HFCVD法制备SiC薄膜工艺

HFCVD法制备SiC薄膜工艺


( y0 K5 J2 D# Z2 ], }. S赵武 王雪文 等西北大学电子科学系，陕西西安610069摘　要:分析研究了热丝化学汽相沉积（HFCVD）法工艺参数的变化对SiC薄膜质量的影响。结果表明，合理的选取工艺参数，可在较低温度（700－900℃）晶向异质生长出高质量的准晶SiC薄膜。
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关键词:HFCVD法 SiC薄膜 低温生长 碳化硅薄膜 准晶 热丝化学汽相沉积法 制备工艺 半导体材料
分类号:　TN304.24 TN304.055文献标识码：文章编号：栏目信息：

dahaoren

很专业、很有用的东东！！！！！！
谢谢！