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纳米薄膜测量--激光椭偏仪

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发表于 2010-1-13 05:34:28 | 显示全部楼层 |阅读模式
椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。
9 c$ S, U5 Z* v* A! T
产品说明:
" ?% c4 g7 t3 V7 ~+ c- q5 _3 \4 X多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征:
9 Q4 q' [" G& h& z9 v 1) 单层纳米薄膜; : }, {/ R6 }& F
2) 多层纳米层构膜系;
( v4 p6 [! k+ g. [& l3) 块状材料(基底), ^& \- M" g4 p; E9 P# b
4)透明薄膜 ) B1 P6 @1 h8 k' v" `
+ E( K' M, `" T1 A5 N$ C
EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。) P/ L+ d" ?* _' [0 C7 _1 M2 j- l
EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性
# s0 J9 N% l$ c& E7 u/ `% `7 s $ A* J9 ~0 O& C* X& Y0 {
产品性能简介: " ~" |: ^& C* T/ g. y
. {* a4 b! d- F' q4 L& i! v+ N( V
[     产品名称:激光椭偏仪
; @% U3 i3 g. L, {& f# m! [. Q8 i. _产品型号:EM-633
0 [% k! |- n4 g/ V+ D; R. K1 p* K4 s
Multiple Angle Laser Ellipsometer
  T& `5 }# n  i- z多入射角激光椭圆偏振仪
4 J3 ^$ a; Y6 ]
1 d, \+ m& d  M
0 L3 B2 n6 o/ |产品特点:1 f4 i2 z, ^* w; M, B+ d

# ]& }: j. O' W( ul        高精度、高稳定性
4 ]  q* c0 N% Q3 t
6 S) P: S* t, D! t4 U; yl        快速、高精度样品校正
0 f, P7 O9 Y0 H+ L& v) k) Q" W$ J. n* Q3 i# ^
l        快速测量、操作简便
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l        多角度测量
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) r3 g  _. G/ C2 A( Jl        样品可水平或垂直放置; [# X7 x/ c4 l6 B# |0 d) `

0 p1 c0 ?- r# v' w2 el        一体化集成设计3 j, R: J' w* }5 j& ]
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, B- k  X9 B5 [* ^   椭圆偏振法简称椭偏法,是一种先进的测量薄膜纳米级厚度的方法。椭偏法的基本原理由于数学处理上的困难,直到本世纪40年代计算机出现以后才发展起来。椭偏法的测量经过几十年来的不断改进,已从手动进入到全自动、变入射角、变波长和实时监测,极大地促进了纳米技术的发展。椭偏法的测量精度很高(比一般的干涉法高一至二个数量级),测量灵敏度也很高(可探测生长中的薄膜小于0.1nm的厚度变化)。 利用椭偏法可以测量薄膜的厚度和折射率,也可以测定材料的吸收系数或金属的复折射率等光学参数。因此,椭偏法在半导体材料、光学、化学、生物学和医学等领域有着广泛的应用。
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产品说明:* w/ X6 `7 D% X  ?

. r( w- A" [0 p多入射角激光椭圆偏振仪EM01-633用于对纳米层构样品的薄膜厚度和632.8nm波长下的折射率n及吸收系数k进行快速、高精度、高准确度的测量。可用于表征:! I2 M# {* K( J5 J/ m0 N/ P
% T  X9 E3 }$ x" y& Q
              1) 单层纳米薄膜;
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2) 多层纳米层构膜系;
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3) 块状材料(基底). v1 X# Q% `$ `: Z  ~

! ]8 O2 r* g! ]0 a4)透明薄膜% v, ]& M) i4 T' w  X" n+ i

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" E% w6 A: D8 e, m- U% ~EM01-633操作简单、测量快速、精度高、准确度高、稳定性好,尤其适合于科研和工业产品环境中的新品研发及质量监控。EM01-633应用领域涉及纳米薄膜的诸多领域,如微电子、半导体、生命科学、电化学、显示技术、磁介质、金属处理等。此外,高灵敏测量使得它亦可对太阳能电池等非理想的、产生杂散光的粗糙表面进行测量。! L, ~. V- f" n, V  X

. {4 T0 [& d$ u0 T EM01-633多角度激光椭偏仪带有针对太阳能电池的测量组件,改组件被设计用于满足晶体硅电池表面氧化硅薄膜的测量需要,可以提供出色的灵敏度、精确度和重复性
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4 J, d- z3 h: D( [& ^% k! }: R* A# F 8 j, P/ b! ]" I4 o; A

