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, m! _& t8 O, ]5 J+ ]: U2 y
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. i {3 E+ O3 \: V8 z* J* h" |
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) G3 R5 ]" E; l4 C
9 ]) T) ~3 Z8 B# z: g% C! V; }
/ J% z$ A( C6 R" c) Z $ g7 y. ~( N4 C9 v1 G" [
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. l# v4 C5 _5 v& s1 K9 W; A2 J# k9 ]1.Thin-Film_Transistors
, s/ x( T* _7 Z; @. }3 O5 z2.Coatings Technology Fundamentals, Testing, and Processing Techniques8 Q- |9 x6 y7 g
3.Thin Films and Heterostructures for Oxide Electronics& E- O/ \+ I! E+ {0 C6 i
4.optical system design8 l1 Z! i/ W& z: {4 B+ i
5.Practical Designand Production ofOptical Thin Films2 s I- N5 ^0 k9 h* U' F6 G
6.Ogale, Thin Films and Heterostructures for Oxide Electronics (Springer, 2005)(ISBN 0387258027)
% u1 B# X3 G; T7.A User's Guide to Vacuum Technology - Wiley (2003) - 04712705209 H$ c$ A9 h4 Z5 V \
8.Dielectric Films for Advanced Microelectronics! s8 Y0 t6 M) z7 V% l/ M
9.Thin- film OPTICAL FILTERS(macledd third Edition)3 @! x: x9 d; Z# m7 Q& ~% e o' O6 d
10.coatings technolg handbook
& ], U! p$ ?. R' l8 t11.coatings on glass; e% f! F( {+ `: z
12.Handbook of Infrared Spectroscopy of Ultrathin Films; S- I; q' {( S/ z0 m v8 O8 Z4 L' x
13.Introduction to Surface and Thin Film Processes
7 M s' g+ ~; y6 N& G& L14.Multilayer Thin Films Sequential Assembly of Nanocomposite Materials
& @( A# g6 w( N" R2 g1 P15.Principles of Physical Vapor Deposition of Thin Films' {% m' e# h: _
16.preparation of thin film% O) W: \2 g% A
17.COATINGS MATEHRaIlAf-LtiStlAe NpaDge SURFACE COATINGS) p( `" K# E8 B
18.Materials Science of Thin Films Deposition and Structure
, X+ M+ }; S5 v" r19.Thin Film Materials Stress, Defect Formation, and Surface Evolution
0 o, a7 h; x5 V7 G) t) z20.Thin Films for Optical Systems
7 f6 ~/ ?$ g1 q7 P21.Frontiers of Thin Film Technology2 }0 v: L' B% E4 N
22.Correlation Spectroscopy of Surfaces, Thin Films, and Nanostructures
6 I4 {5 Y( V8 g* e& f; y23.Materials Surface Processing by Directed Energy Techniques
3 J. w+ v" i3 `- o8 Y24.Ferroelectric Thin Filmsr
' G9 \7 X; x7 e25.Fundamentals of Nanoscale Film Analysis
, \ W! [2 u9 _8 h6 r26.High-Resolution X-Ray Scattering from Thin Films and Multilayers) n" c3 ^8 R/ L, z, ]
27.High-Temperature-Superconductor Thin Films at Microwave Frequencies
3 R" J1 A2 D! M# t' i9 X0 s28.Nanostructured Coatings6 o7 C4 r" M( O6 |6 |
29.Piezoelectric Multilayer Beam Bending Actuators
/ Z3 p. ^7 _) D- x1 W9 D30.Rare Earth Oxide Thin Films
" V+ Z; l1 N$ o% ~. Z31.The Physics of Thin Film Optical Spectra
6 a* ~0 G0 ?1 ^7 W32.The Foundations of Vacuum Coating Technology
! H0 ~. i! L3 \2 F7 z' w33.Coating_Materials_for_Electronic_Applications_Polymers_Processes_Reliability_Testing0 o9 A$ L0 q' W$ V: b
