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椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。
9 E* ], d$ o( I/ P 产品说明: 7 R4 R9 J, s+ `1 G1 A# `) L
多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征:
7 {5 H/ a6 p2 e( r" C7 K$ K* B 1) 单层纳米薄膜; % S; o& k5 M- l: I( T
2) 多层纳米层构膜系;
s& E( R' `, e0 t9 `4 z3) 块状材料(基底)3 V1 e s: j5 S/ G r0 j
4)透明薄膜
* s+ B0 X- x: f5 _) A" M
9 t* q5 O$ c' Z5 P. z7 [EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。! y7 S* F) K; o
EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性
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产品性能简介: " I7 e- u9 W6 H; Z% f* @' H: v3 I
B7 ?: n# Z. P2 m; F. }! Q- J[ 产品名称:激光椭偏仪
, x1 {9 ^/ H( I9 g+ \产品型号:EM-633
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( X+ ]5 q: ? X$ j, w2 [) NMultiple Angle Laser Ellipsometer 4 p# P+ |( A/ W$ K
多入射角激光椭圆偏振仪
: E& U: U4 C! q. D* M
5 Q6 r1 D' D+ T1 h& C& \5 b9 C. c0 v6 M# @
产品特点:* F$ I: z6 ?5 O; i k2 j, d
) s) D- W1 j! E! N; f' P
l 高精度、高稳定性# N5 m. `% u7 H3 j! w
% N1 b5 O% g& E0 e% C4 p/ }
l 快速、高精度样品校正3 A1 A& b H0 {" b; d" `& j# {
/ x+ L1 O( W& k* a+ e. S+ F0 Nl 快速测量、操作简便; j9 u( @0 U" ~% O" k
: z" W {# y5 @& n2 D; q- T: ^l 多角度测量
, ?% P% r. ? T. n! X1 ^/ k6 I0 \0 W8 t& q% p
l 样品可水平或垂直放置
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u0 _/ N' W9 o8 V. {# El 一体化集成设计3 T+ L S; r/ ]# o1 l' W: d
" c- j5 g2 B% i; C0 b0 R- Y
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/ K! N: S1 r: F: {- Q( `: K+ R 椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。3 r6 l) L* ]9 a' b9 b1 R* A. E8 A
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产品说明:
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$ C" K% h8 n5 Y# O& @: N. h多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征:
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1) 单层纳米薄膜;
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- h+ u# s0 j7 r) y, l2) 多层纳米层构膜系;
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3) 块状材料(基底)
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4)透明薄膜
; N( [. Z# V: z1 r! ]; \0 c! _. E8 w6 Y- }6 u) O/ `
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5 v6 k- `) Q' ?EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。: `8 b3 e T: ~; f- U) g
. S8 x/ v) o1 W, M" X2 C EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性 U; p. m. X4 W) D
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% C1 | P5 c6 D6 {. r( l产品性能简介:
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$ c! v! G" @8 Q: d" Q6 u; y' c
l 高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法,以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度;
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* ^: f8 R1 b% c. l5 K( a- q1 el 样品位置校准可以保证样品调整到最佳的高度和倾斜度,从而获得最佳优信号,没有位置校准很难保证样品在合适位置,信号不能调整到最佳输出状态,测量的重复性和准确定都很难保证。
