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我自己用电子枪做的ITO膜，发出来大家分享一下，有意见和建议可以提
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/ O: v* e9 \' AITO导电膜テスト報告書
* b: g# q7 P# `+ \ 3 z( H3 S; G+ ]) }- N! U
★目的★
) A# ?0 Z/ b D 电子枪蒸镀ITO导电膜，确认蒸着条件
" ]. m5 g. M3 J- |
6 a8 f6 y/ f) O! O9 n6 D- J★実施日★ + E; R6 Y- L4 K& L- X
2009年1月5日-1月9日 * ]- q, {/ O* f
- w1 E0 L( `$ R" m, ]. d★使用装置★
; [: n! A* z' S% h 20号機 2 \9 s+ U, T5 w6 d6 \+ l
3 C1 X4 {$ ~) U& v3 ^0 R( L% _★确定テスト条件★ : a! X: _" z E: j! `0 {% ?
$ C/ i4 J8 ^, T, M5 C) `6 M 1、蒸着温度：设定360°C（参考日本条件）
, g4 i0 i' e$ T3 k4 L( o 2、蒸着真空度：2.5E-5torr（根据装置实际情况及其生产效率定） 5 o& B: i" t9 }( l* B$ M
3、蒸着电流：200mA左右（试验确定，对于ITO膜料在该电流下，不会发生剧烈飞溅，并且晶振可以感应到レｰト）
5 A; e0 H9 Z! b- Q' N ITO（氧化锡铟）膜料熔点1450°C，经过多次试验，最终确认蒸着电流200mA左右。电流过高，ITO膜料剧烈飞溅， 8 D2 @( j! D. r
并且晶振控制时，晶振感应的蒸着速率太高，出来的膜层太薄，阻抗比较大。
% [5 Z+ c- N8 q$ E9 i& E6 @ 4、APC确认：85sccm，实际蒸着真空度9.0E-5torr左右。（真空度设定82时，膜层偏软，蒸着完成后，用酒精/丙酮 # i9 K3 V7 j4 a! |
等擦拭膜层，表面有白色雾状。当设定APC流量89时，膜层强度试验ok，用酒精等擦拭，表面ok。但阻抗达到1.2MΩ。
- ]! n: @: W% N/ [/ Q j; P 5、扫描光斑：Xs＝25％，Ys＝25％（根据20号装置的实际的情况确定扫描光斑的大小）
0 i! b$ {: c5 a+ M: O( ~* j
5 u4 }/ r) q2 `% p 针对20号装置，最终确定的ITO蒸着条件： 7 I+ F: Y1 G! T! ~. W7 n! C
設定温度 360℃ レート 1.0Å/ｓ $ P; y; ^/ F' h1 Z- N0 c& R
o" Q) h9 |" ?% a EBスキャン Xs 25% Ys 25% 真空度 9.0E-5torr
. A' m/ P: A9 l- [& X/ M9 x1 C 5 ~# C% R7 r- P, ~) [+ ?
酸素流量 85 sccm 開始真空度 2.5E-5torr
# n( k+ P' ]+ H# o! a& W" _1 L# H! Z 3 b: E6 V( ]5 I3 v; N
制御方法 クリスタル制御
) |" A3 k/ x% X4 z5 M
6 x& i2 B2 N R5 M! V
6 T9 I( Q* I2 B# T$ q 下图是预熔电流和蒸着电流的设定： " t8 c' {, r! Y
4 [# X1 g" ]7 H$ P' r% d( E
) D" S2 [$ Y) m
$ Q( t, Q0 [+ E5 ^% [4 { y7 R( L0 t9 O
1 q) N4 G6 A8 i2 S. m* W- \9 B5 o
9 F& `8 J- V1 D% I3 O/ u( ~$ X & `' k* d/ v& y5 y
- v7 }4 p8 n" E: g" E
) i3 f5 ]9 H: G0 f) C4 b' ~/ w ' V$ \9 _; ?6 H0 P
+ D6 \" p* D/ ` d 下图是实际的蒸着后ハース写真
: w& n9 k) c8 `3 w4 h
3 S0 n% c' z! F
; r: _) K' U' a6 u e$ Q- ~
0 r# ?2 N5 E9 T7 ^6 t, {/ e' W; b
$ w) {- ?3 O- o
6 T" f7 B' }4 G* c" v, c
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+ J& U! j ~! f3 l
v/ P/ F+ f& {
; j, G' I g) Q3 {: A
5 y% i# m' C2 u1 A- C5 B' W
+ C) U$ N9 z% ~9 Q
2 \- B) i4 X; f4 }3 C1 h* H 图三
( Y* [- Y( p" h( Y% |6 ?0 K# ] 蒸着后写真（一） 蒸着后写真（二）
' Z! a& O( K0 o7 x* O 根据实际的写真，200mA的电流是比较合适的电流，蒸着后药品的状态和日本提供的资料情况相似。图三所示，
1 D/ M2 n' C4 Z& K 实际药品只是蒸着了上表面的一层。 ' q% J" O4 V6 E9 U% c
★结论★ 3 o: \/ S3 W8 a' N: t
以Camon的要求规格为例，试验结论： ; H' p) [1 W9 P* G2 \2 M
1、同样膜厚，APC高阻抗越高。APC低，阻抗小，但是膜层强度不够，擦拭后膜层有白色雾状。 ; ~3 y: V8 `' Q- y; \' P' T9 l( j0 @7 `
2、同样APC，膜厚越薄，阻抗越趋近于玻璃本身的导电性，阻抗越大。膜层厚度适中，则透過率适中， 3 ]( Y4 x _0 s" Q; y1 e2 m/ X
阻抗满足要求。
% _7 E' B) z. k: x: G7 }! r 3、APC导氧流量85，药品预熔、蒸着状态稳定，蒸着速率稳定。 ) m4 f+ F8 Y7 ]8 h+ M- g5 d
★备注★ & ?; k+ j k3 i2 j0 n- }) ]
ITO膜料density：大约7.1g/cm3，z-ratio：大约0.72。但是程序设定的晶振的Tooling factor参数没有，
2 B, V7 ~+ I4 G4 X 所以蒸着时设定的膜厚与实际的蒸着膜厚不相等，经过多次试验，我们最终确定了新规佳能的蒸着参数： 4 ^- ?- }& C+ M/ ]# |! F6 Z+ v
& s9 u$ ]6 X, Q/ ]# V# z
设定温度 360℃ 开始真空度 2.5E-5torr % j- B: ~6 Y7 c. {
, ]2 [' v6 s6 B9 _
APC流量 85sccm 蒸着真空度 9.0E-5torr - @, p) ~. F( X
; g3 g. l; `& p7 ]3 J: J+ V
蒸着电流 180mA 蒸着レート 1.0Å/s 3 p3 D g, U _
' _( t: e. K8 v4 ?. L: R8 b5 \ 蒸着膜厚 400Å 制御方法 クリスタル制御 $ P1 ^4 Q$ S0 z5 P6 R9 U
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发表于 2009-4-3 23:40:07
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