34.COATING for Structural Materials HighTemperature
6 A; y* c8 G4 M1 T35.Thin film technologyIII
+ L+ E6 Y% V; B1 t& l36.handbook of optical materials
5 b% c4 s* W9 | W4 F37.handbook of thinfilm deposition process- E& e- M" h: Y/ R; k# \
38.optical filter design and analysis. E9 z4 c0 m( w0 h& Y# l" S
39.surface analysis and optical coatings( w& s+ x( D$ T
40.surface anf thin film analysis; \) w% `/ q% ?: Y! a M
41.coatings of polymers and plastics: h" \, V& t8 L s# a3 L
42.electro deposition the materials science of coating and substrates8 p- d& e' O1 H" f; V* o* \/ ]5 H
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. T8 z& w0 ?% {" s; `9 Q43.Bass M , Et Al (Eds) Osa Handbook Of Optics, Vol 1 (Mgh, 1995)(1606s)
$ t* t: c9 }, B6 [* | v44.Wiley,.Modern.Nonlinear.Optics.Part.III.Advances.in.Chemical.Physics.Volume.119.(2001),.2Ed( k1 x' _& A6 H9 v# X) q6 A% a0 U
45.Bass M., et al. (eds.) OSA Handbook of Optics, vol. 2 (MGH, 1995)(1496s)
; e: U% e# F0 d* E. Q46.berkely波动（上）
9 A! G; h7 x+ I S0 t- y Q47.berkely波动（下）
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6 J& L. t6 G% N* w2 k7 r3 w49.Wiley,.Modern.Nonlinear.Optics.Part.I.Advances.in.Chemical.Physics.Volume.119.(2001),.2Ed
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5 e1 o+ T8 z: y8 p4 T8 b
. G0 F0 T5 Z" j6 ?8 ~$ ?& G- p1 Y( B
中文：9 D- i. I+ F [* f3 Z- [
% _) t, ?. M) [! h5 Y' b0 ]1 D图书名称：光学干涉薄膜
: }- j6 e _, O# s4 p7 W9 G+ p4 u' p$ n$ T! ^* g ]( K
% ^1 z$ s# s i0 N" S9 j5 C: M9 _出 版 社：浙江大学出版社
- P4 h7 w5 l& i( P
6 J1 K2 V8 z- B$ W. E& T/ ^, Y2 U! X出版时间： 2008-8-1
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! `2 m4 w; n/ P9 T, J: ?/ Y
8 q0 Y2 j) I. Z5 q2 |3 z内容简介
" ^1 s' y/ U$ a8 j7 j: [; f1 R3 h* g- I
本书覆盖了现代光学技术中最基本的干涉光学簿膜当胶所有的研究领域，是为具有工程和大学水平的新光学从业者和专家撰写的，也是为科学与工程学科的大学高年级学生撰写的，目的是全面提供光学簿膜领域的完整认识，反映光学薄膜动态和快速变化的特点。本书共有18章，涉及干涉薄膜广泛主题，第章都由专家撰写和评论，提供权威信息。这些专题包括（而不只限于）自然薄膜、光子晶体结构、光学薄膜设计、镀膜材料、薄膜生长、大小尺寸基板上光学薄制备、光学薄膜表征、光学薄膜应力、光学薄膜微小元件、DUV/VUV/EUV薄膜、超快光学、显示系统用光学薄膜、超敏感荧光应用、抗激光损伤薄膜、自由电子激光用薄膜以及塑料镀膜等。本书以一种逻辑顺序介绍了光学薄膜领域基础理论和最新研究成果，每章末还给出大量参考文献。
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( Y* U. u% I: N7 x* B1 q图书目录
4 W9 `+ o! V) k, U" P8 Q
9 i# j2 N2 L- v+ s自然界的薄膜
5 @- y! D [; r- V具有光子结构的干涉器件) t9 w) _; |* ` e3 y1 f* _6 Z1 \2 c% ]
光学薄膜生长的基本原理3 h+ a8 ]' J/ `. D8 b8 L! z
光学薄膜设计) [: ], u3 P0 u* @
镀膜材料# j- C! @( i0 i s0 T- P# `' C
薄膜沉积方法
0 J9 j4 f; N; y, R A! S& R6 j大面积沉积技术
8 B$ t. s. U8 o# C4 C0 m特性检测和监控* z1 u1 Q7 i. W* s$ G
光学镀膜中的机械应力
. c) f0 i- |! K; L6 K微器件中的光学薄膜* v8 ~0 o6 {( N' z
深紫外和真空紫外光学薄膜
& D0 Y5 u6 P7 X2 I/ U, Y- ^极紫外与软X射线多层膜反射镜
: \, X: X8 L* b6 `6 f& I抗激光薄膜
, [: O4 v. r8 d紫外自由电子激光器中的光学薄膜& Q5 I" I5 K, T
塑料基板光学镀膜
' R' P" X5 i3 {; n1 G. I应用于超快光学的干涉薄膜* P9 p$ S0 W( M3 _4 U
显示中的光学薄膜
- e: P1 E/ t- P9 e8 |! _" q6 m( p/ @用于自发辐射控制的光学薄膜
+ |2 s$ G9 X! N" ^( L, I' F后记+ o2 G; k l+ Y" d
9 F# [) \9 {5 d, W
