ITO透明导电膜的光电特性及微结构研究
电子束蒸发制备ITO透明导电膜的光电特性和微结构研究 氧化铟锡（ITO）结晶具有体心立方铁锰矿结构，是一种重掺杂、高简并的宽禁带型半导体材料，具有优良的导电性、可见光透过率以及红外反射率，而且还具有高硬度、耐磨性、耐化学腐蚀特性。因此广泛应用于平板显示器（FPD）和太阳能电池。通常制备ITO薄膜的方法有溶胶凝胶法、磁控溅射法、脉总激光沉积和电子束蒸发等。在这些制备方法中，电子束蒸发技术的优越性在于对衬底无损伤，沉积速率快，成本低。在薄膜电池背电极的制备过程中可有效的避免对上层Si薄膜的损伤，而关于这种制备方式制备ITO透明导电膜的报道并不多。现通过这种制备方法，研究在不同的制备条件下，ITO的结构和性能的变化规律。实验：利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜，仪器为我司的光学多层镀膜机，纯度99.9%的靶材为In2o3:SnO2=9:1,仪器的本底真空为8*10-3 Pa，氧流量由针阀控制，电子枪的加速电压为6KV，沉积速率由束流大小控制。衬底为0.7mm厚度的浮法玻璃。
结论：利用电子束蒸发技术制备ITO透明导电膜，研究了衬底温度，氧分压以及沉积速率的变化对薄膜光电特性的影响，结果表明在衬底为3500c，氧分压为2.0*10-2 Pa，沉积速率在3nm/min的条件下制得透过率T>81%，电阻率=1.9*10-3Ω.cm的ITO透明导电膜。另外还发现薄膜晶格常数和晶粒大小随制备条件的不同，也有显着的规律变化。
我司生产的ITO膜镀膜生产线设备是在优质浮法玻璃上采用真空磁控溅射技术，孪生阴极，中频溅射技术，并配以国际先进的控制系统，镀制SO2/ITO膜层，生产过程全部自动，连续进行。
ITO膜镀膜生产线设备技术特点
1) 真空室体材料采用 SUS304 ，真空室内壁进行抛光处理，外壁采用抛光后喷珠处理。
2) 真空室之间采用独立门阀—插板阀隔开，可以实现有效隔断，稳定工艺气体。目前我们公司采用插板阀设计，它比目前国内通用的翻板阀密封效果更好，更耐用。
3) 传动采用磁导向，保障传动的稳定性。整条生产线的各段速度采用变频调速电机驱动，运行速度可调节。
4) 电气控制系统：触摸屏与 P L C 自动控制，人机对话方式来实现系统的数据显示、操作与控制
技术参数
1) 极限真空压力：6× 1 0E-4 Pa
2) 平均生产周期：根据产品确定
3) 基片架尺寸：可以根据要求定做
4) 膜层均匀性: ± 3％
产品广泛地应用于液晶显示器(LCD)、触摸屏、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。 光学镀膜机你说的我司是哪家公司？请赐教。
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