GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生长

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　　摘　要：本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3（0001）复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3（0001）复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿（111）方向择优生长,晶体质量较高.
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& E' H0 o  g2 ^  Z0 n5 B 　　关键词：化学气相淀积;Ge薄膜;GaN;金属In
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　　分类号：TN304.055　文献标识码：A

　　文章编号：1672-7126（2008）增刊-009-04

　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3（0001） Substrates
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% h1 u5 u- J3 Q, ?: o; f; X 　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao
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. @# o9 X  [8 U; F, L- N% n" a 　　基金项目：国家重点基础研究发展规划（No.2006CB604900）;国家高技术研究发展规划（No.2006AA03A103,2006AA03A142）;国家自然科学基金（No.60421003）;高等学校博士学科点专项科研基金（No.20050284004）和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金（No.9140C1404010605）
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+ s1 \+ B" ^4 X$ F' y# } 　　作者简介：韩平,联系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn
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6 F+ t. c, b5 E4 a  x 　　作者单位：王荣华（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

( T, Y  v, B$ j" A 　　韩平（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　曹亮（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
: u% R7 a& l$ F2 O' \- N; [& N/ {% B
* y" P8 K) D: Y$ C3 { 　　梅琴（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　吴军（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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' i+ s$ h5 B2 ~1 ? 　　葛瑞萍（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

7 C) g4 I3 G7 h# m/ U$ y 　　谢自力（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　陈鹏（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　陆海（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　顾书林（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　张荣（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

# p0 {7 y+ ?2 N# W  b. l! M0 y 　　郑有��（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

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