PECVD 氮化硅薄膜内应力试验研究
PECVD 氮化硅薄膜内应力试验研究杨景超,赵 钢,邬玉亭,许晓慧
(中国科学技术大学精密机械与精密仪器系,安徽合肥230027)
摘 要:研究了等离子体增强化学气相沉积氮化硅薄膜的内应力。通过改变沉积工艺参数,研究了射
频功率、反应气体流量比、载气体分压比和反应压强对氮化硅薄膜的内应力的影响,并且分析了氮化硅薄
膜内应力的形成机制。制备出了应力只有- 182. 4 MPa 的低应力氮化硅薄膜。
关键词:氮化硅薄膜;内应力; PECVD
中图分类号: TB 43 文献标志码:A
页:
[1]