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<title>全国薄膜技术研讨会在甬胜利召开</title>) |' t3 e, M7 a& k4 ~8 F
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<p style="line-height: 150%"><font size="2"> 本文用射频磁控反应溅射方法沉积了掺W氧化钒薄膜。用X射线衍射（XRD）和X射线光电子谱（XPS）对所沉积薄膜结构进行了研究。XRD结果表明薄膜的结构与沉积参数的变化非常明显。随着O2流量比的变化可以从V7O3变化到V2O5.由于掺W的量比较小，在XRD测试精度范围内没有发现出与W有关的相存在。XPS结果表明氧化钒薄膜表面为V2O5相，同时也有W的特征峰出现。随着Ar 离子溅射时间的增加表现出薄膜内部相结构。研究发现氧化钒薄膜中掺杂是以WO3相存在。溅射不仅能使我们得到薄膜的内部结构信息，同时也会使薄膜经受分解和还原过程。经氩离子溅射后，XRS谱的V2p3/2峰出现多峰结构，说明溅射后的表面争解力为多相结构。这一现象与氧化钒薄膜的结果相类似。对天掺W的VO2热致变色薄膜经150秒氩离子溅射后，利用解谱分析发现薄膜分解为V2O5和V6O13相。由于没有衬底信号的干扰，利用XPS面积灵敏度因子法可以较卢瑟福背散射法更精确地得到氧化钒中W的掺杂量。因而可以准确得到W掺杂量与氧化钒薄相变温度的关系。W4f特征峰随着溅射时间的增加没有明显的变化，说明WO3相比较稳定。</font></td>
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发表于 2006-8-24 01:54:55
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