请斑竹和朋友帮忙解决个问题谢谢了

cyzh · 发表于 2007-8-15 03:33:18

有关于提高吸收方面的资料么？我做的是磁控溅射Al-N/Al膜层需要高吸收低发射。谁能帮我啊给我发邮件yongzhicai@163.com
在这里谢谢了

黑子 · 发表于 2006-1-6 05:41:53

先抢个沙发啊哈哈

显示全部楼层 · 发表于 2005-12-29 13:07:58

直流反应磁控溅射Al，N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性袁国栋叶志镇曾昱嘉吕建国钱庆黄靖云赵炳辉朱丽萍浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027摘　要:报道了利用直流反应磁控溅射以Al，N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜．ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于a-Al2O3(0001)衬底上，N来自NH3与O2的生长气氛，Al来自ZnxAl1-x(x=0．9)靶材．利用XRD，AFM，Hall，SIMS和透射光谱对其性能进行了研究．结果表明，ZnO薄膜具有高度c轴择优取向，450℃、600℃分别实现了p型转变，电阻率为10^2～10^3Ω·cm，载流子浓度为10^15～10^16cm^-3，迁移率为0．5～1．32cm^2／(V·s)．薄膜中Al原子促进了N原子的掺入．实验还表明，p-ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率(约为90％)，室温下光学带宽为3．28eV．而在450℃生长的p-ZnO具有较小的晶粒度和表面粗糙度．

关键词:Al，N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射
分类号:　TN304.21文献标识码：文章编号：栏目信息：研究论文
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显示全部楼层 · 发表于 2007-8-15 05:19:29

MgO衬底NbN／AlN／NbN多层膜的制备
施建荣康琳蔡卫星陈亚军吉争鸣吴培亨南京大学超导电子学实验室，南京210093摘　要:本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN／AlN／NbN三层结构的技术工艺，为制备All-NbN的NbN／AlN／NbNSIS隧道结作准备，我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜，并对其超导电性做了初步的研究；又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜，我们利用磁控溅射方法制作NbN／AlN／NbN多层薄膜，然后对制备SIS隧道结进行了一些探索。

关键词:氧化镁衬底氮化铌／氮化铝／氮化铌多层膜磁控溅射 SIS隧道结射频磁控溅射超导薄膜
分类号:　O484.1 TM262文献标识码：文章编号：栏目信息：
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cyzh · 发表于 2007-8-23 16:32:57

我做的是磁控溅射用直流电源充ＡＲ电离溅射纯铝，在充入氮气溅射获得ALN,在溅射过程中ALN的组分对吸收和发射的影响关系是怎么样的?膜厚对吸收和发射的关系?膜层结构AL/ALN1/ALN2/LAN3. AL底层2-3为吸收层4为减反层
谁有资料帮帮我谢谢了

cyzh · 发表于 2007-8-23 16:35:17

关键的是要好的吸收和低的发射

英雄镀膜 · 发表于 2009-12-25 17:35:18

关键的是要好的吸收和低的发射

27676995 · 发表于 2013-11-8 17:31:28

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