谁知道Cu靶和Al靶哪个更容易中毒？

bingxingwu · 发表于 2009-7-7 07:20:52

学习一下！

yupo54 · 发表于 2009-7-8 00:01:08

9楼说得对，Al靶更容易中毒

fanyushan · 发表于 2009-7-9 04:12:10

如果是直流磁控溅射，我告诉你很难做，两种靶材都容易中毒。特别是AL。真空要足够高，通入气体要足够少，也就是把磁控控制在金属溅射模式下，才可以做。如果你无法确认什么参数状态下可以，可以用手动操作，通入氩气，进入正常辉光放电，然后通入氧气，流量从小到大，看到磁控电压突然下降，就说明靶已经中毒，你要保持在中毒前的参数状态才可以做工艺。

fanyushan · 发表于 2009-7-9 04:14:10

al 靶更容易中毒

valle · 发表于 2009-7-14 23:31:46

引用第12楼fanyushan于2009-07-08 12:12发表的 :3 W2 F( o$ b4 p# n. y) D
如果是直流磁控溅射，我告诉你很难做，两种靶材都容易中毒。特别是AL。真空要足够高，通入气体要足够少，也就是把磁控控制在金属溅射模式下，才可以做。如果你无法确认什么参数状态下可以，可以用手动操作，通入氩气，进入正常辉光放电，然后通入氧气，流量从小到大，看到磁控电压突然下降，就说明靶已经中毒，你要保持在中毒前的参数状态才可以做工艺。

有道理

learzheng · 发表于 2009-12-8 22:29:24

引用第14楼valle于2009-07-14 07:31发表的 :8 H9 b+ `* p4 o7 I; Y
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有道理

是的，但是你生产用直流反应溅射还是很难控制的，最好用中频或射频电源，如果要稳定还可以加一个反应溅射控制器

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