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[文献求助] 求二氧化硅薄膜各种制备参数对折射率的影响

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发表于 2013-4-30 17:16:33 | 显示全部楼层 |阅读模式
求二氧化硅薄膜各种制备参数对折射率的影响,最好是磁控溅射方法制备。5 U! Q8 M5 e  [$ @
求二氧化硅薄膜在各种参数下的色散系数系数
发表于 2013-5-4 06:55:11 | 显示全部楼层
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离子源辅助磁控溅射沉积SiO_x阻隔薄膜的研究
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【作者】 韩尔立;
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【导师】 陈强; 葛袁静; ' C3 V; _2 v3 ?! ^$ Y2 q

& }& s' Z* w4 d【作者基本信息】 北京印刷学院, 材料物理与化学, 2006, 硕士
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* Y% C7 F+ ^, g: {/ d 【摘要】 食品保质保鲜要求包装材料具有优良的阻隔性能,即阻止水蒸气和气体渗透的性能。镀 SiOx 阻隔材料具有足以与镀铝材料相媲美的阻隔性能,同时又具有可见光透过和微波直接加热的特性,因而成为包装材料发展的一个热点方向。对PET、BOPP、PE 三种常用包装薄膜基材进行实验比较,选择 PET 作为 SiOx 阻隔膜沉积基材。采用电子束蒸镀和磁控溅射两种沉积工艺在不同工艺参数下制备SiOx 阻隔薄膜。所沉积薄膜用表面轮廓仪进行膜厚测试,并进行了薄膜均匀性测试。利用 FTIR,SEM,XPS ,XRD 分别对沉积膜的结构,表面形貌,元素组成等进行了表征。并考察了离子源辅助对磁控溅射沉积薄膜的影响。研究结果如下:1. 薄膜均匀性测试显示,磁控溅射均匀性较好,在片内均匀性、片间均匀性和炉间均匀性上均优于电子束蒸镀法。2.薄膜表面形貌分析显示,电子束蒸镀沉积的 SiOx颗粒粗大,表面缺陷较多,而磁控溅射沉积 SiOx薄膜均匀致密,但仍有微裂纹,经离子源辅助后裂纹大大减少,甚至消失。3.XRD 测试未显示衍射峰,表明所沉积薄膜为非晶态,可能的薄膜生长方式为岛状生长,形成不连续的无定性非晶态结构。4.用电子束... 更多$ [* _& m5 B' \. }( ]1 i" `: O) V

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【关键词】 SiO2阻隔薄膜; 电子束蒸镀; 磁控溅射; 离子源辅助; # ^2 t+ a) B- q# t: W1 k
http://pan.baidu.com/share/link?shareid=462417&uk=2013391093: J+ ~* b# e* p) E

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发表于 2014-10-8 06:57:49 | 显示全部楼层
感谢前辈,就是价格有点贵
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