|
|
<P>采用直流磁控反应溅射法 ,在Si(10 0 ) ,Al/Si(10 0 )和Pt/Ti/Si(10 0 )等多种衬底上制备了用于MEMS器件的AlN薄膜 .用XRD和AES对薄膜的结构和组分进行了分析 ,通过优化工艺参数 ,得到了提高薄膜择优取向的方法 ,并分析了不同衬底上AlN晶粒生长的有关机理 .制备的AlN薄膜显示出良好的〈0 0 2〉择优取向性 ,摇摆曲线的半高宽达到 5 6° </P>0 L3 H. D- J; K8 B! }
<P><BR></P> |
本帖子中包含更多资源
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
|
窥视卡
雷达卡
发表于 2005-9-19 20:25:04
提升卡
置顶卡
沉默卡
喧嚣卡
变色卡
抢沙发
显身卡
