美国真空镀膜学会43届年会部分论文摘要（三）

xx_912 · 发表于 2006-8-24 01:54:07

<html>

<head>

<meta http-equiv="Content-Type" content="text/html; charset=gb2312">

<meta name="GENERATOR" content="Microsoft FrontPage 4.0">

<meta name="

rogId" content="FrontPage.Editor.Document">

<title>一</title>

</head>

<body>

一○、大气压下采用介质层屏蔽放电的等离子体辅助沉积工艺 

C．P．Klages et al 

薄膜的等离子体活性化学气相沉积（PACVD）工艺常在0.1-1kPa的真空条件下用直流或交流放电来实现。由于真空系统的要求，这类工艺一般来说是较为复杂的。纵观大尺寸产品（例如聚合物网、金属带、纺织品或纸张）的镀膜既需要一个能放入或取出产品的大型真空容器，还要求在大气切换时，逐级保持压差。为此，期望薄膜在大气压下沉积，以降低薄膜制备成本，最终降低产品的成本。大气压下的电晕和介质屏蔽放电（DBD）已在人工合成和聚合物的表面活化中获得广泛的应用。经过适当的处理，这种放电也可以用于1个大气压下的薄膜的等离子体活性沉积。评述了大气压下采用DBD的薄膜沉积方法，讨论了应用的局限性以及尚需解决的问题。 

 

一一、阻挡膜对玻璃的红外反射（Low-E）多层膜的机械性能的影响 

O．Treichel et al 

20 世纪80年代以来，低辐射率（红外反射多层膜）玻璃因减少了通过窗户的热损耗而受到经济学家和环保方面的特别关注。低辐射率膜应满足可见光区域的透明度高、红外外射率高（及导电性好）的要求。为保证双层玻璃生产阶段多层膜系和专用条件的稳定性和寿命，需要具有一定的机械性能。常用的低辐射率玻璃膜层上的两个导电膜（SiO2、TiO2、ZnO等）之间夹有一个薄膜银层。银膜和上层之间的阻挡膜确保多层膜的上述性能达到最佳值。研究了了几种阻挡材料的纳氏硬度（H）、弹性模量（E）、固有张力（S）。给出了物理量（H、E、S）之间的关系以及触摸试验（DIN53778）的定量结果（工业用）。详细介绍了低辐射率玻璃多层膜的阻挡膜的功能，并说明了阻挡材料的直接选择和可能的膜厚。 

 

 一二、大面积ITO和ZnO膜的磁控溅射 

C. May et al(Von Ardenne Analagentechnik GmbH, 德国) 

常用的镀在玻璃上的透明导电氧化物材料是氧化铟锡（ITO）和ZnO。透明导电膜采用不同大小的磁控溅射源（反应）溅射沉积。透明导电氧化物膜的制备常用陶瓷氧化物靶。陶瓷氧化物靶溅射制备的ITO膜的性能虽然并不低于金属靶的溅射，但是基底温度更低，工艺更简单。金属靶溅射必须要求一个专用的反应控制器，以便采用等离子体发射监控器保证膜层的均匀性。另外，还须确保氧流量在整个基底上均匀分布。介绍了直流、中频、射频溅射氧化物靶制备的ITO 和ZnO膜的比较。比较各种情况下，其电阻率、透过率性能与磁控能量的关系。介绍了太阳能和显示领域用的在玻璃上沉积ITO和ZnO 膜的纵向溅射沉积的设计和工艺。 

 

一三、中频、直流和脉冲直流磁控溅射在大面积镀膜中的实际应用 

T．Rettich et al（Wiedemuth，Huttinger Electronix GmbH，德国） 

大面积镀膜所用的溅射工艺中，电子能量的不同形式是允许的。特别当中频和脉冲直流磁控溅射出现以后，使高质量膜层以高溅射速率的溅射进入批量应用。对具有各自的电性能和工艺特征的中频、直流和脉冲直流的三种不同电源进行了介绍。所述的相应的电源的选择是它们的电性能和价格参数所决定的。考虑到工艺对电源的要求，介绍了中频直流和工艺应当实现最佳匹配。大面积玻璃上镀膜已获得批量应用。作为阴极射线管的显示沉积设备已采用中频电机进行了网上镀膜，其功率为100-300 kW。也采用直流电机、脉冲直流电机，其功率为30-120 kW。 

 

一四、用于大面积氧化物膜沉积的新型直流溅射源 

M．Hefer et al（Fraunhofer Institute for Surface Engineering and Thin Film，德国） 

近年来，我所在直流空心阴极辉光放电的基础上研制成功了几种新型的PVD和CVD 沉积技术，已在不同应用领域的不同膜系中获得极为广泛的应用。这方面的最先进的产品是一种大型（靶长1000mm）、高性能（电流密度大于25 W/cm2）的新型电机，溅射源基于气流溅射原理，两个平行的平面靶之间充入惰性气体并产生空心阴极辉光放电，使溅射的材料流向基底。气流溅射的溅射原理是持续的氧和其它的绝缘材料（Al2O3、TiO2、ZrO2等）的原位反应沉积，沉积速率较高，因为气流阻止O2或N2 这类反应气体渗入空心阴极并使靶中毒。Al2O3和ZrO2的典型沉积速率为35μm/h，100μm/h，分别对应用于900 mm靶长的 10%的误差。 

 

一五、在塑料上在线镀制电磁干扰膜（EMI）和静电放电膜（ESD）的AVAC430设备和工艺 

U．Blomquist et al（Applied Vacuum I Linxoping AB，瑞典） 

AVAC430 是一种在塑料上大面积制备EMI和ESD膜的新型镀膜机。这种镀膜工艺是一种用于带空/满载的真空系统的蒸发沉积专利。可以连续运转。系统中有一个金属靶，所有夹具可沿5个方向自动运转，也可以启动其中的一个运转装置。日产量一般可达2万片，每片的大小有电话室那样大。系统的主要特点有：售价随单位价格和固定资产成本的降低而下降；每工作24 h后停机1.5 h；质量随自动化程度的提高而提高；在普通工厂的地面上安装方便。

</body>

</html>

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