6 `6 D! X1 q X8 `! j/ e& t# k) _6 ^. p" d7 G6 n: c) i) v" U: X
书摘
# S! z) n5 E8 h5 o& D! g
1 \, y4 a, \& o自然界的薄膜
0 ?. w3 b w. Z6 \( K$ E& e 1 介绍
; N; ~! d1 D! `" H 大自然尽情沐浴在光与色彩之中。作为生物种群内和种群间交流的基本手段，光与求爱、伪装、掠夺、喂食以及更广泛的生物行为的许多刺激相关联。光已被认为是地球早期寒武纪时生命爆发后生物进化的幕后诱发源，因为在5亿年之前，寒武纪的开始时期突然出现了大量多样化的生命。
9 F1 y9 G+ y; J8 Y! E
5 P' ^& x. ~: a: l0 K' j9 @ k5 W4 `. y V" U: w3 H
6 X" |! p" a; E( E' h2 X' n x书名:现代光学薄膜技术8 i* p7 ^. @' K( M. z6 @2 V$ A
8 p. i, @3 X! e8 u: r作者:唐晋发 等著; N6 E9 j8 s+ }
7 ?9 L4 L; ?7 P+ I2 r9 f4 P# [2 N) [
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7 m4 R4 [8 X6 e3 `页数：492
* z+ I5 \* H6 c" V( Y; k# r: Y7 o; v2 C3 x1 P; x8 g7 |, b
7 s s% F9 F- X, _9 A+ A$ D
/ E8 Y- l. M$ c+ w% L& o
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! P$ \+ O* O/ `1 u) R2 w
3 m0 m2 t! Q0 k" n: V) P* y: A$ S内容提要
+ u- Q7 a9 k# k, w j f, w+ }
; ]) q% u* F+ _ n/ J--------------------------------------------------------------------------------
& c% e* L4 N9 b9 C) T+ R6 \- @5 Z. L) v) y' v
光学薄膜是一门综合性非常强的工程技术科学。它的理论基础是电磁场理论和麦克斯韦方程，涉及光在传播过程中，通过分层介质的反射、透射和偏振特性等。本书第一篇主要介绍光学薄膜特征的理论计算、光学多层膜的设计理论和技术，由唐晋发教授编写。第二篇主人介绍光一膜的制造技术，包括以物理气相淀积技术为代表的成膜技术，涵盖真空设备、薄膜材料、制备参数控制技术、薄膜厚度监控技术、膜厚均匀性以及制备参数对薄膜微观结构影响等。第三篇主要介绍薄膜光学特性与光学常数的检测技术、薄膜机械性能的评价技术等。由于光学薄膜技术又是一门交叉性很强的学科，涉及到光电技术、计算机、真空技术、材料科学、自动控制技术等领域，为了满足部分来自不同领域的光学薄膜工作者学习本书的需要，增加了一个附录，主要介绍几个数学物理基础理论。3 u& z- i% E% }4 ^# R9 L. q3 j
" L3 d, G1 R& }0 G5 v. J: q8 |目录
% W ~2 f5 ] h. L8 `7 F) n4 d( ]1 [ \& T3 Q- m: q% F! x/ S
1 w/ ~* d( H/ r7 a2 l
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3 [8 ^0 f5 p- ^# m+ i' T' a
第一篇 光学多层膜设计
, F9 K a1 E$ N5 e7 N' a. t4 Y) v 第1章 光学薄膜特性的理论计算
/ y+ U/ @9 |; v* h4 a9 Y 1.1 单色平面电磁波
6 ~9 x$ s, Z( I( I 1.2 平面电磁波在单一界布的反射和折射7 w' c" {0 N& C9 X4 m% ^7 t4 x
1.3 光学薄膜特性的理论计算
$ y: [ X' U9 [+ o9 K/ t( y 1.4 光学多层膜内的电场强度分布
- b/ ~# x, J; A7 d7 z' b 习题
( M, Y, d2 G1 p" o! t 第2章 光学薄膜的设计理论
8 k( @* x0 G. h) k 2.1 矢量作图法9 c' H7 N* u% F/ d& G: m( I
2.2 有效界面法6 p7 p i" N0 i0 E) j
2.3 对称膜系的等效层6 ~5 n |8 g: a" s: E1 n
2.4 导纳图解技术
5 z- y P& [; E0 w @3 P, @$ \5 | 习题% X" t4 h! q: ?; B" ?- W! C# W$ P
第3章 光学薄膜系统的设计
# F Q2 D$ H L0 t4 ]7 q 3.1 减反射膜
% d, C- o' _# k1 [5 `/ V( k 3.2 分束镜, [, E" V; h8 z, q9 E6 j5 F
3.3 高反射膜0 A- Z- h) h. I# p6 { s" B
3.4 干涉截止滤光片
+ u) _: I) @0 m# N* [. n# g% h8 ~ 3.5 带通滤光片
& }% h' s, K+ {8 B/ W( b 3.6 特殊膜系* I3 @0 e+ g8 |! O" b$ U
习题( C* o- l7 a, d2 `
参考文献
5 H, c1 m3 f: m( Z) G8 a第二篇 薄膜制备技术和微结构特性' x- G9 K% [- x$ V
第4章 薄膜制备技术
0 _; H# ^) Y5 J0 M9 T 4.1 真空淀积工艺
8 R* \& _$ j& L7 O 4.2 光学薄膜材料: }3 q0 B' h4 Z) d
4.3 薄膜厚度监控艺术
$ L, e& l' `. ? 4.4 膜层厚度的均匀性
" \) _4 z7 N" G" M 习题
3 N t9 h9 ^: [, V/ @ 参考文献
3 n8 I8 i& Q( x! @ 第5章 制备条件寺薄膜微观结构和成分的影响2 R( T7 w4 j. R J0 g% X {
5.1 薄膜的形成过程
. o: P3 `0 Z3 }; n3 e 5.2 薄膜的微观结构. z: m9 ^4 i% }( T9 Q
5.3 薄膜的成分, S6 t3 T% ^+ C- a+ q6 T2 x* t8 f& }
5.4 微观结构和成分对薄膜特性的影响
4 H7 u$ I$ f/ \$ h 5.5 薄膜微观结构和改善
