基本薄膜材料特点(3)

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基本薄膜材料特点(3)
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, Z) f8 E+ g5 f$ q) h, Z名称：三氧化二铝（AL2O3）
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普遍用作中间材料，该材料有很好的堆积密度并且在200—7000nm区域的透明带，该制程是否需要加氧气以试验分析来确定，提高基板温度可提高其折射率，在镀膜程式不可更改情况下，以调整蒸发速率和真空度来提高其折射率。
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制程特性：白色颗粒状或块状，结晶颗粒状等。
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非结晶状材料杂气排放量高，结晶状材料相对较少

- d/ _3 Y1 n+ o折射率受蒸着真空度和蒸发速率的影响较大，真空不好即速率低则膜折射率变低；真空度好蒸发速率较快时，膜折射率相对增大，接近1?62。
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5 ]# P( b. E; a5 p. g5 \AL2O3蒸发时，会産生少量的AL分子，造成膜吸收现象，加入适当的O2时，可避免其吸收産生。
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& t/ ?' h; P2 w' ~( i8 a: S/ {0 F1 x名称：OS—10（TIO2+ZrO2）
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% o% C' g, w$ E: N2 z* E制程特性：棕褐色颗粒状。
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杂气拜谢量大，预熔不充分或真空度 ?5*10-5 Torr时蒸发，其折射率会比2?3小，故必须充分预熔且蒸发真空度希望?2*10-5 Torr.

8 N4 [9 ?/ x2 G# f* c  B率有成反比的趋向，蒸发此种材料时宜控制衡定的蒸发速率。
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材料可添加重复使用，为减少杂气排放量，尽量避免全数使用新材料。

$ z3 W" t8 H; h; {4 R3 L蒸气中的TI和TIO和O2反应生成TIO2。
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常用於制备抗反射膜和SIO2叠加制备各种规格的截止膜系和滤光片等。

名称：锗（Ge）

" j8 Z" l2 ~& n  稀有金属，无毒无放射性，主要用於半导体工业，塑胶工业，红外光学器件，航天工业，光纤通讯等。

  透光范围2000nm—14000nm，n =4甚至更大，937℃时熔化并且在电子枪中形成一种液体，然後在1400℃轻易蒸发。用电子枪蒸发时它的密度比整体堆积密度低，而用离子助镀或者镭射蒸着可以得出接近於松散密度。

在Ge基板上与ThF4制备几十层的8000—12000nm带通滤光片，如果容室温度太高吸收性将有重大变化，在240--280℃范围内，在从非晶体到晶体转变的过程中Ge有一个临界点。
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2 _# A8 i* T  n+ m- i) ?8 q名称：锗化锌（ZnGe）
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疏散的ZnGe具有一个比其相对较高的折射率，在500nm n=2?6

& W+ K( ~* p1 S$ @3 m5 G& R，在可见光谱区以及12000—14000nm区域具有较少的吸收性并且疏散的ZnGe没有其材质那麽硬。使用钽舟将其蒸发到150℃的基板上制备Si/ZnGe及ZnGe/LaF3膜层试图获到长波长IR渐低折射率的光学滤镜。

名称：氧化铪（HfO2）

5 h# b# a) G2 D( E$ m: x9 V9 T" A  在150℃的基板用电子枪蒸着，折射率在2?0左右，用氧离子助镀可能取得2?05--2?1稳定的折射率，在8000—12000nm区HfO2用作铝保护外层好过SiO2。
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无色圆盘状或灰色颗粒和片状。
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! U' ?1 u$ P& V& P2 i8 E8 w3 S6 p名称：碲化铅（PbTe）
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- D+ a' `( M$ N是一种具有最高折射率的IR材料，作为薄膜材料在3800—40000nm是透明的，在红外区n=5?1—555，该材料昇华，基板温度250℃是有益的，健康预防是必要的。在高达40000nm时使用效果很好。别的材料常常用在超过普通的14000nm红外线边缘。
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# T" f* W  K; Z+ U5 O. N名称：铝氟化物（ALF3）

  可以在钼中昇华，在190nm—1000nm区域有透过性，n =1?38，有些人声称已用过Eximer激光镜，它无吸收性，在250--1000nm区域透过性良好。ALF3是冰晶石，是NaALF4的一个组成部分，且多年来一直在使用，但是在未加以保护层时耐久性还未为人知。
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+ L4 q% l7 `5 M& B( v5 c名称：铈（Ce）氟化物
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: o8 O" A9 s: U+ Y8 e* X  Hass等人研究CeF3，他们使用高密度的钨舟蒸发发现在500nm时n =1?63，并且机械强度和化学强度令人满意，他们指出在234nm和248nm的吸收最大，而在波长大过大300nm时吸收可以忽略。Fujiwara用钼舟蒸蒸日上发CeF3和CeO2混合物，得到一个1?60--2?13的合乎需要的具有合理重复性的折射率，他指出该材料的机械强度和化学强度都令人满意。


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名称：氟化钙（CaF2）
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9 q# M# T6 U( O5 \6 u  u CaF2是Heavens提出来的，它可以在10-4以上的压力下蒸发获得一个约为 1?23-- 1?28的折射率。可是他说最终的膜层不那麽令人满意。在室温下蒸着氟化钙其堆积密度大约0?57，这与Ennos给出的疏散折射率1?435相吻合，这说明该材料不耐用并容易随温度变化而变化。，原圾的高拉应力随膜厚而降低，膜厚增大导致大量的可见光散射。可以用钨，钽或钼舟蒸发且会昇华，在红外线中其穿透性超过12000nm，它没有完整的致密性似乎是目前其利用受到限制的原因，随着IAD蒸着氟化物条件的改善这种材料的使用前景更为广阔。

9 E! x" M* W$ [1 [( v名称：氟化钡（BaF2）

4 u. g, O8 l- d: H) P% R  与氟化钙具有相似的物理特性，在室温上蒸着氟化钡，使用较低的蒸着速度时材料的堆积密度约为 0?66，并且密度变化与蒸着速度增大几乎成正比，在速度为20nm/s堆积密度高达0?83，它的局限性又是它缺乏完全致密性。透过性在高温时移到更长的波长。所以目前它只能用在红外膜。

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( d! a. T6 ?0 B6 Z 名称：氟化铅（PbF2）

  氟化铅在UV中可用作高折射率材料，在300nm时，n =1?998，该材料与钼，钽，钨舟接触时折射率将降低，因此需要用铂或陶瓷皿。Ennos指出氟化铅具有相对较低的应力，开始是压力，随着膜厚度的增加张力明显增大，但这与蒸着速度无关。