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椭偏仪测量薄膜厚度、n k

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发表于 2010-1-12 21:38:51 | 显示全部楼层 |阅读模式
   产品特点:1 a6 Y0 D2 W8 W; L& M
    高精度、高稳定性
# h5 {( [) @# ]! J) A6 s    快速、高精度样品校正 ' O6 I% q9 W- Y' x3 ~3 x- n; w
    快速测量、操作简便4 x3 o( ~5 X* X" l. w! w0 G
    多角度测量
. S2 d2 R2 l& @    样品可水平或垂直放置
! T8 N. @5 x" ~3 A4 [4 |    一体化集成设计
7 I$ S  i+ s# f# n7 C, T3 ~6 k. Z% \$ L' m. P
   椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。, l+ ]2 ~' N4 J. G

5 N7 w1 i. y: m! C产品说明:
, [3 s8 B# W) `' d7 q# A) q多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征:
. n1 E- `" ]1 e: j- ]/ H) W    1) 单层纳米薄膜;
9 j9 t6 ^: W9 b' r; e: j- h4 t- u2) 多层纳米层构膜系; % T+ K; C' ]5 ]* f+ S. ?
3) 块状材料(基底)! U& m& M" a  W0 G- l2 K
4)透明薄膜 9 v& J6 K+ \- q8 _* X% u( ~
; ]8 a5 ^; W% d: x. A
EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。
" X) P, J5 `- z- I+ p. K: } EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性
& ^  l) R5 Y. \' }, R' P
  B6 S- g9 C% @9 G* _& g0 M: }2 O产品性能简介: 6 t% H0 F5 k, E4 E( M4 a2 i
   
  W# C5 Y- X8 K6 ?+ J6 `    高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法,以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度;
! r# v. {5 M1 Q8 ^! O    样品位置校准可以保证样品调整到最佳的高度和倾斜度,从而获得最佳优信号,没有位置校准很难保证样品在合适位置,信号不能调整到最佳输出状态,测量的重复性和准确定都很难保证。
% M- @7 H3 W: Z5 k% X    高灵敏度探测器更适合于绒面太阳能电池片的弱信号测试,可以提高信噪比,保证测量结果的稳定和正确。
' I9 C; Z. f" \1 }    采用补偿器技术可测量的△范围为0-360度,没有死角,可确定△的正负号,并可计算出偏振因子P的值,P值可从侧面评估测量结果;针对太阳能电池绒面特征,测量时P值越接近1表明测量结果可靠性越高;没有补偿器的仪器当△在0度或180度附近的测量精度非常低,也就是有两个测量死角,在测量50nm以下薄膜时折射率误差较大,当然也无法计算偏振因子P的值,也就无从判断结果的可靠性。& u: J; e0 f0 M3 A3 y
    耗材是仪器长期使用的耗费品,并会带来进一步的资金投入,EM01-PV采用了伺服电机来直接带动器件旋转,定位精度高,基本没有损耗,采用皮带传动会有打滑引起的测试稳定性问题,并周期性的带来更换的费用和不便。
  V1 N/ g: s5 T, ~4 s* \2 j- o    高精度的光学自准直望远技术,保证了快速、高精度的样品校正; $ S/ r" Q( R4 D3 j/ r; t7 t
    稳定的结构设计、可靠的样品位置校准,结合先进的采样技术,保证了在单入射角度下的快速、稳定测量;
' \, n. ^; K  q7 Q    分立式的多入射角位置选择,可应用于复杂样品的和绝对厚度的测量;6 C# u3 l* Z6 }8 i
    仪器适应性的结构设计,保证了样品可水平放置或垂直放置,方便进行液相池中的样品测试;  $ D8 _! e3 o, y) k% r0 K- Y# z
    一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间;    V% n6 E% Q4 O7 w3 f
    专用软件中预定义了当前一些常见的应用(如半导体、微电子、生命科学等),可方便用户。   h* S6 O" U! f/ z& G
    内置模型数据库,免费的软件升级
7 s/ k: X( B7 e& T; z- F. P : L, R' ]  X% ?
规格及主要技术指标: 9 I+ @1 q/ T7 v7 c
EM01技术指标:
6 a* `6 K2 g+ k7 s激光波长    632.8nm(He-Ne laser)
* U: f; V& C' W  `. k/ |激光稳定性    0.1%(rms)( j2 `0 I7 _) g
ψ和Δ的精度    δ(ψ) = 0.08°,δ(Δ) = 0.008°(入射角度为90°)
7 @& e- I) C) x6 g# T4 \: C膜层厚度精度    0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)4 ?2 S- L0 I$ m: ?9 G1 \& b
重复性    0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
8 O6 L4 D7 N; p& T' O, ~& |折射率精度    1x10-3(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)9 J7 J7 G& n& k( o; t
结构    PSCA
& l9 ~5 I  u' N$ c, ~3 V$ w激光光束直径    1mm5 _: z3 B2 o6 l
入射角度    手动选择,范围40°-90°,步进5°
. u9 }+ H3 n$ J! \. d样品方位调整    三维平移调节:±25mm(X-Y-Z)/ }  B4 H9 S" c# }9 h0 ~
二维俯仰调节:±4°
; c2 F1 t7 y% j光学自准直望远系统监视. t! t7 G9 d6 w5 R
最大样品尺寸    Φ170mm
1 j9 j' ]% ?1 T/ j& N单次测量时间    200ms
! D6 P! x. T8 f) ^) G/ q推荐测量范围    0-2000nm9 O8 y/ l% i7 I1 [
外形尺寸(长x宽x高)    980x660x430mm (入射角为90º时)& ]* c1 A7 `( s5 s. {" a

/ q& {: u9 R0 u; O8 Y& j& Odec-kevin@163.com

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发表于 2010-1-13 19:54:51 | 显示全部楼层
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