* M' c. \- V4 h: m% Y( j3 i& ~) c8 b5 E' R( S: `& T8 g
l 高灵敏度探测器更适合于绒面太阳能电池片的弱信号测试,可以提高信噪比,保证测量结果的稳定和正确。
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l 采用补偿器技术可测量的△范围为0-360度,没有死角,可确定△的正负号,并可计算出偏振因子P的值,P值可从侧面评估测量结果;针对太阳能电池绒面特征,测量时P值越接近1表明测量结果可靠性越高;没有补偿器的仪器当△在0度或180度附近的测量精度非常低,也就是有两个测量死角,在测量50nm以下薄膜时折射率误差较大,当然也无法计算偏振因子P的值,也就无从判断结果的可靠性。) K d8 F y O/ K$ i$ g; b2 \) s% F
4 x# h* k$ Y' x, ll 耗材是仪器长期使用的耗费品,并会带来进一步的资金投入,EM01-PV采用了伺服电机来直接带动器件旋转,定位精度高,基本没有损耗,采用皮带传动会有打滑引起的测试稳定性问题,并周期性的带来更换的费用和不便。5 |# z/ ?8 N `5 [) E
( k6 |' f H; C7 E" }/ o5 e' r( ul 高精度的光学自准直望远技术,保证了快速、高精度的样品校正;
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" a; i3 B. q( _3 K# o/ Wl 稳定的结构设计、可靠的样品位置校准,结合先进的采样技术,保证了在单入射角度下的快速、稳定测量;* n3 H* W/ x$ a9 C/ e7 \
& w9 k8 Y0 w4 @) _3 U
l 分立式的多入射角位置选择,可应用于复杂样品的和绝对厚度的测量;9 p" s& |# Y: k" b- @
; _( ^: U8 n& S! n2 i5 ]% il 仪器适应性的结构设计,保证了样品可水平放置或垂直放置,方便进行液相池中的样品测试; 4 Q2 ^( Z2 y- }
% G% P6 H- ~: j! X9 I8 M6 vl 一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间; ; j/ v z$ J3 O* g3 P
% U7 [, n7 ]" f4 i, D- hl 专用软件中预定义了当前一些常见的应用(如半导体、微电子、生命科学等),可方便用户。
& t% ?* `% X3 y1 C, s7 X* S9 [/ N' r+ e0 l0 g
l 内置模型数据库,免费的软件升级
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) h: a# Z" ~7 a4 _4 Y, W! |1 }) |) I$ L, i8 `7 F$ `( D. f. G8 v
规格及主要技术指标:
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EM01技术指标:6 Y- j: F/ L4 a& c7 j. m
: V* X# M/ r, E: W: q
激光波长:632.8nm(He-Ne laser)- S# r6 i" C! M. R" ^( C e
' T* o% ~3 h" I0 k! w, y激光稳定性:0.1%(rms)
& z7 b/ J, c; G6 s4 u- l) r5 |7 O1 D/ R
ψ和Δ的精度:δ(ψ) = 0.08°,δ(Δ) = 0.008°(入射角度为90°)
9 u+ r! T2 K q7 V" A; M3 H4 F) G V- m8 I/ D- D k
膜层厚度精度:0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
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8 ~6 K3 t9 S5 A2 e# u重复性:0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)9 q4 d" |' r: z
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折射率精度:1x10-3(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
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结构 SCA4 E9 j& Q8 G; B# {
7 q/ n ?3 v& A0 q# ]/ u
激光光束直径:1mm% z5 X; z( Q2 S# A+ U3 \9 U
$ D# G: Z& T8 j
入射角度:手动选择,范围40°-90°,步进5°0 k' W) n7 m1 Q) I: X
6 \, u% x& K' K# g样品方位调整:
; T8 C x! a4 D, }三维平移调节:±25mm(X-Y-Z)- @, N- ~8 H( Q* `( j$ V
; ]/ T0 P+ O/ Y' ?
二维俯仰调节:±4°* D. p* f9 E5 R/ ~6 ? R9 g
' ~4 ?1 @' R% W光学自准直望远系统监视:! s9 t6 Q; b. i6 v
2 X1 d8 ?# a. r1 z8 G- L最大样品尺寸:Φ170mm
+ N# V. e1 V" _" l& ?3 X' C! z: e5 u. G7 [
单次测量时间:200ms
# t4 z1 W3 J1 R y( T7 I h/ g& u- O/ }* ^/ E4 X
推荐测量范围:0-2000nm
2 f7 \6 `) q* G; }7 T( I/ @" K) X2 a3 W' a: N9 \+ h* _
外形尺寸(长x宽x高):980x660x430mm (入射角为90º时)5 S z/ z" ~3 L# p& M
0 z d1 m# {$ @% f `dec-kevin@163.com |
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