5 t! o, z6 p# c. Q- k w( ` 习题8 W; ` O4 k( w# P7 l) ~* y! o$ H$ H- r
参考文献2 s! _: ~! @" ~- F6 D
第三篇 光学薄膜检测技术
+ ^0 _1 l+ J) f 第6章 薄膜透射率和反射率测量
; O% Q/ b' _ k% f% k* _! R+ a 6.1 光谱分析测试系统的基本原理8 B2 t6 c: J2 |' h+ K" f
6.2 薄膜反射率的测试
Z9 O) ]/ ]# n9 F4 c/ r 6.3 薄膜反射率的测量 6 y( [9 P( o L9 N, ^8 g5 G
6.4 利用激光谐振腔测量激光高反射镜的反射率与损耗 X |( E( K! M/ e7 O+ W* c5 r
6.5 总结
# w o! ?+ l! K3 \5 S* G/ ? 习题
# z9 Y7 z2 V( L& C* F4 Y$ G 参考文献* L" a- z0 ? {5 |5 E3 s
第7章 薄膜的吸收和散射测量 3 p5 g, i+ u6 h+ i
7.1 激光量热计基本原理
; z, O2 h3 [6 O. `' R: [: ` 7.2 光声、光热偏转法测量薄膜吸收/ q: w& W* V' A0 l5 K" U
7.3 薄膜散射的标量理论和总积分散射测量
( Y) K( V" j( y, J+ m 7.4 散射光的矢量理论和角分布测量! c" c# E0 q$ k4 B( w; p
7.5 谐振腔衰荡薄膜损耗检测法
9 B& [, ^5 B7 T0 @/ Q* }: e 7.6 薄膜导波传播衰减系数法
5 [4 x) Y- v2 {4 _; S 7.7 总结! p9 y) ?; f. f& T3 t
习题' S# y) y; h+ {1 c f4 O! i
参考文献9 {+ |" {: j K) I2 Z0 i2 d
第8章 薄膜光学常数的测量
; _! h; E4 o- O) }! P3 S* y 8.1 从透射、反射光谱确定薄膜的光学常数
9 {( w8 g: L& b* h# M 8.2 其他薄膜的光学常数测试方法
9 [# b! `: _4 y! N# w/ u( }& I 8.3 薄膜波导法& w% @2 q' M& T3 }. f. y/ X
8.4 光学薄膜厚度的测试
% O9 k6 @0 k- R1 h 8.5 总结
1 o9 t4 H( d: P+ [9 j+ a% {( ^$ k 习题 ?9 o9 r2 z) b7 A) X
参考文献9 @6 R5 R- V8 M7 D) V
第9章 薄膜非光学特性的检测技术
4 v, A* ?# z# S# g 9.1 薄膜的力学特性检测技术2 s, Q( p4 l6 t$ Y3 M( Y$ k/ T- K5 b
9.2 薄膜器件的环境试验
5 k/ S- C$ f {' K 9.3 薄膜的微结构与化学成分检测
& z1 d P* e3 m/ y7 d- K" G! H 9.4 总结
' c' E+ Q: N+ _5 m5 p7 L- A 习题
4 N4 c6 f" t* E: y* u5 L 参考文献9 v7 j2 O& @6 p
附录9 u& d7 k1 I# E3 a" a
附录A 复数与复数运算' p4 v% | L7 j$ M I3 m" R
A.1 复数的概念
3 h5 V& l, ?; V' K: a A.2 复数的三角函数及指数表示方法6 c, `+ K: n: @# ]. I8 |
A.3 复数在物理中的运用
% Y1 B. b; R8 r- @+ Q 附录B 矩陈及矩陈运算
& D, ~7 Q9 ^$ z. w- V& ~ B.1 矩陈的定义 T( j& H$ [3 D, s6 \! A3 g
B.2 矩陈运算! F& e/ }! W# }* v
附录C 光的电磁理论基础: d9 K% n! Q5 J( D5 j5 B
C.1 振动与波
- i" R$ h- v7 s' k/ d C.2 电磁波
5 O4 N5 Y) |5 ^2 z7 @ C.3 麦克斯韦方程
6 d9 n5 ?$ y1 s! l4 A: E8 X C.4 平面电磁波8 N* w$ ?& h4 S/ p
C.5 平面电磁波性质
; `1 f, c7 P+ n8 u C.6 电磁波在介质表面的反射和折射 6 p; J5 N; Q i. z8 t) V( n
附录D 光的干涉% @ u6 Y# G/ v0 v. p5 T
D.1 波的叠加原理
) |7 M& j' U" E D.2 杨氏干涉
& w% Z+ K# m6 b7 U- g7 l/ \3 _6 f3 U6 X D.3 平板的表面干涉2 L4 `+ x: A b6 s! U
D.4 光的空间相干性和时间相干性
+ D7 A1 d* [' _; x* U. x% `0 s 附录E 光的偏振+ h8 z. H7 Y2 Y7 b/ ^7 O5 l
E.1 自然光和偏振光
7 s. N7 m) y% z# V) R E.2 偏振光与Jones矩陈7 F: s2 Y8 a& O% X! ]# b2 a
E.3 偏振光的获得
3 }! {7 a; J5 {- ^ E.4 偏振光的检验
5 F4 ^# |: D- j+ L6 a' r8 l
$ A D# `) t( `* [. Q0 |) z( B# q6 T# t, T! t- _: s4 {8 b# b
& W7 ]- y8 s7 ^# H! g0 P. P8 W
! D; C% ], d; e6 q
 1 R/ o7 b( E: ?) z" d
, b; F T: q- `- a- I- M* }. ]* \. g4 r1 `' c
* O9 s& p) B4 s$ B; x8 O- C书名:薄膜制备技术基础
5 [8 [$ y4 ]4 M0 W7 k4 V; B# U5 F6 o* W; ~* G# b8 A
作者 日本)麻蒔立男# P4 o: {. h2 W4 c& M
e6 ~9 E$ w; j z2 b' v& a
出版社：化学工业出版社6 Z8 _8 _5 \7 w z0 k
* r# u* @8 }# {' T/ O, u, M- d; d" t原价：39.80+ z. \4 T( m" m8 O4 ?
# d0 ?: g! t' c8 G# R! m9 V3 z出版日期：2009年05月
9 {$ Z0 x% I+ A3 e8 Z$ G6 K4 m, o y4 l8 _
ISBN：97871220458810 V0 L- @! }+ L+ \0 `! i; W- l* E
