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用溅射法制备Cr·SiO薄膜电阻器 : y6 V+ d8 Z$ ` w7 Z+ _
5 e- K* i" H) V! k& z: G5 w[会议论文] 王军峰, 殷小莉, 陈福山，2001 - 2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会
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本文介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法,通过大量的实验及不断的工艺优化,制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的成膜电阻器基片,并已投入批量生产. |
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发表于 2009-8-5 11:29:47
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