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<title>一条同步辐射光刻光束线已在合肥国家同步辐射实验室建成</title>
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<p style="line-height: 150%"><font size="2"> 一条同步辐射光刻光束线已在合肥国家同步辐射实验室建成,并已刻出了线宽0.2微米,高宽比为8:1的图形。同步辐射击队光用于刻蚀亚微米线条,制造大规模集成电路和微细加工具有突出的优点。光刻光束线有前部和电子储存环相连,二者的真空性能应在同一水闰。另外,光学镜面的碳污染程度与镜箱中的真空度和残气成分以及镜面温度和所受辐照强度有关,低于10-7的压力是反射镜工作的重要条件。为此,镜箱的真空度定为10-8Pa。由于被刻蚀样品出气量大,同时为了节省刻蚀前的抽气准备时间,曝光室的工作压力以10-4Pa为宜。因此 ,必须用一个差分系统来实现10-8--10-4Pa的真空过渡。光束线还必须设置复杂的真空联锁系统,以便曝光室和光束线出现真空事故时,保护储存环和光束强烈抗议真空和各种元件。</font></td>
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