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我自己用电子枪做的ITO膜，发出来大家分享一下，有意见和建议可以提' K1 I9 r' T G1 G
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ITO导电膜テスト報告書 - t/ ~5 V& }2 u+ m) t; {9 Z+ d
6 O2 W+ ]9 M1 Z j6 C- W★目的★ 0 w- h- \' G2 {, h. h2 u) C% @
电子枪蒸镀ITO导电膜，确认蒸着条件 # Y' D" `5 B3 `1 R, l
8 b/ ]/ I, P# C9 y! ^2 g: ~
★実施日★
: u) Z1 S7 }6 E$ e5 D" g0 @ 2009年1月5日-1月9日 6 v/ `# h, A3 @, a. n) |. k# R
) {7 q' f' M% W, k# _# j★使用装置★ / a: x, L( g+ T7 w8 Y: b
20号機 u# A9 d3 I% w4 {: x
' j" E/ Q+ Z. [5 u$ E★确定テスト条件★
2 y% w# a+ @0 ]1 h3 W5 h( g
$ @& t( G) Z8 T2 A+ J `! e' m 1、蒸着温度：设定360°C（参考日本条件） * T' g. r; P3 X% w: Q
2、蒸着真空度：2.5E-5torr（根据装置实际情况及其生产效率定） 4 R. [) R, k5 ^1 t; n
3、蒸着电流：200mA左右（试验确定，对于ITO膜料在该电流下，不会发生剧烈飞溅，并且晶振可以感应到レｰト）
9 u9 ~0 k& F' e+ v9 L1 X" u' y ITO（氧化锡铟）膜料熔点1450°C，经过多次试验，最终确认蒸着电流200mA左右。电流过高，ITO膜料剧烈飞溅， : F) q: ~5 z' Q, z- `+ F1 N
并且晶振控制时，晶振感应的蒸着速率太高，出来的膜层太薄，阻抗比较大。
4 X* M! b5 r+ H 4、APC确认：85sccm，实际蒸着真空度9.0E-5torr左右。（真空度设定82时，膜层偏软，蒸着完成后，用酒精/丙酮 ; J& f8 D: F' z
等擦拭膜层，表面有白色雾状。当设定APC流量89时，膜层强度试验ok，用酒精等擦拭，表面ok。但阻抗达到1.2MΩ。
& m8 O' [' I# q* ] 5、扫描光斑：Xs＝25％，Ys＝25％（根据20号装置的实际的情况确定扫描光斑的大小）
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! _- @) B1 m" _ 针对20号装置，最终确定的ITO蒸着条件： 8 j# b: M1 c' Y) ` a7 M
設定温度 360℃ レート 1.0Å/ｓ
# l' `/ S$ n# ~% ?$ ~$ c* d% v ' e( t5 z8 D) s7 L, ~2 p
EBスキャン Xs 25% Ys 25% 真空度 9.0E-5torr
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酸素流量 85 sccm 開始真空度 2.5E-5torr
) u+ Y! x" a1 L9 Y2 d 8 y" a* S1 g( m; q
制御方法 クリスタル制御 5 j3 b' M' C) u: ^7 g
% J2 P8 D% E) B0 U, ?: R
* Y* m! O0 M" m+ t# f( ]2 _! C 下图是预熔电流和蒸着电流的设定：
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$ f" ? s" c" |# G
+ H6 K; m4 }4 F: G4 }- j: Q! a0 ?! e' Y' O
* x& n3 Y" w+ o2 j3 } 下图是实际的蒸着后ハース写真 4 x3 X; {+ r4 t }2 M' q6 y
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' ?5 ^* B+ i' j3 W( E& c
4 v( g9 H3 C( k+ o" ]) L3 ?7 i% p 图三
+ i, p" [% K& C( T/ { 蒸着后写真（一） 蒸着后写真（二） 8 m: I, V* P# v. I: u! q
根据实际的写真，200mA的电流是比较合适的电流，蒸着后药品的状态和日本提供的资料情况相似。图三所示， " U$ Q- i: O) A$ e# \5 r( s0 E
实际药品只是蒸着了上表面的一层。
d3 z k# b# n$ A( H' j F( a' p★结论★ ! a/ R; z7 K, ~! J' M. ]6 O _5 x: D
以Camon的要求规格为例，试验结论： : V& p) C! w5 i$ p% c+ o+ P
1、同样膜厚，APC高阻抗越高。APC低，阻抗小，但是膜层强度不够，擦拭后膜层有白色雾状。
/ _" x. X) U7 d 2、同样APC，膜厚越薄，阻抗越趋近于玻璃本身的导电性，阻抗越大。膜层厚度适中，则透過率适中， 7 e K" f8 o& ~
阻抗满足要求。
3 d1 U+ b* b# [1 v: y) p 3、APC导氧流量85，药品预熔、蒸着状态稳定，蒸着速率稳定。
8 ^" L+ N4 i1 ~8 @$ s( l7 t$ g★备注★ 6 |; L0 o( r; m& x
ITO膜料density：大约7.1g/cm3，z-ratio：大约0.72。但是程序设定的晶振的Tooling factor参数没有， $ Q+ J% N3 Y7 P: r; a- ~
所以蒸着时设定的膜厚与实际的蒸着膜厚不相等，经过多次试验，我们最终确定了新规佳能的蒸着参数： 5 l0 r& |/ V) a5 O
3 D# w! Y! o1 B; ?8 R7 Q% u _$ X
设定温度 360℃ 开始真空度 2.5E-5torr 7 G9 Z. m3 Q1 v8 x9 z6 K) l; y
- |6 T# i/ H8 a: n- U APC流量 85sccm 蒸着真空度 9.0E-5torr ; \0 ]5 ], B( I3 [1 F
- y5 W9 i3 S1 h" K D" l 蒸着电流 180mA 蒸着レート 1.0Å/s 7 \ Z1 D2 _6 p0 G, L
5 r! n; c1 s- ^, \) }) e6 q& s 蒸着膜厚 400Å 制御方法 クリスタル制御
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发表于 2009-4-3 15:40:07
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