庆祝元旦继续赠送免费硕士论文：氧化铟锡薄膜的电子束蒸发制备及其电学性质的研究

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氧化铟锡薄膜的电子束蒸发制备及其电学性质的研究
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/ P9 l% e. d4 ^6 R/ v, ~【英文题名】 Electrical Properties of Indium Tin Oxide Thin Films Prepared by Electron Beam Evaporation
【作者中文名】 李文杰;
, g6 S- W# G7 u1 _: M【导师】 方辉;
【学位授予单位】 厦门大学;
6 {: i# V, B' K& ]' M: d% e/ s" P【学科专业名称】 微电子学与固体电子学
【学位年度】 2009
【论文级别】 硕士
【网络出版投稿人】 厦门大学
【网络出版投稿时间】 2009-09-29
【关键词】 氧化铟锡; 电子束蒸发; 压阻效应; 响应因子; 电阻温度系数;
【英文关键词】 indium tin oxide; electron beam evaporation; piezoresistive effect; gauge factor; temperature coefficient of resistance;
) }- [7 _/ S$ b: z) a' V$ m. ^9 W【中文摘要】 氧化铟锡(ITO)由于其在可见光区的高透射率和低电阻率,作为一种透明导电薄膜被广泛的应用于太阳能电池和液晶显示器等各种光电设备中。作为一种能被用于高温的压阻材料,国外对其压阻效应已经有了足够的重视,新的研究还在不断地展开,但是国内对此的研究还相当少。本文意在通过测量氧化铟锡的电阻温度系数(TCR)和室温下的响应因子来研究氧化铟锡的压阻效应。 使用电子束蒸发技术,选择合适的生长参数在玻璃衬底上制备所需的氧化铟锡薄膜,进行了化学成分、晶体结构、光学性质等常规测量,并研究了退火对薄膜性质的影响。然后用光刻和刻蚀的方法制作电学测试所需的图形。对于ITO薄膜的电学测试包括对其电阻温度系数和响应因子的测量两部分。前者是用黑体辐射来改变ITO样品的温度,测量在不同温度下的薄膜电阻值,并建立了一个理论模型来拟合温度下降阶段ITO样品电阻值的变化,并从拟合参数中得到其电阻温度系数和激活能。后者是在室温下,通过改变薄膜一端的位移,测量不同应变下ITO图形样品的电阻值,计算得到其响应因子。由于ITO样品的电阻值在测量过程中存在一个不能被忽视的随着时间的...
: [7 Q. b4 l$ V, U【英文摘要】 Indium tin oxide (ITO) has been widely used as a transparent conductive film in solar cells, liquid crystal displays and other optoelectronic devices, owing to its high transmittance of visible light and relatively low resistivity. However, the study of its piezoresistive effect is quite rare. As a candidate for the active strain elements in high-temperature environment, it has received some attention abroad and new researches are being carried out. The purpose of this article is to study its electrical pro...

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