用标度理论和蒙特卡洛方法研究微晶硅薄膜的生长机制(英文)

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用标度理论和蒙特卡洛方法研究微晶硅薄膜的生长机制(英文)
   
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: C+ ~# T- [( y/ f【英文篇名】 Growth Mechanism of Microcrystalline Silicon Films by Scaling Theory and Monte Carlo Simulation
* o; _. E/ |5 Y; V( W$ n【作者中文名】 訾威; 周玉琴; 刘丰珍; 朱美芳;
【作者英文名】 Zi Wei; Zhou Yuqin; Liu Fengzhen; and Zhu Meifang（College of Physical Science; Graduate University of the Chinese Academy of Sciences; Beijing 100049; China）;
& I0 O& h/ D( n8 X3 F【作者单位】 中国科学院研究生院物理科学学院; 中国科学院研究生院物理科学学院 北京;
【文献出处】 半导体学报, Journal of Semiconductors, 编辑部邮箱 2008年 08期  
! _0 Y# h3 q6 W0 u& M& ~: N8 j# K期刊荣誉：中文核心期刊要目总览  ASPT来源刊  中国期刊方阵  CJFD收录刊
5 L; U! w* v  C! u6 K【关键词】 微晶硅薄膜; 生长机制; 标度理论; 蒙特卡罗方法; 再发射模型;
【英文关键词】 μc-Si:H; growth mechanism; scaling theory; Monte Carlo simulations; reemission process;
+ k9 [% B4 R4 U2 h+ U" A2 m& F【摘要】 使用热丝化学气相沉积技术制备微晶硅薄膜(沉积速度为1.2nm/s),通过原子力显微镜研究了薄膜前期生长的粗糙化过程.按照标度理论获得微晶硅薄膜的生长因子为β≈0.67,粗糙度因子为α≈0.80,动力学因子为1/z=0.40.这些标度指数不能用一般的生长模型来解释.通过蒙特卡罗模拟给出与实验一致的结果.模拟表明,入射流方向、生长基元的类型和浓度、生长基元的粘滞、再发射和影蔽过程都对微晶硅薄膜的表面形貌有比较重要的影响.
【英文摘要】 Hydrogenated microcrystalline silicon(μc-Si:H)films with a high deposition rate of 1.2nm/s were prepared by hot-wire chemical vapor deposition(HWCVD).The growth-front roughening processes of the μc-Si:H films were investigated by atomic force microscopy.According to the scaling theory,the growth exponent β≈0.67,the roughness exponent α≈0.80,and the dynamic exponent 1/z=0.40 are obtained.These scaling exponents cannot be explained well by the known growth models.An attempt at Monte Carlo simulation has been ...
【基金】 国家高技术研究发展计划(批准号:2006AA05Z408);; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2006CD202601,G2000028208);; 国家自然科学基金(批准号:10404038)资助项目~~