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楼主: redlinn

[求助] 谁知道Cu靶和Al靶哪个更容易中毒?

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发表于 2009-7-6 23:20:52 | 显示全部楼层
学习一下!
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发表于 2009-7-7 16:01:08 | 显示全部楼层
9楼说得对,Al靶更容易中毒
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发表于 2009-7-8 20:12:10 | 显示全部楼层
如果是直流磁控溅射,我告诉你很难做,两种靶材都容易中毒。特别是AL。真空要足够高,通入气体要足够少,也就是把磁控控制在金属溅射模式下,才可以做。如果你无法确认什么参数状态下可以,可以用手动操作,通入氩气,进入正常辉光放电,然后通入氧气,流量从小到大,看到磁控电压突然下降,就说明靶已经中毒,你要保持在中毒前的参数状态才可以做工艺。
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发表于 2009-7-8 20:14:10 | 显示全部楼层
al 靶更容易中毒
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发表于 2009-7-14 15:31:46 | 显示全部楼层
引用第12楼fanyushan于2009-07-08 12:12发表的  :1 f! M8 U' F% d/ k1 T/ j, ^9 M  ^
如果是直流磁控溅射,我告诉你很难做,两种靶材都容易中毒。特别是AL。真空要足够高,通入气体要足够少,也就是把磁控控制在金属溅射模式下,才可以做。如果你无法确认什么参数状态下可以,可以用手动操作,通入氩气,进入正常辉光放电,然后通入氧气,流量从小到大,看到磁控电压突然下降,就说明靶已经中毒,你要保持在中毒前的参数状态才可以做工艺。

0 c4 f1 x* J- }6 S4 j6 n" o
0 o! }# m/ j. `3 C" m3 v: }* B有道理
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2206
发表于 2009-12-8 14:29:24 | 显示全部楼层
引用第14楼valle于2009-07-14 07:31发表的  :0 l5 l0 ]) r  D7 j
' R" {& |" o7 S

5 ^( }+ g* h7 \; S7 k) H4 g( D+ Z1 n: e- z
有道理

1 _9 ]3 F" u3 m0 F; s# W6 h) K6 Q3 l" m" X* s
  是的,但是你生产用直流反应溅射还是很难控制的,最好用 中频或射频电源,如果要稳定还可以加一个 反应溅射控制器
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