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我自己用电子枪做的ITO膜，发出来大家分享一下，有意见和建议可以提8 `: a9 v9 a+ v1 G) J
1 ?! ^4 z3 Y2 F# fITO导电膜テスト報告書
( X! A- ]" ]( V( Y
7 M# }, R9 C8 ^2 k' B s8 `★目的★
8 J, {# i$ X6 j0 o& m4 a 电子枪蒸镀ITO导电膜，确认蒸着条件
" ^" g) w, u# t/ z2 R
4 f7 G+ q4 r5 T% S q7 F$ e, N$ [) n★実施日★
2 r \' t( F. M( [5 e 2009年1月5日-1月9日
2 \ q4 B2 F W
- W3 ^7 c5 H" ]5 _★使用装置★ ( w4 n2 B3 \6 a3 P. c8 L
20号機 ( i% I+ M( }6 s1 m3 o) D: c! C
8 B8 N2 n- M( m1 J★确定テスト条件★ 2 J: H! l6 o9 x u$ `7 ^
% f G: P9 w" v [
1、蒸着温度：设定360°C（参考日本条件）
4 P0 E. d' }+ D/ Z, B& p. r+ S 2、蒸着真空度：2.5E-5torr（根据装置实际情况及其生产效率定） ( k% `3 w9 G- M6 J- h8 o- b- F
3、蒸着电流：200mA左右（试验确定，对于ITO膜料在该电流下，不会发生剧烈飞溅，并且晶振可以感应到レｰト）
. M/ G- D, }( i: R+ [) K! P ITO（氧化锡铟）膜料熔点1450°C，经过多次试验，最终确认蒸着电流200mA左右。电流过高，ITO膜料剧烈飞溅， # Q8 J0 N- ^+ T. D
并且晶振控制时，晶振感应的蒸着速率太高，出来的膜层太薄，阻抗比较大。
' {' i5 s$ m$ Z% g 4、APC确认：85sccm，实际蒸着真空度9.0E-5torr左右。（真空度设定82时，膜层偏软，蒸着完成后，用酒精/丙酮
* {: U- N( |' u, @+ U9 ~2 y* O 等擦拭膜层，表面有白色雾状。当设定APC流量89时，膜层强度试验ok，用酒精等擦拭，表面ok。但阻抗达到1.2MΩ。 $ u/ ]! G" x. L+ y# H
5、扫描光斑：Xs＝25％，Ys＝25％（根据20号装置的实际的情况确定扫描光斑的大小）
! R. G- q. e, J ! ?( |' E1 X) k, ~) ^
针对20号装置，最终确定的ITO蒸着条件： 6 }- F/ R, z( i1 K
設定温度 360℃ レート 1.0Å/ｓ
/ a9 v) N$ I7 b
: O$ U: g/ s7 ] EBスキャン Xs 25% Ys 25% 真空度 9.0E-5torr ( m- o+ k3 Y6 E& E0 H
& A7 ^1 g) h! v s( W' w7 {: | 酸素流量 85 sccm 開始真空度 2.5E-5torr " J& Z' R$ ?' M- M x1 x
. J* o8 c0 \' s3 ?) W
制御方法 クリスタル制御
! R2 C/ H8 n" D( y% y) H
1 Z! l+ ?3 i2 n
" Y c) U) C7 {2 j0 b! c! ^ 下图是预熔电流和蒸着电流的设定：
# Y# n( A, b6 C6 ?7 N9 q" ]0 f' q
3 z9 N3 S/ k- v2 K ( l$ d2 a# I$ s! }4 G% \* s
. q& t) b3 O+ h. ]
9 c/ q# I" H0 o, l E5 D9 ~9 } t
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9 T4 ]$ c2 R6 U3 c" X - I: e# `+ V4 c- t# k9 E5 b
/ e6 t& b; e$ B( [
7 U9 Z1 O( O% `8 f, g
- `! X6 _6 c; x4 _+ P/ X7 j. k
; V1 K- {. C4 f; k! B/ A 下图是实际的蒸着后ハース写真 : G* d H$ o) E" T: p
$ C' G6 i, [9 @9 A# k* r6 ~8 j2 w3 ?) X" U) P5 |0 E
& j$ o4 r9 F/ ?: ~" B9 M! G& W* o, s+ ~% C
0 a( z8 Q6 h% B- d2 F
3 v. V: m& I2 O. c
- l9 b2 ~ S* `6 E7 `6 F& ]
" o: D* ?) s: C1 E2 z9 j9 E9 A0 m/ d
3 q0 v/ X5 |( p* [. H7 p5 f7 K
% ~) x' }( ^2 }9 J7 h
: }7 w- _ V$ @& V 图三 0 B7 Y' [9 g& _& e: l& |4 H
蒸着后写真（一） 蒸着后写真（二）
! Y# e8 |0 c B/ Y 根据实际的写真，200mA的电流是比较合适的电流，蒸着后药品的状态和日本提供的资料情况相似。图三所示， 9 ^% `# S- S/ w* L7 A
实际药品只是蒸着了上表面的一层。 0 Z% ^3 c I0 M7 ~
★结论★
& b m6 w: K: H1 W9 T; J. {- d 以Camon的要求规格为例，试验结论：
3 K/ J9 i8 h: I: K& v 1、同样膜厚，APC高阻抗越高。APC低，阻抗小，但是膜层强度不够，擦拭后膜层有白色雾状。
6 K A" f) b& m/ B5 o7 c 2、同样APC，膜厚越薄，阻抗越趋近于玻璃本身的导电性，阻抗越大。膜层厚度适中，则透過率适中， ( c3 f) n N: `8 y* t. C$ o! \0 {, X
阻抗满足要求。 9 W1 y' R6 j7 l# x0 [ X
3、APC导氧流量85，药品预熔、蒸着状态稳定，蒸着速率稳定。 % ?! m2 e$ B( }& s
★备注★
: b* K* R5 k9 w5 e B% F6 `( E ITO膜料density：大约7.1g/cm3，z-ratio：大约0.72。但是程序设定的晶振的Tooling factor参数没有，
4 T! h3 E8 r5 r) m1 o$ M 所以蒸着时设定的膜厚与实际的蒸着膜厚不相等，经过多次试验，我们最终确定了新规佳能的蒸着参数：
$ j, k# m$ p. q
3 N$ r3 V Y* v; g; k9 f 设定温度 360℃ 开始真空度 2.5E-5torr
- \6 \& f ^! d' ]3 ]$ b 5 D, p3 X, S* n+ {+ e3 C: ?* M
APC流量 85sccm 蒸着真空度 9.0E-5torr
, l4 l* S+ E" T- ^- u2 N ; P N: T/ \/ k7 V4 }# s) Y4 B
蒸着电流 180mA 蒸着レート 1.0Å/s 4 A5 |) O/ n( d
9 k" r. p2 N( q* ` B
蒸着膜厚 400Å 制御方法 クリスタル制御
; c5 B1 K8 p5 l7 \ |
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发表于 2009-4-3 15:40:07
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