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a) 基片的预处理，采用化学方法（酸、碱）以及物理方法（如抛光机抛光、离子束轰击等）对基片表面进行预处理，以获得洁净、平整的基片表面，提高镀膜牢固度。
" Y# @8 {% a4 H" Y, c# Y" x7 vb) 工艺参数研究，在基片上最终形成的薄膜成分与微观构成直接影响着薄膜的隔热效果、光透过率以及内应力。而薄膜的成分及其微观构成与下列因素有关：¬基片加热温度、蒸发速率、氩离子轰击强度等。
0 V; p# m# g5 x0 I- t9 X! Dc) 烘烤退火处理，沉积前后的烘烤和退火一定程度上都可以提高膜层的牢固度。沉积前的烘烤退火处理有利于清除表面残留在基片上的杂质，增强膜与基片的结合性能；沉积后的处理有利于驱除膜层中的吸附物质，改善膜层结构，减少应力，从而改善膜层的附着性能。! O/ {8 a) L( J- v7 b) S% x+ F
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9 N& v! j3 |% w# E v; @6 v6 I' Y* s/ z3 U' }4 ?) p! q" s* y' U! z8 U, G, j
需要上面三条概述的详细点资料，写文章用，谢啦！0 Q& R4 s: u( H, I5 y( @
我要在基片上镀sio2、tio2交替膜层，最好指点下镀膜的方法及仪器 |
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发表于 2007-8-17 02:55:15
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发表于 2006-1-6 05:41:53