, O9 F5 s. Z: c" n v' a9 F. i
字数：% M' ~4 u" Y6 l! R
9 L. G9 l4 ~ f8 d9 V- b
页数：336页 u' H" n1 l( w' s6 m" e" Q( _! D
# j0 a8 t4 P) n9 \' l4 f
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/ ~4 l7 ^) B2 r) T; c$ C) e. ?5 k1 _3 n; A/ a/ R: Y% ]/ g, |
版次：第1版
% T6 ?/ P. b- s" Z& H2 B" ^: t2 H
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- R! T* R2 m. u. k) W% Y: n( S开本：32* d3 `! m8 r, o+ E4 e" p# e( y5 r
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+ w( f/ B% K) h7 w) a& J# N" h% s) V编辑推荐
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/ y. i4 ~) s8 M7 L9 @* {1 ]) }--------------------------------------------------------------------------------
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《薄膜制备技术基础》的内容丰富，由浅入深，对于材料科学、微电子专业学生而言是一本良好的基础教材；对于在这一领域学习、工作的人员而言，具有很好的参考价值。+ I# {9 k5 ~( `2 G5 n& N' K: s
" U+ d; y* |) K6 I6 @内容提要
+ g6 C6 G" U7 d' Y5 v4 ?& i6 j4 X" c! V1 v; @
8 j4 T0 Z0 u* t" c0 U
--------------------------------------------------------------------------------
: _8 ]7 O$ M( d( O& C" @! @" t' y! O; U( U+ P4 p) [- \
《薄膜制备技术基础》较为系统、全面地介绍了与薄膜制备技术相关的各种基础知识，涉及了薄膜制备系统、典型的物理制膜与化学制膜方法、薄膜加工方法，以及常用的薄膜性能表征技术，同时紧密结合当前薄膜领域最先进的技术、方法和装置。原外版书作者长期在薄膜科学与技术领域从事研究、开发和教育工作，有丰富的工作经验与广博的专业知识。《薄膜制备技术基础》自初版以来，已有三十余年，迄今已4次再版，反映了《薄膜制备技术基础》在这一领域具有较为深远的影响。. Q8 Y+ j$ p/ r4 _# x) u/ U
( [2 V' n' c6 F' D+ f8 }8 U0 n7 S
目录. e; k1 N& X. k- l
/ F+ v) V. t/ r
$ g( _" @3 h* h9 q; v2 v: ?--------------------------------------------------------------------------------
" c: w5 {; E+ n/ j5 Q. n
; }) B( O [% V, k5 n: p第1章 薄膜技术
- A% n' I! }" Q, X1 V! C5 @1．1 生物计算(biocomputing)和薄膜技术6 n f O! V) x# G/ Z0 H8 i
1．2 医用微型机械5 ]2 h) ?5 x& W: T% [3 O
1．3 人工脑的实现（μElectronics）
4 N8 y n" M/ j+ x' F) n1 z1 H+ t1．4 大型显示的实现/ u) l; H7 p. ^3 J0 e. C
1．5 原子操控
3 E2 F \4 |: ?1．6 薄膜技术概略# T( f5 Y3 V" N2 P2 |, W2 A3 a
参考文献
, R6 d) |# u4 C" V$ c+ Z3 R: G$ k: `; l: w
第2章 真空的基础
6 \3 ]& M" b n' }2．1 真空的定义
" i; e \$ v( T [, V7 L7 `2．2 真空的单位- _: K& L# |8 c& h$ ?3 ]: |
2．3 气体的性质: s& M" y! r+ J3 }
2．3．1 平均速率Va
' P& G7 y' O* V" M3 f2．3．2 分子直径δ
2 e8 D5 q" [7 t+ N6 d9 O2．3．3 平均自由程L+ n" p: }, g6 [ Q+ R
2．3．4 碰撞频率Z) M! R; Y7 V3 W, v& S
2．4 气体的流动和流导
, r6 _$ A k6 E) ^1 D8 m2．4．1 孔的流导
3 E$ T! H1 U. j# z" S4 x4 l$ ?2．4．2 长管的流导（L/a≥100）
* `0 ^0 t& @! M. e n2．4．3 短管的流导) K( @0 J3 p. Z0 O5 {
2．4．4 流导的合成) J" W& R. M$ ]- e* H
2．5 蒸发速率
$ Q8 h4 |- J- L: ]4 m' a参考文献
4 A+ U) @7 h& i% l0 I6 w1 @
' k; X* c6 _* N k2 V7 V* X$ s; P第3章 真空泵和真空测量2 x) @/ Z* a3 F' l3 |; k$ z+ h0 _
3．1 真空泵" S; X0 g! J. h2 H' {. X
3．1．1 油封式旋片机械泵
/ Q- S# l, Q$ f; R3．1．2 油扩散泵
% D+ {; o9 Q3 H! @; h; P" h3．1．3 吸附泵
( F% Z5 d2 T% l: M3．1．4 溅射离子泵
9 j* ~1 R) K- o/ }1 _, j, r: T3．1．5 升华泵
/ G$ K8 O! o: @1 @3．1．6 冷凝泵
1 s2 N: l" ]( O3．1．7 涡轮泵（分子泵）和复合涡轮泵* O7 y* @, m% y; O% M* q K: b
3．1．8 干式机械泵
1 J& `" K( z8 ^! I% ^3．2 真空测量仪器——全压计
! y' _4 e. X3 t- {" Y- ?2 z! O3．2．1 热导型真空计
