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非晶硅薄膜的 YAG 激光晶化工艺研究6 a3 E& O( F8 M* T/ i
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; H' ?6 e$ @ ]2 K电子元件与材料 , Electronic Components and Materials, , t- |% U* ~' ]* V: P( s
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. w8 ^) p$ {8 ], S2013年01期
/ ?5 }/ V& a. z: H$ l! Q3 O[给本刊投稿] 【作者】 王 强1; 张竹青2; 花国然2; 张 华2; 李志锋3;
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【机构】 (1. 南通大学 电子信息学院,江苏 南通 226019; 2. 南通大学 机械工程学院,江苏 南通 226019; 3. 江苏综艺光伏有限公司,江苏 南通 226376); 8 ?9 ?# L3 R$ D* z; x0 E1 B
( R& M/ ?1 G |+ Q: r- c7 p【摘要】 应用 YAG 激光器在不同工艺条件(激光脉冲频率及脉宽)下对非晶硅薄膜进行了微晶化处理。采用 XRD和 AFM 对所制薄膜的物相结构和表面形貌进行了分析,并探索了激光脉冲占空比对非晶硅薄膜晶化的影响。结果表明,非晶硅薄膜在不同激光脉冲占空比情况下的结晶变化趋势均为多晶硅衬底表层先非晶化,后与非晶硅薄膜一起结晶,而利于其结晶的最佳占空比为 1/25。已晶化硅薄膜的晶粒尺寸随占空比的增加先变大后变小。 更多还原
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: q0 Z8 D. ?! a- e# M【关键词】 激光技术; 激光脉冲频率; 激光脉宽; 脉冲占空比; $ u5 p* [8 Y( h) U& \
【文内图片】* s" v! _1 l4 v. g! Z( V
【基金】 国家自然科学基金青年基金资助项目(No. 51205212);江苏省自然科学基金资助项目(No. BK2008184);南通大学研究生科技创新计划资助项目(No. YKC12064) |
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