GaN/Al2O3上Ge薄膜的CVD外延生长

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　　摘　要：本工作采用化学气相淀积方法,以GcH4为反应气源,以InN/CaN/Al2O3（0001）复合衬底作陪片,在CaN/Al2O3（0001）复合衬底上外延生长了Ge薄膜,并对生长机理进行了探讨.研究结果表明:直接在N2气氛下外延得到了多晶Ge薄膜,表面较平整,由吸收光谱得出其带隙宽度为0.78 eV;经过H2预处理,CaN/Al2O3复合衬底表面出现金属In的沉积,外延Ge薄膜沿（111）方向择优生长,晶体质量较高.

; U" L9 J. E% F5 ?; }% _+ S% r 　　关键词：化学气相淀积;Ge薄膜;GaN;金属In
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　　分类号：TN304.055　文献标识码：A
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　　文章编号：1672-7126（2008）增刊-009-04

　　Chemical Vapor Deposition of Ge on GaN/Al2O3（0001） Substrates
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　　Wang Ronghua　 Han Ping　 Cao Liang　 Mei Qin　 Wu Jun　 Ge Ruiping　 Xie Zili　 Chen Peng　 Lu Hai　 Gu Shulin　 Zhang Rong　 Zheng Youliao
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　　基金项目：国家重点基础研究发展规划（No.2006CB604900）;国家高技术研究发展规划（No.2006AA03A103,2006AA03A142）;国家自然科学基金（No.60421003）;高等学校博士学科点专项科研基金（No.20050284004）和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金（No.9140C1404010605）
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6 x+ c. H( s9 p. t# V 　　作者简介：韩平,联系人:E-mail:hanping@nju.edu.cn

　　作者单位：王荣华（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　韩平（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　曹亮（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

- U, O9 }! q/ | 　　梅琴（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　吴军（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　葛瑞萍（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　谢自力（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

3 M, ^, `" J' M; c* _" I; w" @5 w 　　陈鹏（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）
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　　陆海（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

/ {: i+ f' M$ k5 }) U7 X 　　顾书林（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

　　张荣（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

2 I: q( q2 s8 ~4 H  Y1 ?% M 　　郑有��（南京大学物理学系江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093）

# t1 x& ?( Q) W! b( Y 参考文献：
  l2 H: F) U% ]5 q" [$ @
* v, I5 G& e; @) S' D) i$ @9 n 　　[1]Lieten R R,Degroote S,Cheng K,et al.Growth of GaN on Ge （111） by molecular beam epitaxy.Apply Physics Letter,2006,89:252118
& w2 F$ r; F- I* T% \5 [
　　[2]Lieten R R.Cormaniurn-a surprise base for high-quality nitrides.Compound Semiconductor,2007,13,（3）:14

　　[3]Draxler M,Walker M,McConville C F.Formation of metallic indium during atomic hydrogen cleaning of InN（0001） surfaces.Nuclear Instrument & Methods in Physics Research,B,2006,249:886

, V) h% g0 @1 v9 a9 o% b, t 　　[4]刘成祥,谢自力,韩平,等.InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象.半导体学报,2006,27,增刊:97
& }1 F4 p$ X/ N# F$ I6 n: y( E
　　[5]Elaissa Trybusa,Con Namkoonga,Walter Henderson,et al.Journal of Crystal Growth,2005,279:311
' P8 B* q( W( T' S* l  `: X
' N) d: ~+ j) ^+ Q3 _) T 　　[6]McAlister A J,Murray J L.Binary Alloy Phase Diagrams,2nd ed.ASM International,Metals Park,OH,1990,2:1956

8 @7 I! P! S& f8 `7 _/ _ 　　[7]杨根,谷锦华,卢景霄,等.射频PECVD高速沉积微晶硅薄膜.真空科学与技术学报,2007,27（3）:350

$ ], k% M$ m$ u1 _: X 　　[8]沈学础.半导体光学性质.科学出版社,第1版,1992:22