直流磁控溅射制备铝薄膜工艺参数

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直流磁控溅射制备铝薄膜工艺参数
, H4 C1 j8 ~6 V3 ]+ G) R杨栋华重庆工学院材料科学与工程学院,重庆400050摘　要:采用直流磁控溅射法，在硅基片上制备铝薄膜．用扫描电子显微镜（SEM）、X-射线衍射仪（XRD）等对薄膜的表面形貌和结构进行了分析，研究了不同工艺参数对薄膜表面形貌的影响，分析了制备铝薄膜的影响因素．分析结果表明该薄膜为纯铝薄膜，并且晶粒很小．实验得到制备铝薄膜的工艺参数为：本底真空度4．0×10^-4Pa、工作真空度1．7Pa、氩气流量20cm^3／s、工作电压300V、工作电流1A．[著者文摘]

关键词:直流磁控溅射 铝薄膜 工艺参数
; F* C: H5 J" @$ Z分类号:　TG113[著者标引]文献标识码：A文章编号：1671-0924（2006）08-0069-03栏目信息：材料科学
# c% N1 ?, I0 N9 G+ o1 H* }7 g相关文献:主题相关 全文快照　　　
7 Q1 ~6 q+ E& @" d2 J5 x
. {3 U' {" }& m+ s+ Q0 x( Q) ]* _On the Technological Parameters Deposition of Al Thin Films by DC Magnetron SputteringYANG Dong-hua School of Material Science and Engineering, Chongqing Institute of Technology, Chongqing 400050, ChinaAbstract:By DC magnetron sputtering, Aluminum thin films are successfully deposited on Si. This paper analyzes the surface morphology and structure of the films by scanning electron microscopy （SEM）, X-ray diffraction （XRD） when preparing aluminum films, studies the effect of different technological parameters on the film, analyzes the influencing factors when preparing aluminum films. The results show that the Al thin films are pure aluminum film with very fine grain. The resulted sputtering parameters to prepare the Al thin film are as follows： background volume pressure 4.0 ×10^-4pa, working pressure 1.7Pa, argon flow rate 20cm^3/s, working voltage 300V and working current 1A.[著者文摘]

Key words:DC magnetron sputtering; A1 thin film; technological parameter

doctor

可以侃侃 很不错的内容

yupo54

气压是不是有些高啊

ymh7412

电流为什么这么低？

ykp2000

谢谢楼主~！！！谢谢楼主~！！！

sanny_ljq

谢谢大公无私的楼主