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PECVD 氮化硅薄膜内应力试验研究3 i( \4 a2 Z- b1 f. u( R" z
杨景超,赵 钢,邬玉亭,许晓慧 S4 F/ x0 L5 M8 C
(中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,安徽合肥230027): |* B! F6 e, \
摘 要:研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的内应力。通过改变沉积工艺参数,研究了射; G# O' T' V- U! t; R9 ^
频功率、反应气体流量比、载气体分压比和反应压强对氮化硅薄膜的内应力的影响,并且分析了氮化硅薄' _4 t! `- ?$ N
膜内应力的形成机制。制备出了应力只有- 182. 4 MPa 的低应力氮化硅薄膜。
8 U, {2 L4 O- e: u9 |关键词:氮化硅薄膜;内应力; PECVD+ |& ?6 _' W) B8 I2 s
中图分类号: TB 43 文献标志码:A4 }% x& |# q& n" u0 J' o
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发表于 2009-7-22 18:04:43
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