. f# J1 f" ~0 Y& z) A3．2．2 电离真空计——电离规
+ q7 W. b0 [4 o3．2．3 磁控管真空计; N8 E/ y0 r0 ?; q
3．2．4 盖斯勒（Geissler）规管
$ F3 x' k4 _6 _- W& n% C% Y3．2．5 隔膜真空计" A2 w( A: D& @- P* d# g
3．2．6 石英晶振真空计% K- D- f9 r4 E9 f, a. B
3．2．7 组合式真空规# T. q S a; G: D A- {& m+ ~2 \) R
3．2．8 真空计的安装方法
) p$ m1 v/ j- O0 R8 I3．3 真空测量仪器——分压计% p- H6 |2 i8 B J. h! b% W
3．3．1 磁偏转型质谱仪
% D" M9 f: f% b3 L; q8 D, Y3．3．2 四极质谱仪9 P# A6 V* ]9 ~! Z4 g# a0 P: g( Q
3．3．3 有机物质质量分析IAMS法# d9 F# u! e" y7 B5 p
参考文献1 W2 G3 C" p! Z- Y
/ y, f4 ?6 M8 J( _# b第4章 真空系统
4 a g8 U! Y5 c* V4．1 抽气的原理
& n* d+ W2 Q5 i$ G6 n4．2 材料的放气
3 i) E- u. U7 h! Q: a4 v5 V4．3 抽气时间的推算* a, P7 w2 _; r: m
4．4 用于制备薄膜的真空系统
" |9 n0 ^* ?) Q: ]+ V0 X7 f2 O4．4．1 残留气体4 I) \- q" O4 i* Z
4．4．2 用于制备薄膜的真空系统- w/ W7 ~" n/ G6 F
4．5 真空检漏
* N5 A: n9 N+ U+ Q5 G& s" L6 ]4．5．1 检漏方法
& A4 \+ X V; \; j' }6 u4．5．2 检漏应用实例
( J7 Q: F8 [( }0 z. G, g9 {$ M参考文献
: O1 b% r& C+ w8 J/ j4 B3 x1 W2 U" M9 j2 v0 u9 ~0 l& t; D3 x; ~
第5章 薄膜基础
+ A9 }. P5 [' }# X* ^& h5．1 气体与固体
% z" a) p- S5 o5．1．1 化学吸附和物理吸附
& U% l# ^7 T5 y/ b1 \5 T9 O! s% H5．1．2 吸附几率和吸附（弛豫）时间. E1 c( u, I0 M& B, @, f
5．2 薄膜的生长
' c. T. e% y, B. H/ Z; ^5．2．1 核生长+ ]! D- H/ S( ]6 q' B
5．2．2 单层生长; J/ H+ u4 ^- V$ d3 u6 G
5．3 外延基板晶体和生长晶体之间的晶向关系
3 w9 v! w( D# L) f) H; Y8 L4 ]5．3．1 外延生长的温度
* F0 j% g0 C# D0 `5．3．2 基板晶体的解理
& r) L2 M. Q7 b% r6 i1 H: t5．3．3 真空度的影响. G" U1 C: M% W h" Z( o
5．3．4 残留气体的影响
. Z; h' G7 m: |% D. z# W! H5．3．5 蒸发速率的影响/ B2 R5 [4 L5 U
5．3．6 基板表面的缺陷——电子束照射的影响
$ k- T1 B6 P. ^& t: I5．3．7 电场的影响
! p& d* c3 z7 R* d6 a5．3．8 离子的影响
. {1 V( z; t! N* o1 \- v5．3．9 膜厚的影响
% g* q( R( F$ b5．3．1 0晶格失配. a4 } J6 ], V8 M, P
5．4 非晶膜层
4 g$ J) ]1 F/ p M5．4．1 一般材料的非晶化（非薄膜）) c! {1 a0 w: K2 X; e5 g
5．4．2 非晶的定义% x5 e7 r4 @! f8 m* E& t* p
5．4．3 非晶薄膜- ?9 W2 g; C9 E6 Q
5．4．4 非晶Si膜的多晶化. V& |4 b0 R+ n" [" D. Y
5．5 薄膜的基本性质
7 w: u1 q9 Q& w5 e9 h" }% z6 @5．5．1 电导
; I8 d0 K& E l: l" w' m5．5．2 电阻率的温度系数（TCR）
% u/ \2 O# V4 S- ?8 H5．5．3 薄膜的密度
# C; {7 b: V4 ^4 N1 q$ Z2 U: l5．5．4 时效变化& M' x: _! r# u7 y/ g8 W" x$ q
5．5．5 电解质膜
: L/ _# r# A# s! ?& ]5．6 薄膜的内部应力0 G: E: e+ B5 j7 o. ^
5．7 电致徙动
# r/ L7 [$ v. C3 X' U本章小结
! K3 P+ l A1 R% u参考文献% ]4 A8 i3 a& W9 }
/ ]7 |2 u( |% i& V: a- `
第6章 薄膜的制备方法# Y) a+ B! W' t, w' N' R4 b: c. j
6．1 绪论
5 `8 A F8 A* j" H8 h6．2 源和膜的组分——如何获得希望的膜的组分( k( m! n# R$ E! H
6．2．1 蒸发和离子镀
- l+ V+ d% ^- H) { E* R. h7 F6．2．2 溅射法5 r" C5 A* I7 B
6．3 附着强度
% F( j ?' d; P5 A# T1 q* d4 A6．3．1 前处理1 N5 d9 f' g' W% g4 S. V( N
6．3．2 蒸发时的条件6 O Y* r5 n; n% K
6．3．3 蒸发法和溅射法的比较(基板不加热情况）
; E; N6 K9 w% l! T9 \6．3．4 蒸发、离子淀积、溅射的比较（加热、离子轰击等都进行情况）. E* F5 J# d4 \
6．4 台阶覆盖率、绕进率、底部覆盖率——具有陡峭台阶的凹凸表面的薄膜制备
/ b0 X' P& [$ _1 n# Q. l6．5 高速热处理装置（RapidThermalAnnealing，RTA）
6 `% ?+ A$ \9 @: x* m9 |/ }4 N+ a5 H- b6．6 等离子体及其在膜质的改善、新技术的开发方面的应用3 s$ Y1 x! k F
6．6．1 等离子体
& t& o' Z) b; f0 n* T3 o% \; X5 ^( p6．6．2 等离子体的产生方法7 {$ ~1 h+ r( f c. V B b" Q
6．6．3 基本形式和主要用途
