|
|
用溅射法制备Cr·SiO薄膜电阻器 + ]7 T% Q( I: l4 \
- d" v! K. g! b; [: t
[会议论文] 王军峰, 殷小莉, 陈福山,2001 - 2001年全国电源技术应用研讨会,2001年全国电子元器件应用研讨会 2 t; u6 u, P# H
% o9 P I) ?' w& T/ c* ~本文介绍应用溅射工艺制备Cr·SiO薄膜电阻器的方法,通过大量的实验及不断的工艺优化,制备出了高精度、高稳定性、低TCR的HIC中的成膜电阻器基片,并已投入批量生产. |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看,没有账号?注册
×
|