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离子源辅助磁控溅射沉积SiO_x阻隔薄膜的研究. R7 ^( s8 [5 d4 K
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离子源辅助磁控溅射沉积SiO_x阻隔薄膜的研究1 c E; L- Z V I; R) [% i
5 C( K2 |5 P4 p$ t7 wStudy on SiO_x Coating Deposition by Magnetron Sputtering with Ion Beam Assisted
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4 C, N' `, s! |/ k8 q% [【作者】 韩尔立； 1 f1 T3 ?4 t$ r$ J5 F% ]
( u3 ^ I) K6 r2 V: A' G0 q# W: T【导师】 陈强； 葛袁静； : l+ l, i5 t @. A( a* R# ?
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【作者基本信息】 北京印刷学院， 材料物理与化学， 2006， 硕士/ O$ f0 U1 i6 h" K0 ]
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【摘要】 食品保质保鲜要求包装材料具有优良的阻隔性能,即阻止水蒸气和气体渗透的性能。镀 SiOx 阻隔材料具有足以与镀铝材料相媲美的阻隔性能,同时又具有可见光透过和微波直接加热的特性,因而成为包装材料发展的一个热点方向。对PET、BOPP、PE 三种常用包装薄膜基材进行实验比较,选择 PET 作为 SiOx 阻隔膜沉积基材。采用电子束蒸镀和磁控溅射两种沉积工艺在不同工艺参数下制备SiOx 阻隔薄膜。所沉积薄膜用表面轮廓仪进行膜厚测试,并进行了薄膜均匀性测试。利用 FTIR,SEM,XPS ,XRD 分别对沉积膜的结构,表面形貌,元素组成等进行了表征。并考察了离子源辅助对磁控溅射沉积薄膜的影响。研究结果如下:1. 薄膜均匀性测试显示,磁控溅射均匀性较好,在片内均匀性、片间均匀性和炉间均匀性上均优于电子束蒸镀法。2.薄膜表面形貌分析显示,电子束蒸镀沉积的 SiOx颗粒粗大,表面缺陷较多,而磁控溅射沉积 SiOx薄膜均匀致密,但仍有微裂纹,经离子源辅助后裂纹大大减少,甚至消失。3.XRD 测试未显示衍射峰,表明所沉积薄膜为非晶态,可能的薄膜生长方式为岛状生长,形成不连续的无定性非晶态结构。4.用电子束... 更多- c6 |! b5 y' f# a# O
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【关键词】 SiO2阻隔薄膜； 电子束蒸镀； 磁控溅射； 离子源辅助；
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发表于 2013-5-4 14:58:10
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发表于 2013-5-9 13:04:51
