求教高手此膜系怎样设计

lhlhlh

基片材料：Ge
  c3 T! V+ }% p/ e& K要求：
峰值波长4.2~4.8µm
3 t. p0 G* l# q0 _3 l1/2峰值短波长4±0.05µm
4.2~4.8µm，平均透过率≧90%
  ?, K" v# [1 _1 P$ u1.6~3.7µm，平均透过率≦1%，峰值≦1.5%

gds

没仔细计算，算出来不一定做出来，太厚了，呵呵还请别的高手设计。。。。。

lhlhlh

有可能用最少的层数设计出来吗？

lhlhlh

有人能否给出膜系呢？

damao

这个有点难度哦

weimao_liu

世上无难事，只怕有心人。

lhlhlh

A:底板为n型锗.
B:峰值波长λp:  4.2～4.8μm;
1 f5 N5 z' p2 ^! {% }& K' Q    1/2峰值短波长λp 1/2:  4±0.05μm;
C:在4.2～4.8μm，平均透过率T≥90%；
    在1.6～3.7μm, 平均透过率T≤1%, 峰值≤1.5%。
. T; X, ?5 M5 G1 E& MD:在1.6~2.45μm,平均反射率R≥85%
4 C) R+ L8 d7 R) s4 S    在4.2～4.8μm，平均反射率R≤10%

fanyushan

基本膜系是(0.5lh0.5l)^5  (0.33l0.66h0.33l)^5, h,l分别是Ge，sio
' s, h% r# V" K% W
5 y+ s7 b; ~) Q; c% [8 F( [  A$ Y' l+ n前后五层经过优化

fanyushan

初学者，望见谅