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离子注入Cu薄膜的氧化行为研究赵新清 柳百新北京航空材料研究院,北京摘 要:研究了用强流金属蒸汽弧离子源（ＭＥＶＶＡ源）注入Ｃｒ对Ｃｕ薄膜的抗氧化性能、导电性能和氧化特征的影响。利用Ｘ射线衍射、Ｒｕｔｈｅｒｆｏｒｄ背散射和扫描电镜 离子注入前后氧化物结构和氧化物形态演变。结果表明，在薄膜的表面层注入一定剂量的Ｃｒ能有效地改善Ｃｕ薄膜的抗氧化性能，而对薄膜的电导性能无显著影响；离子注入显著影响薄膜表面氧化铜的结构和形态。探讨了离子注入对氧化铜结构和形态的影响机理。3 W3 ^& N7 \+ }! i' A
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关键词:Cu薄膜 离子注入 Cr 氧化 氧化铜 XPS
8 p9 U% o5 `/ V, f/ b2 h" I& Y
. m0 F+ c! j3 _& f/ x3 M4 b3 q4 P0 e分类号: TG174.444[机标]文献标识码：文章编号：相关文献:主题相关 |
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发表于 2006-10-24 23:41:31
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