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我自己用电子枪做的ITO膜，发出来大家分享一下，有意见和建议可以提9 U) i) K! |0 |1 A
& ~6 U! ]+ e0 D* T7 E. [ITO导电膜テスト報告書
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" _7 g1 [; @; U: R★目的★ $ c8 v9 H, v5 w/ G6 Z+ s: H
电子枪蒸镀ITO导电膜，确认蒸着条件 ( Y* u- B' R* r9 ?( Z
; t7 e, `8 }/ q; u) w6 K; _2 m: C
★実施日★ ! i4 z, q4 s2 f# f( L
2009年1月5日-1月9日 0 ^8 |9 V, ~# q' H: q6 `& J- k3 X2 R
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★使用装置★ # W% @( F6 `% j8 n: S- \' j! T
20号機
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★确定テスト条件★ 0 a0 \+ c7 P7 r& x( V) s- P
0 y% s- `4 d; e4 R0 Z% d 1、蒸着温度：设定360°C（参考日本条件） - o j2 A! G2 I; e- [$ m" g
2、蒸着真空度：2.5E-5torr（根据装置实际情况及其生产效率定） ! r0 y: I' W" r8 p9 L2 K8 r
3、蒸着电流：200mA左右（试验确定，对于ITO膜料在该电流下，不会发生剧烈飞溅，并且晶振可以感应到レｰト）
8 o7 h2 R) g3 h" I1 h3 ^ ITO（氧化锡铟）膜料熔点1450°C，经过多次试验，最终确认蒸着电流200mA左右。电流过高，ITO膜料剧烈飞溅， ; S) I( H% F+ l2 }: ?8 g) o$ Q
并且晶振控制时，晶振感应的蒸着速率太高，出来的膜层太薄，阻抗比较大。
8 p" |3 I. {0 P3 F8 i2 i } 4、APC确认：85sccm，实际蒸着真空度9.0E-5torr左右。（真空度设定82时，膜层偏软，蒸着完成后，用酒精/丙酮 ' D9 _+ T6 P5 A2 X F0 I
等擦拭膜层，表面有白色雾状。当设定APC流量89时，膜层强度试验ok，用酒精等擦拭，表面ok。但阻抗达到1.2MΩ。 9 ? e& N5 u4 L/ G# g) g
5、扫描光斑：Xs＝25％，Ys＝25％（根据20号装置的实际的情况确定扫描光斑的大小）
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/ w, b, ?8 E6 t3 L: x 针对20号装置，最终确定的ITO蒸着条件： ; U+ A, N- W, V5 N9 K' j& X, t3 S; X
設定温度 360℃ レート 1.0Å/ｓ
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EBスキャン Xs 25% Ys 25% 真空度 9.0E-5torr
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酸素流量 85 sccm 開始真空度 2.5E-5torr
* O4 A1 M; l9 A) X' C , h1 P( w ~& Q# n
制御方法 クリスタル制御 7 F" k9 Y9 U% N
' c0 ?3 _- v- y! D/ p
* n* k2 n) O0 p; r \8 F& E 下图是预熔电流和蒸着电流的设定：
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0 u8 J- A" N4 k0 T6 `7 N: ]! b/ I
下图是实际的蒸着后ハース写真
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图三 . N2 s% q; T; X o1 G C
蒸着后写真（一） 蒸着后写真（二）
0 j3 P3 D4 x s 根据实际的写真，200mA的电流是比较合适的电流，蒸着后药品的状态和日本提供的资料情况相似。图三所示，
3 \3 _- ? ^: `) \' x 实际药品只是蒸着了上表面的一层。
" [, p% Q# K6 ^( D. m, ~★结论★
6 B& s# Y6 @% x( |- N 以Camon的要求规格为例，试验结论： 9 i6 U" q s9 e+ {' z
1、同样膜厚，APC高阻抗越高。APC低，阻抗小，但是膜层强度不够，擦拭后膜层有白色雾状。
5 s" J) I' \! H5 P0 c 2、同样APC，膜厚越薄，阻抗越趋近于玻璃本身的导电性，阻抗越大。膜层厚度适中，则透過率适中， " v0 b7 |( ~! Q# |# H
阻抗满足要求。 , L' u6 J" Q! z. i. Q" G6 _
3、APC导氧流量85，药品预熔、蒸着状态稳定，蒸着速率稳定。
0 A" C+ d& m5 @) }* c: Z3 A★备注★ / K2 m) F/ w6 p1 m) H
ITO膜料density：大约7.1g/cm3，z-ratio：大约0.72。但是程序设定的晶振的Tooling factor参数没有，
1 g0 C Y' @# J& R8 ? 所以蒸着时设定的膜厚与实际的蒸着膜厚不相等，经过多次试验，我们最终确定了新规佳能的蒸着参数： " ?) W) s" X: o0 Z, Z2 ^0 O1 C
7 a0 t; o3 I x, L0 b 设定温度 360℃ 开始真空度 2.5E-5torr
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* h7 e' v/ _7 t& M" G# ?* x3 J* J; M APC流量 85sccm 蒸着真空度 9.0E-5torr 5 T8 d, p, l6 @+ i" Q0 y" c6 i
4 {) u) J9 M8 l' l) K 蒸着电流 180mA 蒸着レート 1.0Å/s
0 K: ?1 J: P6 s5 ]$ j" c9 ?7 T( D1 H
( \" X+ x0 m3 S: f' \5 y 蒸着膜厚 400Å 制御方法 クリスタル制御
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发表于 2009-4-3 15:40:07
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