/ Y( ~
样品方位调整:) x; I. `- K4 `. }4 Z" [+ I' V
三维平移调节:±25mm(X-Y-Z): L, \: q$ t6 s! A3 }
% m' y' u! c* ` v; e& B2 `
二维俯仰调节:±4°
3 R& f; p5 l# D; B6 Z7 t0 s& }0 W! O+ r' N- H9 } ^! ]
光学自准直望远系统监视:
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最大样品尺寸:Φ170mm! B: B5 u' _' U$ l# r6 I
$ J) x- f% _2 Q单次测量时间:200ms
; K, ?- \; a; Y
) P: c! o, k. V1 f$ E2 M. K推荐测量范围:0-2000nm
! g8 U1 v! Q- c! L& j- t" G/ v) Z; v3 O9 C) J7 ~ G0 v4 Q
外形尺寸(长x宽x高):980x660x430mm (入射角为90º时)
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" @- D& k2 i J! f: Kdec-kevin@163.com |
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