bingxingwu
发表于 2009-7-7 07:20:52
学习一下！
yupo54
发表于 2009-7-8 00:01:08
9楼说得对，Al靶更容易中毒
fanyushan
发表于 2009-7-9 04:12:10
如果是直流磁控溅射，我告诉你很难做，两种靶材都容易中毒。特别是AL。真空要足够高，通入气体要足够少，也就是把磁控控制在金属溅射模式下，才可以做。如果你无法确认什么参数状态下可以，可以用手动操作，通入氩气，进入正常辉光放电，然后通入氧气，流量从小到大，看到磁控电压突然下降，就说明靶已经中毒，你要保持在中毒前的参数状态才可以做工艺。
fanyushan
发表于 2009-7-9 04:14:10
al 靶更容易中毒
valle
发表于 2009-7-14 23:31:46
引用第12楼fanyushan于2009-07-08 12:12发表的:
如果是直流磁控溅射，我告诉你很难做，两种靶材都容易中毒。特别是AL。真空要足够高，通入气体要足够少，也就是把磁控控制在金属溅射模式下，才可以做。如果你无法确认什么参数状态下可以，可以用手动操作，通入氩气，进入正常辉光放电，然后通入氧气，流量从小到大，看到磁控电压突然下降，就说明靶已经中毒，你要保持在中毒前的参数状态才可以做工艺。
有道理
learzheng
发表于 2009-12-8 22:29:24
引用第14楼valle于2009-07-14 07:31发表的:
有道理
是的，但是你生产用直流反应溅射还是很难控制的，最好用 中频或射频电源，如果要稳定还可以加一个 反应溅射控制器