/ m; t, h5 g: k5 R: C% j: }6 I4 f' B6．7 基板传送机构0 F- ^- y0 y3 U) A- J1 q( r( o% E
6．8 针孔和净化房
% d: P' D2 B" q- m参考文献; K4 o4 ], D- ?" B/ x
( w/ }' c! g+ E$ Q
第7章 基板0 J7 _+ c K. X5 Q5 K8 [' M
7．1 玻璃基板及其制造方法
1 Q! T: ^4 {! g( u7．2 日常生活中的单晶制造及溶液中的晶体生长
& z) K$ n, f! l3 A7．3 单晶提拉法——熔融液体中的晶体生长3 n2 d, ]& W7 B3 v% y* A7 Y" A
7．3．1 坩埚中冷却法4 k5 f; i" s9 P5 w7 ?* b
7．3．2 区熔法（ZoneMelting，FlotZone,FZ法）6 B/ ]1 D7 c1 U1 x7 z
7．3．3 旋转提拉法（切克劳斯基Czochralski,CZ法）7 x& k7 b1 a3 x! r
7．4 气相生长法 b# n4 I' V, y8 `, x5 \
7．4．1 闭管中的气相生长法6 Z# @8 S1 l7 J- q" n
7．4．2 其他气相生长法- C, _. A- c. A2 X" J. H1 A
7．5 石英玻璃基板
1 D6 N9 K" T$ J; S6 S; X7．6 柔性基板（Flexible）
# O# E; W( G1 k8 F4 Y参考文献
: \0 o+ e' ]& B' n! F8 b6 B; P
2 Z% l3 p$ C7 Q第8章 蒸镀法
$ O" k4 M/ J. R8．1 蒸发源
0 E; M# o! f: ?7 ~" j9 T- i8 f8．1．1 电阻加热蒸发源/ p/ F8 }" M4 h$ d9 C$ V2 A) t2 B
8．1．2 热阴极电子束蒸镀源3 Z2 W+ k' Z( x! Q# M7 m
8．1．3 中空阴极放电（HCD）的电子束蒸发源
, q( ~0 X% `5 J$ V* G/ b( K- c8．2 蒸发源的物质蒸气分布特性和基板的安置
' _4 z7 d5 U8 c5 f/ V8．3 实际装置* d. S7 B( ~6 T4 M9 G* O
8．4 蒸镀时的真空度
4 E3 R5 G7 k' Y! ?' g. j8．5 蒸镀实例- u) q* l% D8 r
8．5．1 透明导电膜In2O3SnO2系列' d" w' u5 L) x5 k0 ]0 L3 a$ p) Z+ @. Q
8．5．2 分子束外延（MBE）
, U+ P! I( P: g8．5．3 合金的蒸镀——闪蒸
+ m% R2 P, Q( D% @ W8．6 离子镀1 x7 h% z8 u# q
8．6．1 离子镀的方式
, p. |) _! J7 q7 B8．6．2 对薄膜的影响
. f: f" G( V( E1 M) i5 @' {8．7 离子束辅助蒸镀- k' R2 H v* u7 k
8．8 离子渗，离子束表面改性法
( S5 F, @ Z! p; }3 X3 G& D) W8．9 激光烧蚀法（PLA）
- x9 M9 X2 d x* F8．10 有机电致发光，有机(粉体)材料的蒸镀
. B; E* @( _: ?* r参考文献
' M5 O3 m/ f1 X8 |7 m2 s: {! D. ~- P# K0 r6 l
第9章 溅射% I! E7 l2 L+ w( L/ u
9．1 溅射现象
4 R7 s/ L, Q! B2 |7 c4 @% Z& c. Q3 Z9．1．1 离子的能量和溅射率，出射角分布
[1 {- t/ t% g3 T2 d0 ^9．1．2 溅射率" {" K# g2 j" E& b9 k4 H( s: A
9．1．3 溅射原子的能量) J* F6 G1 ~- E6 [6 h
9．2 溅射方式
7 K/ w& T. b& g3 Y3 N" N( E# |7 B9．2．1 磁控溅射3 u4 ?" H( W7 S" }, Z& _
9．2．2 ECR溅射
: n$ M( s+ [' s9 ?# d9 B8 L2 W- U9．2．3 射频溅射
* i. V$ J% p' g5 O/ J9．3 大电极磁控溅射
' f+ A+ n( M7 { Q' X3 q- P. u: X9．4 “0”气压溅射的期待——超微细深孔的嵌埋" |- `) g& h7 `, n0 B; c8 M
9．4．1 准直溅射0 {3 ]4 v: H$ V
9．4．2 长距离溅射+ H- e+ S2 B, S! s# K v
9．4．3 高真空溅射
8 M6 Q/ \8 f) D' P9．4．4 自溅射1 L* w% J& P8 \7 I5 j. ]8 w5 D
9．4．5 离子化溅射, {$ s! f% d, q( M' D6 Y0 J3 d
9．5 溅射的实例
# ^# r5 Q) e$ X7 x. j9．5．1 钽（Ta）的溅射
0 z1 Z3 k+ g! _ h' r9．5．2 Al及其合金的溅射（超高真空溅射）
: B8 N$ n" T. z% f/ V! j* z9．5．3 氧化物的溅射：超导电薄膜和ITO透明导电薄膜: F( V M" s1 t0 B) u: w t k
9．5．4 磁性膜的溅射
3 K: t3 [" B) p- o2 d6 |9．5．5 光学膜的溅射（RAS法）
' B, B2 u+ m- [ Z' Y% u2 J& u参考文献
0 u9 w# T4 }8 r$ K! I7 F$ c. n* Q0 t) M) M1 u
第10章 气相沉积CVD和热氧化氮化, B; K+ z, y' ?1 \: Z+ x2 D* U
10．1 热氧化' @! V/ x3 d1 _, l" {! c* A3 X
10．1．1 处理方式7 ~% { T/ a4 S* S
10．1．2 热氧化装置
& P# T1 o3 H' p! }3 O' n10．1．3 其他氧化装置
; u7 C) K7 @( N& |( U10．2 热CVD
4 O" _3 k$ W& S& M10．2．1 主要的生成反应7 O- w1 C' L4 C1 N( L6 _- a
10．2．2 热CVD的特征. d1 T( n" [2 V+ s0 N
10．2．3 热CVD装置
( O4 j: h3 d, `* x4 S: x K10．2．4 反应炉( f6 D z8 n2 O; z" R) g6 [
10．2．5 常压CVD（NormalPressureCVD,NPCVD）* u- Q; S8 C1 h! r
