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离子注入Cu薄膜的氧化行为研究赵新清 柳百新北京航空材料研究院,北京摘 要:研究了用强流金属蒸汽弧离子源(MEVVA源)注入Cr对Cu薄膜的抗氧化性能、导电性能和氧化特征的影响。利用X射线衍射、Rutherford背散射和扫描电镜 离子注入前后氧化物结构和氧化物形态演变。结果表明,在薄膜的表面层注入一定剂量的Cr能有效地改善Cu薄膜的抗氧化性能,而对薄膜的电导性能无显著影响;离子注入显著影响薄膜表面氧化铜的结构和形态。探讨了离子注入对氧化铜结构和形态的影响机理。
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, O4 b: R/ v* [, l8 u: W3 U$ X关键词:Cu薄膜 离子注入 Cr 氧化 氧化铜 XPS
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分类号: TG174.444[机标]文献标识码:文章编号:相关文献:主题相关 |
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