有序介孔二氧化硅薄膜的制备及性能

[glow=255,red,1]有序介孔二氧化硅薄膜的制备及性能林雪晶 沈军 谢志勇 姚兰芳 吴筱娴 罗爱云同济大学波尔固体物理研究所,上海200092摘　要:以十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂，正硅酸乙酯为无机前驱体，在酸性条件下，采用溶胶-凝胶技术，用蒸发诱导自组装（EISA）工艺制备了二氧化硅透明介孔薄膜．透射电子显微镜图显示热处理后的薄膜具有高度有序的六方相结构孔道；由椭偏仪测得热处理后薄膜的折射率低至1．18，厚度在180nm左右；阻抗分析仪测得薄膜的介电常数为2．14．薄膜经过六甲基二硅胺烷（HMDS）表面修饰后具有良好的疏水性能和热稳定性，作为低介电材料能更好满足工业需求．[著者文摘][/glow]