10．2．6 减压CVD（LowPressureCVD,LPCVD）1 A- S2 ^& F. F4 {+ G- x
10．3 等离子体增强CVD（PlasmaEnhancedCVD,PCVD）
( C+ m6 t% o% Z% s6 C10．3．1 等离子体和生成反应: V2 n! ~# C) n0 M4 t2 q
10．3．2 装置的基本结构和反应室的电极构造+ R/ _& i' b6 T
10．4 光CVD（PhotoCVD）
1 a% p6 Q1 M0 T9 U0 w! J( T10．5 MOCVD（MetalorganicCVD）6 Y! L5 b2 }4 a' [, _
10．6 金属CVD6 ~( O( u& X3 r# n% Y1 a3 T6 }5 ^
10．6．1 钨CVD3 P/ k$ a! M* l0 L2 w" N( J* I
10．6．2 AlCVD
% ?" [& J% D3 a9 _10．6．3 CuCVD$ N# O C) T1 [1 d( r6 B* Y1 p* C! }
10．6．4 金属阻挡层（TiNCVD）
5 ~* n; ?( y2 e) B2 q) M9 T10．7 半球状颗粒多晶硅CVD（HSGCVD）4 C/ {4 B8 A3 ~4 ~* I7 o% L5 i: v
10．8 高介电常数薄膜的CVD
0 N' F' D: t/ {10．9 低介电常数薄膜
4 j% p" X( m2 S; M10．10 高清晰电视机的难关，低温多晶硅膜（CatCVD）: }( j4 T& Z6 f1 }$ w# o4 L& X
10．11 游离基喷淋CVD（RadicalShowerCVD，RSCVD）5 b6 Y( X# y4 P' T
参考文献! N9 c5 J3 t) G" x$ R- _
: m9 P& L" a( o9 t ^第11章 刻蚀
, {) R4 [7 N2 ^5 n: r+ g6 a% G$ ~11．1 湿法刻蚀
8 m8 a2 o, v9 ~9 V T( h! R: P; j11．2 等离子体刻蚀，激发气体刻蚀（圆筒型刻蚀）
9 M! m0 M! C+ t6 \& Y11．2．1 原理
$ ^1 H; w4 S! K* V4 d; D' [11．2．2 装置/ y: z* ^! R$ K
11．2．3 配套工艺; N8 y$ D6 H! Z
11．3 反应离子刻蚀、溅射刻蚀（平行平板型，ECR型，磁控型刻蚀）
8 O4 ^6 h3 }0 y0 o11．3．1 原理和特征) C, z0 |: O- a" @* ]
11．3．2 装置2 h3 d! f' D; V! o c# {
11．3．3 配套工艺; n t9 R: }3 C1 f* s
11．3．4 Cu和低介电材料（lowK）的刻蚀. B6 u: w2 Q8 t7 W# K* e U
11．4 大型基板的刻蚀: P+ R7 l, X2 p+ Z" s
11．5 反应离子束刻蚀，溅射离子束刻蚀（离子束型刻蚀）
3 S* u: \6 z7 p' C11．5．1 极细离子束设备（聚焦离子束：FocusedIonBeam,FIB）$ i7 A _4 y' t" m; d
11．6 微机械加工* Q5 k% ~8 j1 t: ~- m! d* d# T. k
11．7 刻蚀用等离子体源的开发
& F6 n' _# D& ]0 I" x. G* N" l/ O M11．7．1 等离子体源/ ^6 |7 T/ {$ c& Z; b& v% M8 w) ?
11．7．2 高密度等离子体（HDP）刻蚀0 R v" B9 b1 n' L+ ]/ [
参考文献7 ^0 P7 m: Q! n2 |& z6 E
) y% s V/ L( S, o9 ?5 e; ~5 u
第12章 精密电镀' ~2 E4 C+ C: L, p4 g
12．1 电镀
7 a/ ~* Y+ q. k8 B12．2 电镀膜的生长$ n: K/ M _- D
12．3 用于制作电子元器件方面的若干方法/ q( D+ r( J4 H4 G
12．4 用于高技术的铜电镀
% n/ G9 W( Y* e12．5 实用的电镀装置示例
2 r3 R/ g) |& w+ A+ Q参考文献% r1 `- c7 g$ W6 A
% k6 }8 h, H# d) y% j: U
第13章 平坦化技术 S6 e ^" A x% ^
13．1 平坦化技术的必要性# R" p, J$ u( ?/ I" r
13．2 平坦化技术概要: t2 r7 g$ P8 E8 P5 m7 w5 w6 R
13．3 平坦薄膜生长
6 o+ q( m# M2 X/ [& N13．3．1 选择性生长! M0 A2 ]7 f J- f/ M, G/ a
13．3．2 利用回填技术的孔内嵌埋（溅射）
3 K. L1 R' ]3 m. T$ |$ O& a13．3．3 利用氧化物嵌埋技术的平坦化( @) D% @3 P: C y
13．4 薄膜生长过程中凹凸发生的防止- }5 G$ O* r' i' ]
13．4．1 偏压溅射法5 f1 ^" C# \: v, U: k5 W
13．4．2 剥离法
- e. _8 t) B& F. j4 J* Z13．5 薄膜生长后的平坦化加工
/ ~' |4 s8 x N4 t, P13．5．1 涂覆
( w! @7 @* t( B& Z, o13．5．2 激光平坦化
9 S/ a0 S6 z: t/ G4 C- Z13．5．3 回填法
1 F9 R9 b7 l$ Z, Z! |6 T( j13．5．4 回蚀法1 L# s: e" u! n1 V
13．5．5 阳极氧化和离子注入
( B1 M1 S7 s- A; x$ l13．6 嵌埋技术示例8 q) C4 P* t- d; X8 u
13．7 化学机械抛光（ChemicalMechanicalPolishing,CMP）技术8 `* B/ a( V8 p, {! q' C% {
13．8 嵌刻法- F* a5 E$ b4 ]/ \
13．9 平坦化新技术展望
; n7 c1 `! f, o( R7 R, s. g) k13．9．1 使用超临界流体的超微细孔的嵌埋技术
' e/ C1 q- X4 [. ^13．9．2 用STP（SpinCoatingFilmTransferandPressing）法的嵌埋技术! L. A B- d7 b1 k' U
13．10 高密度微细连接
8 i. t7 f) G: Z# u" ] L$ k参考文献
! V. r- u! J- _ |
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