2 c9 L, R) d& |/ ^产品性能简介:( ~3 h( T0 k! j2 c  U( ?( [' e
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                 n) A) A. D& G) f3 ]6 [, n0 _" S
- p+ l0 K5 v# f, R) B5 k* @
l         高稳定性的He-Ne激光光源、高精度的采样方法,以及低噪声探测技术,保证了系统的高稳定性和高准确度;4 J" [" a; n7 q5 ?& K' D! ^
5 }+ P: h% P2 F8 c9 r
l         样品位置校准可以保证样品调整到最佳的高度和倾斜度,从而获得最佳优信号,没有位置校准很难保证样品在合适位置,信号不能调整到最佳输出状态,测量的重复性和准确定都很难保证。
1 s+ m8 ]& F' k: U2 g3 c
4 x3 E! c* h8 r/ T* \l         高灵敏度探测器更适合于绒面太阳能电池片的弱信号测试,可以提高信噪比,保证测量结果的稳定和正确。
+ E+ V. @+ V7 ^! U5 Y0 h  T6 |1 L- j
' ~5 F2 \3 X( zl         采用补偿器技术可测量的△范围为0-360度,没有死角,可确定△的正负号,并可计算出偏振因子P的值,P值可从侧面评估测量结果;针对太阳能电池绒面特征,测量时P值越接近1表明测量结果可靠性越高;没有补偿器的仪器当△在0度或180度附近的测量精度非常低,也就是有两个测量死角,在测量50nm以下薄膜时折射率误差较大,当然也无法计算偏振因子P的值,也就无从判断结果的可靠性。
2 v, A8 M1 Z$ T
) ~7 c* }' S( a8 v! Q  D. G) [l         耗材是仪器长期使用的耗费品,并会带来进一步的资金投入,EM01-PV采用了伺服电机来直接带动器件旋转,定位精度高,基本没有损耗,采用皮带传动会有打滑引起的测试稳定性问题,并周期性的带来更换的费用和不便。& P4 E9 m6 m7 [  |" n

! n+ C' t; S  a* Pl         高精度的光学自准直望远技术,保证了快速、高精度的样品校正;
/ @; A7 F0 ?; c; P" E! I0 c& M! J4 ~* d  r6 D; q) [' o$ R
l         稳定的结构设计、可靠的样品位置校准,结合先进的采样技术,保证了在单入射角度下的快速、稳定测量;% b6 O  [# H9 A+ C' T

+ t+ L3 q- c' _+ `, d) f# el         分立式的多入射角位置选择,可应用于复杂样品的和绝对厚度的测量;1 G- j3 E! E* c
- l/ Y$ S3 R4 F$ F1 G( k
l         仪器适应性的结构设计,保证了样品可水平放置或垂直放置,方便进行液相池中的样品测试; ! e' ?- r) B8 A! @9 `: m( A) S
/ B; u# n8 i- z& \+ f
l         一体化集成式的仪器结构设计,使得系统操作简单、整体稳定性提高,并节省空间;
: K" T6 a' a5 @% L6 Y
- S, S  T2 E, Q( |2 B# \* Al         专用软件中预定义了当前一些常见的应用(如半导体、微电子、生命科学等),可方便用户。
0 M; @) B7 Q4 J) l* M
! c! \" u/ R- k. D+ vl         内置模型数据库,免费的软件升级
8 l0 R; v1 J2 Z
4 e$ q& m% i; ?& m1 ^
1 }7 C- U0 U& k- K) j2 s$ k5 M, ^. _5 p, o1 t- |
规格及主要技术指标:& }  ]$ y2 a' E- G' y8 [! C, p  Y2 U

4 u9 M! _* [2 k/ [4 z7 P' EEM01技术指标:
  J, U- v: W, F  d. J, c
; N3 \: H( ^0 }6 ?: y0 |激光波长:632.8nm(He-Ne laser)( W# t2 t9 y9 D( m6 l& u3 T
* I1 q  e( t4 E( j
激光稳定性:0.1%(rms)
- f* n) y0 Z$ _/ |3 ^. }
+ \1 E( W, u  Y7 C, [ψ和Δ的精度:δ(ψ) = 0.08°,δ(Δ) = 0.008°(入射角度为90°)& A$ ~( l9 e- z( }3 \9 a6 {

; s, q' \0 a9 J# @膜层厚度精度:0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
" ~3 P3 g+ g8 w  {/ Q5 @* p; X& r7 x. ]+ e  I6 ~
重复性:0.05nm(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)
9 h5 s! F+ j$ T, j( E. M8 C' l' |
折射率精度:1x10-3(对于Si基底上65nm的SiO2膜层)8 ]- Q  _( i0 n9 `
0 i8 u% X7 x" n! J6 @& V
结构:PSCA" \$ l! R2 u5 h: {

  q) P/ l5 k4 N3 ~: g激光光束直径:1mm
4 q4 P# V3 Z+ D7 h, W, Z0 c) }8 H1 j, q' y+ d6 r+ x+ M# |5 i/ L
入射角度:手动选择,范围40°-90°,步进5°% X) [% M5 H8 r8 J( _* J

9 }, ^+ W6 s6 B样品方位调整:/ Y; [5 H. U4 u9 T/ o: q
三维平移调节:±25mm(X-Y-Z)' u: G$ d1 s0 v$ p. S" c5 e
$ n+ M, H* V. @) C
二维俯仰调节:±4°3 l& J5 c' t* J& M

+ l8 L/ N9 [+ U$ I8 @) c, Y光学自准直望远系统监视:
4 j' t- e4 f2 m" t3 L0 @) Z7 p9 o2 A6 l  s/ P) H0 r+ U
最大样品尺寸:Φ170mm2 N5 n! Q& g4 C; O4 L

2 g. |+ Q  A3 I! W2 m/ O+ B5 }. Y单次测量时间:200ms: [3 e' ]6 _) T8 N

7 y# I7 }" ^- d- p) ^7 y  s推荐测量范围:0-2000nm
1 D1 H6 _  l; M8 I
$ D3 ~. `" Q  P外形尺寸(长x宽x高):980x660x430mm (入射角为90º时)
/ i/ w2 A2 w* |& `
2 D8 t& ]- E3 J4 B; Tdec-kevin@163.com
 楼主| 发表于 2010-1-22 05:14:40 | 显示全部楼层
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