请斑竹和朋友帮忙解决个问题谢谢了

cyzh

有关于提高吸收方面的资料么？我做的是磁控溅射Al-N/Al膜层需要高吸收低发射。谁能帮我啊给我发邮件yongzhicai@163.com
3 @2 G0 k+ W' }: r/ T在这里谢谢了

黑子

先抢个沙发  啊哈哈

直流反应磁控溅射Al，N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性袁国栋 叶志镇 曾昱嘉 吕建国 钱庆 黄靖云 赵炳辉 朱丽萍浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州310027摘　要:报道了利用直流反应磁控溅射以Al，N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜．ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于a-Al2O3(0001)衬底上，N来自NH3与O2的生长气氛，Al来自ZnxAl1-x(x=0．9)靶材．利用XRD，AFM，Hall，SIMS和透射光谱对其性能进行了研究．结果表明，ZnO薄膜具有高度c轴择优取向，450℃、600℃分别实现了p型转变，电阻率为10^2～10^3Ω·cm，载流子浓度为10^15～10^16cm^-3，迁移率为0．5～1．32cm^2／(V·s)．薄膜中Al原子促进了N原子的掺入．实验还表明，p-ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率(约为90％)，室温下光学带宽为3．28eV．而在450℃生长的p-ZnO具有较小的晶粒度和表面粗糙度．
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关键词:Al，N共掺杂技术 p-ZnO 直流反应磁控溅射
" P: f4 g% u2 [( e; y分类号:　TN304.21文献标识码：文章编号：栏目信息：研究论文
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MgO衬底NbN／AlN／NbN多层膜的制备
2 I& A# R% ^4 W, J' A施建荣 康琳 蔡卫星 陈亚军 吉争鸣 吴培亨南京大学超导电子学实验室，南京210093摘　要:本文主要讨论磁控溅射设备制备的NbN／AlN／NbN三层结构的技术工艺，为制备All-NbN的NbN／AlN／NbNSIS隧道结作准备，我们在室温下利用直流磁控溅射工艺制备了单晶NbN薄膜，并对其超导电性做了初步的研究；又利用射频磁控溅射工艺制备了取向较好的AlN薄膜，我们利用磁控溅射方法制作NbN／AlN／NbN多层薄膜，然后对制备SIS隧道结进行了一些探索。

: d+ l7 G4 V, L  F关键词:氧化镁衬底 氮化铌／氮化铝／氮化铌多层膜 磁控溅射 SIS隧道结 射频磁控溅射 超导薄膜
% [% ?. M4 n- A& E$ K7 O+ K分类号:　O484.1 TM262文献标识码：文章编号：栏目信息：
# Y& p3 r" D/ c$ q- j7 C% u5 d相关文献:主题相关

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我做的是磁控溅射用直流电源充ＡＲ电离溅射纯铝，在充入氮气溅射获得ALN,在溅射过程中ALN的组分对吸收和发射的影响关系是怎么样的?膜厚对吸收和发射的关系?膜层结构AL/ALN1/ALN2/LAN3.       AL底层2-3为吸收层4为减反层
4 S# }2 J4 }4 ^* k0 N9 {/ P1 J谁有资料帮帮我谢谢了

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关键的是要好的吸收和低的发射

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关键的是要好的吸收和低的发射

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